盒型五阶基片集成波导交叉耦合滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种盒型五阶基片集成波导交叉耦合滤波器，包括平行设置的上层RDL和下层RDL，上层RDL和下层RDL之间设有硅衬底，硅衬底内分布有五个由TSV构成的谐振腔，五个谐振腔为对称结构，上层RDL的中心处开设有“工”字型槽，上层RDL的同一侧端部分别设有输入RDL端口和输出RDL端口。本发明专利技术盒型交叉耦合拓扑结构的方式，来实现五阶基片集成波导滤波器，并用两边排有金属化孔的共面波导作为馈线来减少基片厚度对集成带来的影响。少基片厚度对集成带来的影响。少基片厚度对集成带来的影响。

【技术实现步骤摘要】
盒型五阶基片集成波导交叉耦合滤波器


[0001]本专利技术属于集成波导(SIW)
，涉及一种盒型五阶基片集成波导交叉耦合滤波器。

技术介绍

[0002]基片集成波导(SIW)技术在微波、毫米波和太赫兹区域工作的电路和器件的设计和制造中受到了广泛的关注。SIW是由介电基板、顶部和底部金属板、金属化孔形成的侧壁共同组成的基片集成波导。SIW电路本质上保留了传统波导电路的大部分优点(例如，高质量因数，高功率处理能力等)，因为它们的特性几乎与具有相同高度和等效宽度的介质填充波导相同。SIW技术为平面和非平面微波和毫米波电路的高性能集成提供了一个具有紧凑结构、低成本的器件制作方式。
[0003]SIW与平面传输线之间的过渡是构建电路的关键要素，为了减少SIW的上下金属板的损耗，需要将衬底的厚度增加，而这会使得SIW滤波器在集成过程中能量耦合到相邻结构。共面波导相比微带线有着更低的衬底厚度敏感度，并且在共面波导两侧排布周期性的金属孔可以有效抑制器件端口与相邻端口出现耦合。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种盒本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.盒型五阶基片集成波导交叉耦合滤波器，其特征在于：包括平行设置的上层RDL(1)和下层RDL(2)，上层RDL(1)和下层RDL(2)之间设有硅衬底(3)，硅衬底(3)内分布有五个由TSV构成的谐振腔，五个谐振腔为对称结构，上层RDL(1)的中心处开设有“工”字型槽(4)，上层RDL(1)的同一侧端部分别设有输入RDL端口(5)和输出RDL端口(6)。2.根据权利要求1所述的盒型五阶基片集成波导交叉耦合滤波器，其特征在于：五个所述谐振腔包括采用顺时针方式排布的第一谐振腔(7)、第二谐振腔(8)、第三谐振腔(9)、第四谐振腔(10)及第五谐振腔(11)；输入RDL端口(5)和输出RDL端口(6)分别开设在第一谐振腔(7)和第五谐振腔(11)的其中一个侧壁上。3.根据权利要求2所述的盒型五阶基片集成波导交叉耦合滤波器，其特征在于：所述第一谐振腔(7)和第二谐振腔(8)之间开设有窗口A(13)，第二谐振腔(8)与第四谐振腔(10)之间开设有窗口B(14)，“工”字型槽(...

【专利技术属性】
技术研发人员：王凤娟，寇济麟，刘江凡，余宁梅，杨媛，朱樟明，尹湘坤，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：