一种以不同晶向硅单晶制作籽晶的方法技术

本发明专利技术涉及籽晶加工技术领域，具体为一种以不同晶向硅单晶制作籽晶的方法，包括如下步骤：S1、将<111>硅单晶棒切割取段，外表面进行外圆磨削加工成圆柱形结构的<111>晶向硅单晶锭；S2、对<111>晶向硅单晶锭的侧面进行X射线定向，确定<110>晶向位置，并在硅单晶锭的端面划线作为标记；S3、使<110>晶向朝上，将<111>晶向硅单晶锭水平放置在专用架子上，专用架子包括框架、托架、螺栓和调节螺母，将专用架子放到一个专用的水平平台上。该以不同晶向硅单晶制作籽晶的方法中，可以使用<111>晶向硅单晶棒作为原料进行籽晶加工；利用X射线定向仪便于寻找<111>晶向硅单晶锭的<110>晶向位置，并利用专用架子精确地加工出<110>晶面，再利用可调平板校准<110>晶向偏离度，通过特定的籽晶加工工艺，得到指定晶向且偏差小的高强度籽晶。晶。晶。

【技术实现步骤摘要】
一种以不同晶向硅单晶制作籽晶的方法


[0001]本专利技术涉及籽晶加工
，具体地说，涉及一种以不同晶向硅单晶制作籽晶的方法。

技术介绍

[0002]籽晶其实就是生长单晶硅的种子，它是用单晶硅棒切割而成的一根细长的小棍，其截面大多是矩形的，也有圆形的，因此籽晶就是单晶硅。作为籽晶用的单晶硅，位错应尽量少，一般要求位错密度小于1000个/cm2。这样有利于生长出低位错或无位错单晶硅。同时，切籽晶用的单晶硅电阻率与产品单晶硅的电阻率相似，或高于产品单晶硅的电阻率。切割好的籽晶表面不应有严重的机械损伤，也不宜过分粗糙，籽晶的晶向要满足产品的要求，晶向偏离的度数应符合拉晶的要求。
[0003]晶向硅单晶籽晶的制作方法通常是以<110>晶向硅单晶锭6为原料，经过切割取段、<110>晶面13的定向、垂直定位、掏取、磨削、化腐、清洗等过程加工成籽晶，如图1所示。在缺少<110>晶向硅单晶锭原料的情况下，不便于进行籽晶加工。

技术实现思路

[0004本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种以不同晶向硅单晶制作籽晶的方法，其特征在于：包括如下步骤：S1、将<111>硅单晶棒切割取段，外表面进行外圆磨削加工成圆柱形结构的<111>晶向硅单晶锭(1)；S2、对<111>晶向硅单晶锭(1)的侧面进行X射线定向，确定<110>晶向位置，并在硅单晶锭的端面划线(12)作为标记；S3、使<110>晶向朝上，将<111>晶向硅单晶锭(1)水平放置在专用架子(4)上，所述专用架子(4)包括框架(41)、托架(42)、螺栓(43)和调节螺母(44)，将专用架子(4)放到一个专用的水平平台上，在水平平台上放置一把直尺，使一直尺边靠近划线(12)，旋转<111>晶向硅单晶锭(1)，使直尺边与划线(12)重合，从而达到使划线(12)垂直目的，即<110>晶向垂直向上；S4、在水平平台上放置一个万向磁座百分表，测量头接触<111>晶向硅单晶锭(1)一端后，固定百分表高度，再将测量头移至<111>晶向硅单晶锭(1)的另一端，以此确定<111>晶向硅单晶锭(1)的水平程度，用内六角插入调节螺母(44)上的孔，通过旋转调节螺母(44)带动螺栓(43)和托架(42)来调节<111>晶向硅单晶锭(1)的两端高低，最终在水平平台上调整<111>晶向硅单晶锭(1)到水平...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘金平，肖世豪，沈益军，饶伟星，张立安，程富荣，冯小娟，赵亮，苏文霞，肖银平，
申请(专利权)人：海纳半导体山西有限公司，
类型：发明
国别省市：