补偿型基板及其制备方法、滤波器技术

本公开提供了一种补偿型基板及其制备方法、滤波器，涉及滤波器技术领域，补偿型基板，包括支撑基板和位于支撑基板上的压电基板；其中，支撑基板的材料为多晶材料，且支撑基板在单位面积内的晶粒数量大于或等于6颗，单位面积为100μm

【技术实现步骤摘要】
补偿型基板及其制备方法、滤波器


[0001]本公开涉及滤波器
，具体而言，涉及一种补偿型基板及其制备方法、滤波器。

技术介绍

[0002]声表面波滤波器大量应用于各类通信器件中，在未来的通信应用中，为适应各种更加严酷的外界环境，迫切需要提高声表面波滤波器的工作稳定性，而传统的声表面波滤波器存在Q值低(＜1000)、工作频率较低以及频率随工作温度变化而漂移的特性，已经难以满足频段越来越拥挤的5G时代射频终端对滤波器的要求，为此，传统的声表面波滤波器必须向具有高频率且温度特性稳定的温度补偿型滤波器发展。
[0003]而实现传统的声表面波滤波器到温度补偿型滤波器转变的关键就在于，在单纯压电层的结构上增加支撑层结构。增加支撑层结构后，一方面可有效降低压电层的厚度，提高器件Q值；另一方面，因支撑层结构具备更优秀的热膨胀系数，因此也可有效改善器件因温度产生的频率漂移现象。然而，现有的温度补偿型滤波器件的支撑层结构通常为高密度、高声速的材料，因此，其在改善器件温度漂移特性的同时还会不可避免地产生大量干扰杂讯。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种补偿型基板及温度补偿型滤波器，该补偿型基板及其制备方法、滤波器能够有效改善干扰杂讯的产生，提高器件的工作性能。
[0005]本公开的实施例是这样实现的：
[0006]第一方面，本公开提供一种补偿型基板，包括支撑基板和位于支撑基板上的压电基板；其中，支撑基板的材料为多晶材料，且支撑基板在单位面积内的晶粒数量大于或等于6颗，单位面积为100μm
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100μm。
[0007]可选地，支撑基板在单位面积内的晶粒数量小于或等于200颗。
[0008]可选地，支撑基板的气孔率小于0.0045％，大于或等于0.001％。
[0009]可选地，支撑基板的气孔率大于0.65％。
[0010]可选地，支撑基板的气孔率小于1.5％。
[0011]可选地，晶界层的数量大于或等于3层；和/或，晶界层的数量小于或等于40层。
[0012]可选地，支撑基板的材料为多晶尖晶石、多晶蓝宝石、多晶硅、多晶石英和多晶氮化铝中的任意一种。
[0013]可选地，压电基板的厚度为0.1～10μm。更优的，压电基板的厚度为0.5～5μm。
[0014]第二方面，本公开提供一种补偿型基板的制备方法，包括：提供一种支撑基板，支撑基板的材料为多晶材料，且支撑基板在单位面积内的晶粒数量大于或等于6颗，单位面积为100μm
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100μm；在支撑基板上键合压电基板，以得到补偿型基板。
[0015]可选地，在支撑基板上键合压电基板，以得到补偿型基板，包括：在支撑基板上键合压电基板；对压电基板背离支撑基板的一面依次进行减薄、抛光，以使压电基板的厚度小
于10μm；对支撑基板背离压电基板的一面依次进行减薄、抛光，以使支撑基板的厚度小于250μm，以得到补偿型基板。
[0016]第三方面，本公开提供了一种滤波器，包括上述补偿型基板，以及设置在补偿型基板上且与补偿型基板连接的电极。
[0017]本公开的有益效果包括：本公开提供的补偿型基板，通过在压电基板下设置支撑基板，能够有效的降低压电基板的厚度，提高滤波器的Q值，实现传统声表面波滤波器到具备高频率
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温度特性稳定的温度补偿型SAW滤波器的技术改进。由于，多晶材料的晶界对声波的散射起到吸收和衰减的作用，声表面波传递到支撑基板内部或下表面，声波会被晶界和气孔消耗掉，反射回表面的声波明显减少，从而起到降低杂讯的作用，因此通过将支撑基板的材料设置为多晶材料能够有效的降低杂讯。通过限定单位面积内晶粒的数量，可实现对多晶材料中晶粒尺寸大小的控制。通过设定单位面积的晶粒数量一方面避免晶粒尺寸过大，导致晶界较少，使得制作的滤波器器件易出现杂讯，另一方面防止晶粒尺寸过小，导致气孔增加，造成器件Q值降低的问题。
[0018]进一步地，本公开提供的补偿型基板的制备方法，通过在支撑基板上键合压电基板，以得到补偿型基板，能够应用于温度补偿型的滤波器中，可有效改善支撑基板因温度产生的频率漂移，提高器件的Q值。
[0019]相较于传统技术，本公开提供的滤波器，使得滤波器的性能能够得到有效提升，大幅降低杂讯的干扰。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本公开的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0021]图1为本公开一些实施例的补偿型基板的结构示意图之一；
[0022]图2为本公开实施例中多晶材料的晶粒与晶粒形成的晶界层；
[0023]图3为本公开一些实施例的补偿型基板的结构示意图之二；
[0024]图4为本公开一些实施例提供的支撑基板的结构示意图之一；
[0025]图5为本公开一些实施例提供的支撑基板的结构示意图之二；
[0026]图6为本公开一些实施例提供的支撑基板的结构示意图之三；
[0027]图7为本公开一些实施例提供的支撑基板的结构示意图之四；
[0028]图8为本公开一些实施例提供的杂讯的测量方式示意图。
[0029]图标：10
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支撑基板；20
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压电基板；30
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电极。
具体实施方式
[0030]下文陈述的实施方式表示使得本领域技术人员能够实践所述实施方式所必需的信息，并且示出了实践所述实施方式的最佳模式。在参照附图阅读以下描述之后，本领域技术人员将了解本公开的概念，并且将认识到本文中未具体提出的这些概念的应用。应理解，这些概念和应用属于本公开和随附权利要求的范围内。
[0031]应当理解，虽然术语第一、第二等可以在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区域分一个元件与另一个元件。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可称为第二元件，并且类似地，第二元件可称为第一元件。如本文所使用，术语“和/或”包括相关联的所列项中的一个或多个的任何和所有组合。
[0032]应当理解，当一个元件(诸如层、区域或衬底)被称为“在另一个元件上”或“延伸到另一个元件上”时，其可以直接在另一个元件上或直接延伸到另一个元件上，或者也可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接在另一个元件上”或“直接延伸到另一个元件上”时，不存在介于中间的元件。同样，应当理解，当元件(诸如层、区域或衬底)被称为“在另一个元件之上”或“在另一个元件之上延伸”时，其可以直接在另一个元件之上或直接在另一个元件之上延伸，或者也可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接在另一个元件之上”或“直接在另一个元件之上延伸”时，不存在介于中间的元件。还应当理解，当本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种补偿型基板，其特征在于，包括支撑基板和位于所述支撑基板上的压电基板；其中，所述支撑基板的材料为多晶材料，且所述支撑基板在单位面积内的晶粒数量大于或等于6颗，所述单位面积为100μm
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100μm。2.根据权利要求1所述的补偿型基板，其特征在于，所述支撑基板在单位面积内的晶粒数量小于或等于200颗。3.根据权利要求1或2所述的补偿型基板，其特征在于，所述支撑基板的气孔率小于0.0045％，大于或等于0.001％。4.根据权利要求1或2所述的补偿型基板，其特征在于，所述支撑基板的气孔率大于0.65％。5.根据权利要求4所述的补偿型基板，其特征在于，所述支撑基板的气孔率小于1.5％。6.根据权利要求1或2所述的补偿型基板，其特征在于，所述多晶材料内部有晶界层，所述晶界层的数量大于或等于3层；和/或，所述晶界层的数量小于或等于40层。7.根据权利要求1所述的补偿型基板，其特征在于，所述支撑基板的材料为多晶尖晶石、多晶蓝宝石、多晶硅、多晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：枋明辉，林仲和，林彦甫，黄世雄，杨胜裕，
申请(专利权)人：泉州市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：