一种双模四核耦合LC振荡器电路制造技术

本发明专利技术公开了一种双模四核耦合LC振荡器电路，包括多个谐振腔电路VCO和金属耦合线；所述多个谐振腔电路VCO通过金属耦合线首尾相连，所述谐振腔电路VCO包括电容和交叉耦合管，用于通过电容，交叉耦合管组成的电路保证振荡；所述谐振腔电路VCO还包括多个可切换电感器和开关，所述多个可切换电感器通过开关实现串联和并联两种连接方式，用于得到不同的电感值，实现谐振腔电路VCO在两个频段上振荡，本发明专利技术可以在实现低相位噪声的同时扩展调谐范围。明可以在实现低相位噪声的同时扩展调谐范围。明可以在实现低相位噪声的同时扩展调谐范围。

【技术实现步骤摘要】
一种双模四核耦合LC振荡器电路


[0001]本专利技术涉及一种双模四核耦合LC振荡器电路，属于振荡器


技术介绍

[0002]毫米波频率的无线通信标准正朝着更宽的信道带宽和更密集的调制方向发展，以提高数据速率。目前，压控振荡器在宽频率调谐范围上维持低相位噪声是一个巨大的挑战。由于变容二极管的品质因数在毫米波频率下严重恶化，如果频率调谐元件仅为变容二极管，则相位噪声和调谐范围之间的折衷变得严重。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种双模四核耦合LC振荡器电路，实现低相位噪声的同时扩展调谐范围。
[0004]为达到上述目的，本专利技术是采用下述技术方案实现的：
[0005]第一方面，本专利技术提供了一种双模四核耦合LC振荡器电路，包括：
[0006]包括多个谐振腔电路VCO和金属耦合线；所述多个谐振腔电路VCO通过金属耦合线首尾相连，所述谐振腔电路VCO包括电容和交叉耦合管，用于通过电容，交叉耦合管组成的电路保证振荡；
[0007]所述谐振腔电路VCO还包括多个可切换电感器和开关，所述多个可切换电感器通过开关实现串联和并联两种连接方式，用于得到不同的电感值，实现谐振腔电路VCO在两个频段上振荡。
[0008]进一步的，所述电容包括可变电容Cv1、Cv2，所述可变电容Cv1、Cv2之间串联，串联的一端连接VCON1端，另一端连接VCOP1端。
[0009]进一步的，所述可变电容Cv1、Cv2的中间接控制电压Vc。
[0010]进一步的，所述谐振腔电路VCO包括NMOS交叉耦合对NM1和NM2、PMOS交叉耦合对PM1和PM2以及尾电流ISS1；
[0011]所述NMOS管NM1的栅极分别与NMOS管NM2的漏端和VCON1相连，NMOS管NM2的栅极分别与NMOS管NM1的漏端和VCOP1相连，PMOS管PM1的栅极分别与PMOS管PM2的漏端和VCON2相连，PMOS管PM2的栅极分别与PMOS管PM1的漏端和VCOP1相连，ISS1与NM1和NM2的源端相连；VDD与PM1和PM2的源端相连。
[0012]进一步的，所述谐振腔电路VCO包括可切换电感器L1、L2和开关S1、S2、S3，所述L1的一端与VCOP1和开关S2的一端相连，L1的另一端与开关S1的一端和开关S3的一端相连，所述L2的一端与VCON1和开关S1的另一端相连，L2的另一端与开关S2的另一端和开关S3的另一端相连。
[0013]进一步的，所述谐振腔电路设有四个，分别为VCO1、VCO2、VCO3、VCO4，其中：
[0014]VCO1的VCOP1端口通过金属耦合线连接到VCO2的VCOP2端口；VCO1的VCON1端口通过金属耦合线连接到VCO2的VCON2端口；
[0015]VCO2的VCOP2端口通过金属耦合线连接到VCO3的VCOP3端口；VCO2的VCON2端口通过金属耦合线连接到VCO3的VCON3端口；
[0016]VCO3的VCOP3端口通过金属耦合线连接到VCO4的VCOP4端口；VCO3的VCON3端口通过金属耦合线连接到VCO4的VCON4端口；
[0017]VCO4的VCOP4端口通过金属耦合线连接到VCO1的VCOP1端口；VCO4的VCON4端口通过金属耦合线连接到VCO1的VCON1端口。
[0018]与现有技术相比，本专利技术所达到的有益效果：
[0019]本专利技术提供一种双模四核耦合LC振荡器电路，设计了四核耦合振荡器的双谐振模式，可变电感器进行粗频调谐，变容管进行细频调谐。四核振荡器通过金属线连接，使得相位噪声降低，实现了低相位噪声的同时扩展调谐范围。
附图说明
[0020]图1是本专利技术实施例提供的单个谐振电路框图；
[0021]图2是本专利技术实施例提供的四核耦合LC振荡器电路框图。
具体实施方式
[0022]下面结合附图对本专利技术作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。
[0023]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0024]实施例1
[0025]本实施例介绍一种双模四核耦合LC振荡器电路，包括四个谐振腔电路、八个可切换电感器、开关、和金属耦合线。
[0026]所述谐振腔电路，用于通过电容，交叉耦合管组成的电路保证振荡；
[0027]所述开关和八个可切换电感器用于改变振荡器的频率段；
[0028]所述金属耦合线，用于连接四个谐振腔电路。
[0029]在进一步实施例中，所述的谐振电路包括可变电容Cv1,Cv2，电感L1，L2；
[0030]其中可变电容Cv1、Cv2之间串联，串联的一端连接VCON1端，另一端连接VCOP1端；
[0031]在进一步实施例中，所述可变电容Cv1,Cv2的中间接控制电压Vc。
[0032]在进一步实施例中，所述谐振电路包括NMOS交叉耦合对NM1和NM2，PMOS交叉耦合对PM1和PM2，和尾电流ISS1。
[0033]NMOS管NM1的栅极分别与NMOS管NM2的漏端和VCON1相连。NMOS管NM2的栅极分别与NMOS管NM1的漏端和VCOP1相连。PMOS管PM1的栅极分别与PMOS管PM2的漏端和VCON2相连。PMOS管PM2的栅极分别与PMOS管PM1的漏端和VCOP1相连。ISS1与NM1和NM2的源端相连；VDD与PM1和PM2的源端相连。
[0034]在进一步实施例中，所述包括可切换电感器L1、L2、L3、L4、L5、L6、L7、L8和开关；
[0035]电感L1的一端与VCOP1和开关S2的一端相连，L1的另一端与开关S1的一端和开关S3的一端相连。电感L2的一端与VCON1和开关S1的另一端相连，L2的另一端与开关S2的另一端和开关S3的另一端相连。
[0036]电感L3的一端与VCOP2和开关S5的一端相连，L3的另一端与开关S4的一端和开关S6的一端相连。电感L4的一端与VCON2和开关S4的另一端相连，L4的另一端与开关S5的另一端和开关S6的另一端相连。
[0037]电感L5的一端与VCOP3和开关S8的一端相连，L5的另一端与开关S7的一端和开关S9的一端相连。电感L6的一端与VCON3和开关S7的另一端相连，L6的另一端与开关S8的另一端和开关S9的另一端相连。
[0038]电感L7的一端与VCOP4和开关S11的一端相连，L7的另一端与开关S10的一端和开关S12的一端相连。电感L8的一端与VC本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双模四核耦合LC振荡器电路，其特征在于，包括多个谐振腔电路VCO和金属耦合线；所述多个谐振腔电路VCO通过金属耦合线首尾相连，所述谐振腔电路VCO包括电容和交叉耦合管，用于通过电容，交叉耦合管组成的电路保证振荡；所述谐振腔电路VCO还包括多个可切换电感器和开关，所述多个可切换电感器通过开关实现串联和并联两种连接方式，用于得到不同的电感值，实现谐振腔电路VCO在两个频段上振荡。2.根据权利要求1所述的双模四核耦合LC振荡器电路，其特征在于，所述电容包括可变电容Cv1、Cv2，所述可变电容Cv1、Cv2之间串联，串联的一端连接VCON1端，另一端连接VCOP1端。3.根据权利要求2所述的双模四核耦合LC振荡器电路，其特征在于，所述可变电容Cv1、Cv2的中间接控制电压Vc。4.根据权利要求1所述的双模四核耦合LC振荡器电路，其特征在于，所述谐振腔电路VCO包括NMOS交叉耦合对NM1和NM2、PMOS交叉耦合对PM1和PM2以及尾电流ISS1；所述NMOS管NM1的栅极分别与NMOS管NM2的漏端和VCON1相连，NMOS管NM2的栅极分别与NMOS管NM1的漏端和VCOP1相连，PMOS管PM1的栅极分别与PMOS管PM2的漏端和VCON2相连，PMOS管PM2的栅极分别与PMOS管PM1的漏端和VCOP...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺宏杰，吉新村，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：