用于光电器件的有机分子制造技术

技术编号:38035489 阅读:12 留言:0更新日期:2023-06-30 11:02
发明专利技术涉及一种用于光电器件的有机分子。根据发明专利技术,有机分子具有式I的结构:其中,X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8、X9、X

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于光电器件的有机分子


[0001]专利技术涉及有机分子以及有机分子在有机发光二极管(OLED)中和在其它光电器件中的应用。

技术介绍

技术实现思路

[0002]本专利技术的目的在于提供适用于在光电器件中使用的有机分子。
[0003]该目的通过提供了一种新型的有机分子的专利技术来实现。
[0004]专利技术的有机分子是纯有机分子,即,与已知用于光电器件中的金属配合物相比,有机分子不包含任何金属离子。然而,专利技术的有机分子可以包括准金属(具体地,B、Si、Sn、Se和/或Ge)。
[0005]专利技术的有机分子在蓝色光谱范围、天蓝色光谱范围、绿色光谱范围或黄色光谱范围内表现出发射最大值。具体地,有机分子在420nm与520nm之间(优选地在440nm与495nm之间,更优选地在450nm与470nm之间)表现出发射最大值,或者具体地,有机分子在490nm与600nm之间(更优选地在510nm与560nm之间,甚至更优选地在520nm与540nm之间)表现出发射最大值。具体地,根据专利技术的有机分子的光致发光量子产率是50%或更大。在光电器件(例如,有机发光二极管(OLED))中使用根据专利技术的有机分子导致光电器件的较高的效率或较高的色纯度(其由发射的半峰全宽(FWHM)表达)。对应的OLED具有比采用已知的发射体材料的OLED高的稳定性和相当的颜色。
[0006]根据专利技术的有机分子包括式I的结构或由式I的结构组成:
[0007][0008]其中,
[0009]X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8、X9、X
10
、X
11
、X
12
、X
13
和X
14
彼此独立地选自于由N和CR
a
组成的组;
[0010]Z在每次出现时彼此独立地选自于由直连键、CR3R4、C=CR3R4、C=O、C=NR3、NR3、O、
SiR3R4、S、S(O)和S(O)2组成的组;
[0011]R1和R2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组:氢;氘;N(R5)2;OR5;Si(R5)3;B(OR5)2;OSO2R5;CF3;CN;F;Br;I;C1‑
C
40
烷基,可选地取代有一个或更多个取代基R5,并且其中,一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;C1‑
C
40
烷氧基,可选地取代有一个或更多个取代基R5,并且其中,一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;C1‑
C
40
硫代烷氧基,可选地取代有一个或更多个取代基R5,并且其中,一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;C2‑
C
40
烯基,可选地取代有一个或更多个取代基R5,并且其中,一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;C2‑
C
40
炔基,可选地取代有一个或更多个取代基R5,并且其中,一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;C6‑
C
60
芳基,可选地取代有一个或更多个取代基R5;以及C3‑
C
57
杂芳基,可选地取代有一个或更多个取代基R5;以及单环或多环的脂肪族、芳香族和/或苯并稠合的环体系,通过与选自于由R1、R2和R5组成的组中的其它取代基中的一个或更多个闭环形成;
[0012]R
a
、R3和R4在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组:氢;氘;N(R5)2;OR5;Si(R5)3;B(OR5)2;OSO2R5;CF3;CN;F;Br;I;C1‑
C
40
烷基,可选地取代有一个或更多个取代基R5,并且其中,一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;C1‑
C
40
烷氧基,可选地取代有一个或更多个取代基R5,并且其中,一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;C1‑
C
40
硫代烷氧基,可选地取代有一个或更多个取代基R5,并且其中,一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;C2‑
C
40
烯基,可选地取代有一个或更多个取代基R5,并且其中,一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;C2‑
C
40
炔基,可选地取代有一个或更多个取代基R5,并且其中,一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;C6‑
C
60
芳基,可选地取代有一个或更多个取代基R5;以及C3‑
C
57
杂芳基,可选地取代有一个或更多个取代基R5;
[0013]R5在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组:氢;氘;N(R6)2;OR6;Si(R6)3;B(OR6)2;OSO2R6;CF3;CN;F;Br;I;C1‑
C
40
烷基,可选地取代有一个或更多个取代基R6,并且其中,一个本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机分子,所述有机分子包括式I的结构:其中,X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8、X9、X
10
、X
11
、X
12
、X
13
和X
14
彼此独立地选自于由N和CR
a
组成的组;Z在每次出现时彼此独立地选自于由直连键、CR3R4、C=CR3R4、C=O、C=NR3、NR3、O、SiR3R4、S、S(O)和S(O)2组成的组;R1和R2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组:氢;氘;N(R5)2;OR5;Si(R5)3;B(OR5)2;OSO2R5;CF3;CN;F;Br;I;C1‑
C
40
烷基,可选地取代有一个或更多个取代基R5,并且其中,一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;C1‑
C
40
烷氧基,可选地取代有一个或更多个取代基R5,并且其中,一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;C1‑
C
40
硫代烷氧基,可选地取代有一个或更多个取代基R5,并且其中,一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;C2‑
C
40
烯基,可选地取代有一个或更多个取代基R5,并且其中,一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;C2‑
C
40
炔基,可选地取代有一个或更多个取代基R5,并且其中,一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;C6‑
C
60
芳基,可选地取代有一个或更多个取代基R5;C3‑
C
57
杂芳基,可选地取代有一个或更多个取代基R5;以及单环或多环的脂肪族、芳香族和/或苯并稠合的环体系,通过与选自于由R1、R2和R5组成的组中的一个或更多个其它取代基闭环形成;R
a
、R3和R4在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组:氢;氘;N(R5)2;OR5;Si(R5)3;B(OR5)2;OSO2R5;CF3;CN;F;Br;I;C1‑
C
40
烷基,可选地取代有一个或更多个取代基R5,并且其中,一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;C1‑
C
40
烷氧基,可选地取代有一个或更多个取代基R5,并且其中,一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S
或CONR5取代;C1‑
C
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硫代烷氧基,可选地取代有一个或更多个取代基R5,并且其中,一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;C2‑
C
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烯基,可选地取代有一个或更多个取代基R5,并且其中,一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;C2‑
C
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炔基,可选地取代有一个或更多个取代基R5,并且其中,一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5取代;C6‑
C
60
芳基,可选地取代有一个或更多个取代基R5;以及C3‑
C
57
杂芳基,可选地取代有一个或更多个取代基R5;R5在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组:氢;氘;N(R6)2;OR6;Si(R6)3;B(OR6)2;OSO2R6;CF3;CN;F;Br;I;C1‑
C
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烷基,可选地取代有一个或更多个取代基R6,并且其中,一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R6C=CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR6、P(=O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代;C1‑
C
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烷氧基,可选地取代有一个或更多个取代基R6,并且其中,一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R6C=CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR6、P(=O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代;C1‑
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硫代烷氧基,可选地取代有一个或更多个取代基R6,并且其中,一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R6C=CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR6、P(=O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代;C2‑
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烯基,可选地取代有一个或更多个取代基R6,并且其中,一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R6C=CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR6、P(=O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6取代;C2‑
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炔基,可选地取代有一个或更多个取代基R6,并且其中,一个或更多个...

【专利技术属性】
技术研发人员:R
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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