【技术实现步骤摘要】
温控电流产生电路、芯片及电子设备
[0001]本公开的实施例涉及集成电路
，具体地，涉及温控电流产生电路、芯片及电子设备。
技术介绍
[0002]充电电流随芯片温度升高而线性降低的功能特性，一直是线性充电芯片中电路设计的难点之一。在线性充电芯片中，由于充电电流随芯片温度升高而线性降低的功能属于辅助应用功能，因此电路设计实现相对简单。对于结温调节的起止范围、电流下降的斜率、不同充电模式下的控制环路与温度调节电路之间的切换，都不作过于精确的要求。一旦应用端的需求有所提升，电路设计就需要进一步优化。
技术实现思路
[0003]本文中描述的实施例提供了一种温控电流产生电路、芯片及电子设备。
[0004]根据本公开的第一方面，提供了一种温控电流产生电路。该温控电流产生电路包括：温控电压产生电路、压控电流产生电路、以及输出电流调节电路。其中，温控电压产生电路被配置为：根据从输出电流调节电路输出的温控电流和当前结温来生成温控电压。压控电流产生电路被配置为：在温控电压等于第一预设电压时生成压控电流。输出电流调节...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种温控电流产生电路，包括：温控电压产生电路、压控电流产生电路、以及输出电流调节电路，其中，所述温控电压产生电路被配置为：根据从所述输出电流调节电路输出的温控电流和当前结温来生成温控电压；所述压控电流产生电路被配置为：在所述温控电压等于第一预设电压时生成压控电流；所述输出电流调节电路被配置为：在所述压控电流的控制下对所述温控电流进行调节；其中，对所述温控电流进行调节的结温起始值与所述温控电流的初始值成反比，在所述当前结温等于或者大于所述温控电流的所述初始值对应的结温起始值时，所述温控电压等于所述第一预设电压。2.根据权利要求1所述的温控电流产生电路，其中，在对所述温控电流进行调节的情况下，所述温控电流随着结温升高而线性降低；所述温控电压产生电路包括：电流采样电路、流控电压产生电路、负温度系数电压产生电路、第一电流产生电路、电流镜电路、以及电压输出电路，其中，所述电流采样电路被配置为：对所述温控电流进行采样以生成采样电流，并经由第一节点向所述流控电压产生电路提供所述采样电流；所述流控电压产生电路被配置为：生成与所述采样电流线性正相关的流控电压，并经由所述第一节点向所述第一电流产生电路提供所述流控电压；所述负温度系数电压产生电路被配置为：生成负温度系数电压，并经由第二节点向所述第一电流产生电路提供所述负温度系数电压；所述第一电流产生电路被配置为：根据所述流控电压与所述负温度系数电压之间的电压差来生成第一电流，并经由第三节点向所述电流镜电路提供所述第一电流，其中，在对所述温控电流进行调节的情况下，所述电压差为固定值；所述电流镜电路被配置为：生成所述第一电流的镜像电流，并经由第四节点向所述电压输出电路提供所述镜像电流；所述电压输出电路被配置为：根据所述镜像电流在所述第四节点处生成所述温控电压。3.根据权利要求2所述的温控电流产生电路，其中，所述流控电压产生电路包括：第一运放、第一晶体管、第一电阻器、以及第二电阻器，其中，所述第一运放的第一输入端被提供第二参考电压，所述第一运放的第二输入端耦接所述第一晶体管的第一极、所述第一电阻器的第一端和所述第二电阻器的第一端，所述第一运放的输出端耦接所述第一晶体管的控制极；所述第一晶体管的第二极耦接第一电压端；所述第一电阻器的第二端耦接第二电压端；所述第二电阻器的第二端耦接所述第一节点。4.根据权利要求2所述的温控电流产生电路，其中，所述第一电流产生电路包括：第二运放、第二晶体管、以及第三电阻器，其中，所述第二运放的第一输入端耦接所述第一节点，所述第二运放的第二输入端耦
接所述第二晶体管的第一极和所述第三电阻器的第一端，所述第二运放的输出端耦接所述第二晶体管的控制极；所述第二晶体管的第二极耦接所述第三节点；所述第三电阻器的第二端耦接所述第二节点。5.根据权利要求2所述的温控电流产生电路，其中，所述电流镜电路包括：第三晶体管至第六晶体管、第四电阻器、以及第五电阻器，其中，所述第三晶体管的控制极耦接第四晶体管的控制极、第五晶体管的第二极和所述第四电阻器的第一端，所述第三晶体管的第一极耦接所述第四晶体管的第一极和第一电压端，所述第三晶体管的第二极耦接所述第五晶体管的第一极；所述第四晶体管的第二极耦接所述第六晶体管的第一极；所述第五晶体管的控制极耦接所述第六晶体管的控制极、所述第四电阻器的第二端和所述第三节...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵佳姮，王虎，易新敏，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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