低温漂电压基准电路制造技术

本发明专利技术公开了一种低温漂电压基准电路，包含：启动电路、电压偏置电路、正温度系数电流产生电路、负温度系数电流产生电路和零温度系数电压产生电路；启动电路用于启动低温漂电压基准电路；电压偏置电路用于生成偏执电压；正温度系数电流产生电路用于生成正温度电流；负温度系数电流产生电路用于生成负温度电流；零温度系数电压产生电路用于生成零温度电压；启动电路、电压偏置电路、正温度系数电流产生电路、负温度系数电流产生电路、和零温度系数电压产生电路依次连接。本发明专利技术提供的低温漂电压基准电路，精度高，稳定性高，不受温度和电源电压影响。响。响。

【技术实现步骤摘要】
低温漂电压基准电路


[0001]本专利技术属于半导体集成电路设计领域，具体涉及一种低温漂电压基准电路。

技术介绍

[0002]现有的电源类芯片或是模数转换器芯片以及时钟芯片，电压基准容易受到环境，如温度和电源电压影响。传统的电压基准电路只有一阶补偿，并且在镜像电流的过程中只使用标准电流源，导致产生的基准电压随温度和电源的波动干扰较大。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种低温漂电压基准电路解决上述提到的技术问题，具体采用如下的技术方案：
[0004]一种低温漂电压基准电路，包含：启动电路、电压偏置电路、正温度系数电流产生电路、负温度系数电流产生电路和零温度系数电压产生电路；
[0005]所述启动电路用于启动所述低温漂电压基准电路；
[0006]所述电压偏置电路用于生成偏执电压；
[0007]所述正温度系数电流产生电路用于生成正温度电流；
[0008]所述负温度系数电流产生电路用于生成负温度电流；
[0009]所述零温度系数电压产生电路用于生成零温度电压；
[0010]所述启动电路、所述电压偏置电路、所述正温度系数电流产生电路、所述负温度系数电流产生电路、和所述零温度系数电压产生电路依次连接。
[0011]进一步地，所述启动电路包含电阻R1、N型MOS管NM1、P型MOS管PM1、N型MOS管NM2和P型MOS管PM16；
[0012]所述电阻R1上端口与电源相连，下端口和所述N型MOS管NM1的漏极相连，所述N型MOS管NM1的源极和地相连，栅极和输出电压VREF相连，所述P型MOS管PM1的源极和电源相连，漏极和所述N型MOS管NM2的漏极以及所述P型MOS管PM16的栅极相连，栅极和所述N型MOS管NM2的栅极以及所述N型MOS管NM1的漏极连接，所述N型MOS管NM2的源极和地相连，所述P型MOS管PM16的源极和电源相连。
[0013]进一步地，所述电压偏置电路包含：P型MOS管PM2、P型MOS管PM3、P型MOS管PM4、P型MOS管PM5、N型MOS管NM3、N型MOS管NM4、PNP型三极管Q1和PNP型三极管Q2；
[0014]所述P型MOS管PM2的源极和电源连接，漏极和所述P型MOS管PM3的源级连接，栅极和所述P型MOS管PM3的漏极和所述N型MOS管NM3的漏极连接，所述P型MOS管PM3的栅极与所述P型MOS管PM4的栅极和所述P型MOS管PM5的栅极连接，所述P型MOS管PM4的源级和电源连接，漏极和所述P型MOS管PM5的源级连接，所述P型MOS管PM5的漏极和所述N型MOS管NM4的漏极连接，所述N型MOS管NM3的源级和所述PNP型三极管Q1的发射极连接，所述N型MOS管NM4的源极和所述PNP型三极管Q2的发射极连接，所述PNP型三极管Q1的基级和集电极与地连接，所述PNP型三极管Q2的基级和集电极与地连接，所述N型MOS管NM3的栅极以及所述N型MOS管
NM4的栅极与所述P型MOS管PM16的漏极连接。
[0015]进一步地，所述正温度系数电流产生电路包含P型MOS管PM6、P型MOS管PM7、P型MOS管PM8、P型MOS管PM9、N型MOS管NM5、N型MOS管NM6、电阻R2、PNP型三极管Q3和PNP型三极管Q4；
[0016]所述P型MOS管PM6的源级和电源连接，漏极和所述P型MOS管PM7的源极连接，所述P型MOS管PM8的源极和电源连接，漏极和所述P型MOS管PM9的源极连接，所述P型MOS管PM7的漏极和所述N型MOS管NM5的漏极连接，所述P型MOS管PM9的漏极与所述N型MOS管NM5栅极、所述N型MOS管NM6的栅极和漏极，所述N型MOS管NM5的源极和所述PNP型三极管Q3的发射极连接，所述N型MOS管NM6的源极和所述电阻R2的上端连接，所述PNP型三极管Q3的基极和集电极与地连接，所述电阻R2的下端与所述PNP型三极管Q4的发射极连接，所述PNP型三极管Q4的基极和集电极与地连接，所述P型MOS管PM6栅极和所述P型MOS管PM8栅极与所述P型MOS管PM2的栅极连接，所述P型MOS管PM7的栅极和所述P型MOS管PM9栅极与所述P型MOS管PM3的栅极连接。
[0017]进一步地，所述负温度系数电流产生电路包含P型MOS管PM10、P型MOS管PM11、N型MOS管NM7和电阻R3；
[0018]所述P型MOS管PM10的源极和电源连接，漏极和所述P型MOS管PM11的漏极以及所述N型MOS管NM7的漏极连接，所述P型MOS管PM11的漏极和所述N型MOS管NM7的漏极连接，所述N型MOS管NM7的源极和所述电阻R3的上端连接，所述电阻R3的下端与地连接，所述N型MOS管NM7的栅极与所述P型MOS管PM9的漏极连接，所述P型MOS管PM11的栅极与所述P型MOS管PM3的栅极连接。
[0019]进一步地，所述零温度系数电压产生电路包含P型MOS管PM12、P型MOS管PM13、P型MOS管PM14、P型MOS管PM15、电阻R4和PNP型三极管Q5；
[0020]所述P型MOS管PM12的源极和电源连接，漏极和所述P型MOS管PM13的源极连接，所述P型MOS管PM13的漏极和所述P型MOS管PM15的漏极和所述电阻R4的上端以及所述N型MOS管NM1的栅极连接，所述P型MOS管PM14的源极和电源连接，漏极和所述P型MOS管PM15的源极连接，所述P型MOS管PM15的源极和所述P型MOS管PM14的漏极连接，所述电阻R4的下端和所述PNP型三极管Q5的发射极连接，所述PNP型三极管Q4的基极和集电极和地连接，P型MOS管PM14的栅极和所述P型MOS管PM2的栅极连接，所述P型MOS管PM13的栅极和所述P型MOS管PM15的栅极和所述P型MOS管PM3的栅极连接。
[0021]本专利技术的有益之处在于所提供的低温漂电压基准电路，精度高，稳定性高，不受温度和电源电压影响。
[0022]本专利技术的有益之处还在于所提供的低温漂电压基准电路，P型MOS管PM6、P型MOS管PM7和P型MOS管PM8、P型MOS管PM9均为共源共栅电流源，相比传统电流源可以有效减小电源对N型MOS管NM5和N型MOS管NM6漏极电压的影响，获取更加准确的正温度电流。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可
以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1是本专利技术的一种低温漂电压基准电路的示意图。
具体实施方式
[0025]下面详细描述本申请的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低温漂电压基准电路，其特征在于，包含：启动电路、电压偏置电路、正温度系数电流产生电路、负温度系数电流产生电路和零温度系数电压产生电路；所述启动电路用于启动所述低温漂电压基准电路；所述电压偏置电路用于生成偏执电压；所述正温度系数电流产生电路用于生成正温度电流；所述负温度系数电流产生电路用于生成负温度电流；所述零温度系数电压产生电路用于生成零温度电压；所述启动电路、所述电压偏置电路、所述正温度系数电流产生电路、所述负温度系数电流产生电路、和所述零温度系数电压产生电路依次连接。2.根据权利要求1所述的低温漂电压基准电路，其特征在于，所述启动电路包含电阻R1、N型MOS管NM1、P型MOS管PM1、N型MOS管NM2和P型MOS管PM16；所述电阻R1上端口与电源相连，下端口和所述N型MOS管NM1的漏极相连，所述N型MOS管NM1的源极和地相连，栅极和输出电压VREF相连，所述P型MOS管PM1的源极和电源相连，漏极和所述N型MOS管NM2的漏极以及所述P型MOS管PM16的栅极相连，栅极和所述N型MOS管NM2的栅极以及所述N型MOS管NM1的漏极连接，所述N型MOS管NM2的源极和地相连，所述P型MOS管PM16的源极和电源相连。3.根据权利要求2所述的低温漂电压基准电路，其特征在于，所述电压偏置电路包含：P型MOS管PM2、P型MOS管PM3、P型MOS管PM4、P型MOS管PM5、N型MOS管NM3、N型MOS管NM4、PNP型三极管Q1和PNP型三极管Q2；所述P型MOS管PM2的源极和电源连接，漏极和所述P型MOS管PM3的源级连接，栅极和所述P型MOS管PM3的漏极和所述N型MOS管NM3的漏极连接，所述P型MOS管PM3的栅极与所述P型MOS管PM4的栅极和所述P型MOS管PM5的栅极连接，所述P型MOS管PM4的源级和电源连接，漏极和所述P型MOS管PM5的源级连接，所述P型MOS管PM5的漏极和所述N型MOS管NM4的漏极连接，所述N型MOS管NM3的源级和所述PNP型三极管Q1的发射极连接，所述N型MOS管NM4的源极和所述PNP型三极管Q2的发射极连接，所述PNP型三极管Q1的基级和集电极与地连接，所述PNP型三极管Q2的基级和集电极与地连接，所述N型MOS管NM3的栅极以及所述N型MOS管NM4的栅极与所述P型MOS管PM16的漏极连接。4.根据权利要求3所述的低温漂电压基准电路，其特征在于，所述正温度系数电流产生电路包含P型MOS管PM6、P型MOS管PM7、P型MOS管PM8、P型MOS管PM9、N型MOS管NM5、N型MOS管NM6、电阻R2...

【专利技术属性】
技术研发人员：马彦飞，许文，申佳，张鹏，赵妍，曹辉，
申请(专利权)人：西克魔迩北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：