偏移检测结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种偏移检测结构及其制备方法。该偏移检测结构中，通过在至少一个衬底的对位区内形成通孔而构成检测通道，该检测通道在对位区穿透至少一个衬底，从而可通过该检测通道识别到第一衬底上的第一对位图形和第二衬底上的第二对位图形，进而检测出第一衬底和第二衬底之间的键合偏移，有效提高了检测效率，并可以对产品进行及时监控，提高产品的质量。量。量。

【技术实现步骤摘要】
偏移检测结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种偏移检测结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制造过程中，常常需要利用键合工艺将两个或者多个晶圆相互键合，而对于晶圆的键合偏移也是目前普遍存在的问题。尤其是在晶圆键合完成后，键合的晶圆面对面结合，此时难以识别到各个晶圆的键合面上的标记，从而难以检测出键合晶圆之间的偏移状况。因此，急需寻求一种有效的针对键合偏移的检测思路。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种偏移检测结构，以解决键合后的衬底难以进行偏移检测的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种偏移检测结构，所述偏移检测结构包括第一对位图形和第二对位图形，所述第一对位图形和所述第二对位图形分别形成在第一衬底的对位区内和第二衬底的对位区内，所述第一衬底和所述第二衬底相互键合。以及，所述偏移检测结构还包括检测通道，所述检测通道包括形成在至少一个衬底的对位区内的通孔，并且在具有所述通孔的衬底上所形成的对位图形还至少部分位于所述通孔的开口范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种偏移检测结构，其特征在于，所述偏移检测结构包括第一对位图形和第二对位图形，所述第一对位图形和所述第二对位图形分别形成在第一衬底的对位区内和第二衬底的对位区内，所述第一衬底和所述第二衬底相互键合；以及，所述偏移检测结构还包括检测通道，所述检测通道包括形成在至少一个衬底的对位区内的通孔，并且在具有所述通孔的衬底上所形成的对位图形还至少部分位于所述通孔的开口范围内。2.如权利要求1所述的偏移检测结构，其特征在于，所述检测通道还包括检测光透射层，所述检测光透射层形成在至少一个通孔的开口范围内，并且在具有所述检测光透射层的衬底上所形成的对位图形设置在所述检测光透射层上。3.如权利要求1或2所述的偏移检测结构，其特征在于，所述检测通道包括形成在所述第一衬底的对位区内的第一通孔和形成在所述第二衬底的对位区内的第二通孔，所述第一对位图形至少部分位于所述第一通孔的开口范围内，所述第二对位图形至少部分位于所述第二通孔的开口范围内。4.如权利要求3所述的偏移检测结构，其特征在于，所述检测通道还包括第一检测光透射层和第二检测光透射层，所述第一检测光透射层形成在所述第一通孔的开口范围内，所述第一对位图形形成在所述第一检测光透射层上；所述第二检测光透射层形成在所述第二通孔的开口范围内，所述第二对位图形形成在所述第二检测光透射层上。5.如权利要求2所述的偏移检测结构，其特征在于，所述检测光透射层的宽度尺寸大于所述通孔的开口尺寸，以使所述检测光透射层的侧壁搭接在所述通孔的侧壁上。6.如权利要求2所述的偏移检测结构，其特征在于，所述检测光透射层的材料包括未掺杂的多晶硅。7.如权利要求2所述的偏移检测结构，其特征在于，所述检测光透射层形成在所述通孔的端部上；以及，所述检测光透射层包括第一透射层和第二透射层，所述第一透射层覆盖所述第二透射层位于通孔内部的表面而暴露于对应的通孔内，其中所述第一透射层的材料与其所在衬底的材料不同。8.如权利要求2所述的偏移检测结构，其特征在于，同一投影平面上，所述第一对位图形环绕在所述第二对位图形的外围；或者，所述第二对位图形环绕在所述第一对位图形的外围。9.如权利要求2所述的偏移检测结构，其特征在于，所述检测光透射层为红外光透射层。10.如权利要求1所述的偏移检测结构，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：王红海，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：