本发明专利技术公开了一种半导体用高精密T型铜带生产设备及其制备方法，包括热熔炉、割断机构、热轧机构、退火冷却机构、输送座、精轧座、控制箱与精轧机构，所述热熔炉连接割断机构的位置，所述割断机构连接热轧机构的位置，所述热轧机构连接退火冷却机构的位置，所述退火冷却机构连接输送座与精轧机构的位置，所述输送座连接精轧座的位置。本发明专利技术所述的一种半导体用高精密T型铜带生产设备及其制备方法，设有热熔炉、割断机构、热轧机构、退火冷却机构与精轧机构，能够方便更好的对铜带进行一体化生产制备，集成度高，装置占地面积较小，铜带成型效果更佳，还可以提高生产精度，铜带使用性能更为优异，合格率更高。合格率更高。合格率更高。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体用高精密T型铜带生产设备及其制备方法
[0001]本专利技术涉及铜带生产领域，特别涉及一种半导体用高精密T型铜带生产设备及其制备方法。
技术介绍
[0002]高精密T型铜带生产设备是一种进行T型铜带生产加工的支撑设备，主要应用在半导体芯片领域，替代以往的软连接铜接头，安装方便，导电便利，使用年限更长，安全性高，在进行制备的时候，采用生产设备进行一体化制备操作，随着科技的不断发展，人们对于铜带生产设备的制造工艺要求也越来越高。
[0003]现有的高精密T型铜带生产设备在使用时存在一定的弊端，首先，现有的高精密T型铜带生产设备在进行使用的时候结构较为单一，需要使用到多组工位进行加工，装置占地面积较大，不利于人们的使用，还有，在进行使用的时候，铜带生产效果不能很好的达到要求，表面压轧的效果较差，铜带加工精度较低，给人们的使用过程带来了一定的不利影响，为此，我们提出一种半导体用高精密T型铜带生产设备及其制备方法。
技术实现思路
[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种半导体用高精密T型铜带生产设备及其制备方法，能够方便更好的对铜带进行一体化生产制备，集成度高，装置占地面积较小，铜带成型效果更佳，还可以提高生产精度，铜带使用性能更为优异，合格率更高，可以有效解决
技术介绍
中的问题。
[0006](二)技术方案
[0007]为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：一种半导体用高精密T型铜带生产设备，包括热熔炉、割断机构、热轧机构、退火冷却机构、输送座、精轧座、控制箱与精轧机构，所述热熔炉连接割断机构的位置，所述割断机构连接热轧机构的位置，所述热轧机构连接退火冷却机构的位置，所述退火冷却机构连接输送座与精轧机构的位置，所述输送座连接精轧座的位置，所述控制箱安装在精轧座的边侧。
[0008]作为本申请一种优选的技术方案，所述热熔炉上设置有加热控制箱、显示器、控制器、观察窗、第一出料口、热熔座、密封炉门、热熔箱与门把，所述密封炉门在热熔炉前端进行开合，且密封炉门通过门把进行卡合定位，所述热熔座安装在热熔炉的底部加热。
[0009]作为本申请一种优选的技术方案，所述割断机构上设置有滑道、滑座、驱动气缸、割断结构、第二出料口、观察罩与割断支座，所述滑座在滑道上进行活动，所述驱动气缸驱动割断结构升降活动。
[0010]作为本申请一种优选的技术方案，所述热轧机构上设置有密封隔热板、升降杆、驱动机、热轧板、第三出料口、控制面板、显示面板与热轧支座，所述控制面板与显示面板控制热轧机构内部进行加热，且热轧机构为四连轧的方式，所述驱动机驱动升降杆并带动热轧
板高强度热轧。
[0011]作为本申请一种优选的技术方案，所述退火冷却机构上设置有管道、水箱、喷淋管、第四出料口与水洗座，所述水箱连接管道的位置，所述管道连接喷淋管的位置。
[0012]作为本申请一种优选的技术方案，所述精轧机构上设置有吸料驱动缸、吸料机构、精轧驱动缸与精轧板，所述控制箱上设置有检测机构，所述输送座上设置有输送带，所述精轧座上设置有精轧工位，所述吸料机构在吸料驱动缸的底部升降活动，所述精轧板在精轧驱动缸的底部升降活动。
[0013]一种半导体用高精密T型铜带生产设备的制备方法，包括以下操作步骤：
[0014]S1：热熔制胚成型：加入废铜材料以及一定量的锌块到热熔炉的内部进行高温加热操作，熔融并成型为铜块；
[0015]S2：割断加工：将热熔成型后的铜块向前输送，通过高强度切割刀进行切断操作，制成指定的尺寸；
[0016]S3：热轧加工：将割断的铜块向前输送到热轧装置内部，高温加热，且在加热的同时进行压轧操作，制成指定的厚度；
[0017]S4：退火处理：将热轧后的铜片继续向前输送，进入到退火冷却装置内部位置，通过喷淋达到快速冷却的效果，且清洗铜带表面的杂质；
[0018]S5：精轧成型：将退火冷却后的铜带传输到精轧工位，采用压轧的方式对铜带表面进行精细加工，并进行检测，合格后出库。
[0019]作为本申请一种优选的技术方案，所述S3步骤中采用四连轧的方式进行热轧操作，所述S5步骤中填充氮气保护。
[0020](三)有益效果
[0021]与现有技术相比，本专利技术提供了一种半导体用高精密T型铜带生产设备及其制备方法，具备以下有益效果：该一种半导体用高精密T型铜带生产设备及其制备方法，设有热熔炉、割断机构、热轧机构、退火冷却机构与精轧机构，能够方便更好的对铜带进行一体化生产制备，集成度高，装置占地面积较小，铜带成型效果更佳，还可以提高生产精度，铜带使用性能更为优异，合格率更高，加入废铜材料以及一定量的锌块到热熔炉的内部进行高温加热操作，熔融并成型为铜块；将热熔成型后的铜块向前输送，通过高强度切割刀进行切断操作，制成指定的尺寸；将割断的铜块向前输送到热轧装置内部，高温加热，且在加热的同时进行压轧操作，制成指定的厚度；将热轧后的铜片继续向前输送，进入到退火冷却装置内部位置，通过喷淋达到快速冷却的效果，且清洗铜带表面的杂质；将退火冷却后的铜带传输到精轧工位，采用压轧的方式对铜带表面进行精细加工，并进行检测，合格后出库，整个高精密T型铜带生产设备结构简单，操作方便，使用的效果相对于传统方式更好。
附图说明
[0022]图1为本专利技术一种半导体用高精密T型铜带生产设备及其制备方法的整体结构示意图。
[0023]图2为本专利技术一种半导体用高精密T型铜带生产设备及其制备方法中热熔炉的结构示意图。
[0024]图3为本专利技术一种半导体用高精密T型铜带生产设备及其制备方法中割断机构的
结构示意图。
[0025]图4为本专利技术一种半导体用高精密T型铜带生产设备及其制备方法中热轧机构的结构示意图。
[0026]图5为本专利技术一种半导体用高精密T型铜带生产设备及其制备方法中退火冷却机构的结构示意图。
[0027]图6为本专利技术一种半导体用高精密T型铜带生产设备及其制备方法中精轧机构的结构示意图。
[0028]图中：1、热熔炉；2、割断机构；3、热轧机构；4、退火冷却机构；5、输送座；6、精轧座；7、控制箱；8、精轧机构；9、加热控制箱；10、显示器；11、控制器；12、观察窗；13、第一出料口；14、热熔座；15、密封炉门；16、热熔箱；17、门把；18、滑道；19、滑座；20、驱动气缸；21、割断结构；22、第二出料口；23、观察罩；24、割断支座；25、密封隔热板；26、升降杆；27、驱动机；28、热轧板；29、第三出料口；30、控制面板；31、显示面板；32、热轧支座；33、管道；34、水箱；35、喷淋管；36、第四出料口；37、水洗座；38、吸料机构；39、吸料驱动缸；40、精轧驱动缸；41、精轧板；42、检测机构；43、精轧工位；44、输送带。
具体实施方式
[0029]下面将结合附图和具体实施方式对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，但是本领域技本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体用高精密T型铜带生产设备，包括热熔炉(1)、割断机构(2)、热轧机构(3)、退火冷却机构(4)、输送座(5)、精轧座(6)、控制箱(7)与精轧机构(8)，其特征在于：所述热熔炉(1)连接割断机构(2)的位置，所述割断机构(2)连接热轧机构(3)的位置，所述热轧机构(3)连接退火冷却机构(4)的位置，所述退火冷却机构(4)连接输送座(5)与精轧机构(8)的位置，所述输送座(5)连接精轧座(6)的位置，所述控制箱(7)安装在精轧座(6)的边侧。2.根据权利要求1所述的一种半导体用高精密T型铜带生产设备，其特征在于：所述热熔炉(1)上设置有加热控制箱(9)、显示器(10)、控制器(11)、观察窗(12)、第一出料口(13)、热熔座(14)、密封炉门(15)、热熔箱(16)与门把(17)，所述密封炉门(15)在热熔炉(1)前端进行开合，且密封炉门(15)通过门把(17)进行卡合定位，所述热熔座(14)安装在热熔炉(1)的底部加热。3.根据权利要求1所述的一种半导体用高精密T型铜带生产设备，其特征在于：所述割断机构(2)上设置有滑道(18)、滑座(19)、驱动气缸(20)、割断结构(21)、第二出料口(22)、观察罩(23)与割断支座(24)，所述滑座(19)在滑道(18)上进行活动，所述驱动气缸(20)驱动割断结构(21)升降活动。4.根据权利要求1所述的一种半导体用高精密T型铜带生产设备，其特征在于：所述热轧机构(3)上设置有密封隔热板(25)、升降杆(26)、驱动机(27)、热轧板(28)、第三出料口(29)、控制面板(30)、显示面板(31)与热轧支座(32)，所述控制面板(30)与显示面板(31)控制热轧机构(3)内部进行加热，且热轧机构(3)为四连轧的方式，所述驱动机(2...
【专利技术属性】
技术研发人员：余波，张兴，
申请(专利权)人：鑫艺达电子材料常熟有限公司，
类型：发明
国别省市：
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