降低干扰电路及装置制造方法及图纸

技术编号:38029129 阅读:9 留言:0更新日期:2023-06-30 10:55
本实用新型专利技术公开了一种降低干扰电路及装置。在电源接入端口将电源提供的电流信号传输至整流模块时,整流模块将电流信号进行整流,并将获得的整流信号通过阻截模块传输至滤波模块;滤波模块对整流信号进行滤波,并将滤波后的信号传输至开关模块;开关模块在接收到触发信号时,将滤波后的信号传输至变压器。现有的整流模块虽已滤除了大部分干扰源,但是仍存在较大的反向恢复时间问题,干扰源依然可以通过整流模块传播到电源接入端口,对电网产生干扰,本实用新型专利技术在整流模块和滤波模块之间设置了阻截模块,从而将开关模块以及变压器产生的干扰信号滤除,能够有效阻挡干扰源的传播路径,从而降低了EMI传导干扰。从而降低了EMI传导干扰。从而降低了EMI传导干扰。

【技术实现步骤摘要】
降低干扰电路及装置


[0001]本技术涉及信号滤波
,尤其涉及一种降低干扰电路及装置。

技术介绍

[0002]对于精密电路而言,电路中的很多干扰信号会影响精密电路的运行。因此,在电源的输出过程中,通常会连接共模滤波器或者差模滤波器对输入或输出进行滤波,有效滤除特定频率或其他频率的干扰源,用以滤除干扰信号,使输出的直流更平滑,以获得纯直流电流,从而消除电路的干扰噪声,使精密电路平稳运行。
[0003]但是普通的整流桥堆存在反向恢复时间,电子开关以及变压器产生的干扰源仍然会通过电路反向传播到电网输出端,对电网产生EMI传导干扰。
[0004]上述内容仅用于辅助理解本技术的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。

技术实现思路

[0005]本技术的主要目的在于提供了一种降低干扰电路及装置,旨在解决现有技术如何降低电路中的EMI传导干扰的技术问题。
[0006]为实现上述目的,本技术提供了一种降低干扰电路,所述降低干扰电路包括:保护模块、整流模块、阻截模块、滤波模块和开关模块;
[0007]其中,所述阻截模块设置于所述整流模块和所述滤波模块之间;
[0008]所述保护模块的第一端与电源接入端口连接,所述保护模块的第二端与所述整流模块的输入端连接,所述阻截模块的第一端与所述整流模块的第一输出端连接,所述阻截模块的第二端与所述滤波模块的第一输入端连接,所述滤波模块的第二输入端与所述整流模块的第二输出端连接,所述滤波模块的第一输出端与变压器连接,所述滤波模块的第二输出端与所述开关模块的第一端连接,所述开关模块的第二端与所述变压器连接;
[0009]所述保护模块,用于对电流信号传输时进行保护;
[0010]所述整流模块,用于将所述电流信号进行整流,获得整流信号,并将所述整流信号通过所述阻截模块传输至所述滤波模块;
[0011]所述阻截模块,用于阻截所述开关模块及所述变压器产生的干扰信号;
[0012]所述滤波模块,用于对所述整流信号进行滤波,并将滤波后的信号传输至开关模块;
[0013]所述开关模块,用于在接收到触发信号时,将所述滤波后的信号传输至所述变压器。
[0014]可选地,所述阻截模块包括:肖特基二级管;
[0015]其中,所述肖特基二级管的阳极与所述整流模块的第一输出端连接,所述肖特基二级管的阴极与所述滤波模块的第一输入端连接。
[0016]可选地,所述阻截模块包括肖特基二级管、快恢复二极管或超快恢复二极管。
[0017]可选地,所述滤波模块包括第一电容、第二电容和第一电感;
[0018]其中,所述第一电容的第一端与所述肖特基二级管的阴极连接,所述第一电容的第二端与所述整流模块的第二输出端连接,所述第一电感的第一端与所述肖特基二级管的阴极连接,所述第一电感的第二端与所述变压器连接,所述第二电容的第一端与所述变压器连接,所述第二电容的第二端分别与所述第一电容的第二端和所述开关模块的第一端连接,且所述第二电容的第二端接地。
[0019]可选地,所述开关模块包括:MOS管;
[0020]其中,所述MOS管的源极与所述第二电容的第二端连接,所述MOS管的漏极与所述变压器连接,所述MOS管的栅极与预置触发端连接,所述预置触发端用于接收所述触发信号。
[0021]可选地,所述保护模块包括:分压单元和短路保护单元;
[0022]其中,所述短路保护单元的第一端与所述电源接入端口连接,所述短路保护单元的第二端与所述整流模块的第二输入端连接,所述分压单元的输入端与所述电源接入端口连接,所述分压单元的第一输出端与所述整流模块的第一输入端连接,所述分压单元的第二输出端与所述短路保护单元的第二端连接;
[0023]所述分压单元,用于在电源接入端口接入时,对所述电源提供的电流信号进行分压并传输至所述整流模块;
[0024]所述短路保护单元,用于在检测到短路信号时,断开与所述电源接入端口之间的连接。
[0025]可选地,所述分压单元包括:第一压敏电阻和第二压敏电阻;
[0026]其中,所述第一压敏电阻的第一端与所述电源接入端口连接,所述第一压敏电阻的第二端与所述整流模块的第一输入端连接,所述第二压敏电阻的第一端与所述第一压敏电阻的第二端连接,所述第二压敏电阻的第二端与所述短路保护单元的第二端连接;
[0027]所述短路保护单元包括:保险丝;
[0028]其中,所述保险丝的第一端与所述电源接入端口连接,所述保险丝的第二端与所述整流模块的第二输入端连接。
[0029]可选地,所述整流模块包括:第一至第四二极管;
[0030]所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阳极连接,所述第二二极管的阴极与所述第三二极管的阴极连接,所述第三二极管的阳极与所述第四二极管的阴极连接,所述第四二极管的阳极与所述第一二极管的阳极连接,所述第一二极管的阴极与所述第一压敏电阻的第二端连接,所述第二二极管的阴极与所述肖特基二级管的阳级连接,所述第四二极管的阳极与所述第一电容的第二端连接,所述第四二极管的阴极与所述保险丝的第二端连接。
[0031]可选地,所述降低干扰电路还包括:分压模块;
[0032]所述分压模块包括第一电阻和第二电阻;
[0033]所述第一电阻的第一端与所述肖特基二级管的阳极连接,所述第一电阻的第二端与所述肖特基二级管的阴极连接,所述第二电阻的第一端与所述肖特基二级管的阴极连接,所述第二电阻的第二端与所述第一电感的第二端连接。
[0034]此外,为实现上述目的,本技术还提出一种降低干扰装置,所述降低干扰装置
包括如上文所述的降低干扰电路。
[0035]本技术通过在电源接入端口将电源提供的电流信号传输至整流模块时;所述整流模块将所述电流信号进行整流,获得整流信号,并将所述整流信号通过所述阻截模块传输至所述滤波模块;所述阻截模块,用于阻截所述开关模块及所述变压器产生的干扰信号;所述滤波模块对所述整流信号进行滤波,并将滤波后的信号传输至开关模块;所述开关模块在接收到触发信号时,将所述滤波后的信号传输至所述变压器。现有的整流模块虽已滤除了大部分干扰源,但是仍存在较大的反向恢复时间问题,干扰源依然会沿滤波模块,整流模块及保护模块向电网传播,从而干扰电网,本技术在整流模块和滤波模块之间设置了阻截模块,从而将开关模块以及变压器产生的干扰信号滤除,能够有效阻挡干扰源的传播路径,从而降低了EMI传导干扰。
附图说明
[0036]图1为本技术降低干扰电路第一实施例的功能模块图;
[0037]图2为本技术降低干扰电路第二实施例的电路原理图;
[0038]图3为本技术降低干扰电路第三实施例的电路原理图。
[0039]附图标号说明:
[0040][0041]本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低干扰电路,其特征在于,所述降低干扰电路包括:保护模块、整流模块、阻截模块、滤波模块和开关模块;其中,所述阻截模块设置于所述整流模块和所述滤波模块之间;所述保护模块的第一端与电源接入端口连接,所述保护模块的第二端与所述整流模块的输入端连接,所述阻截模块的第一端与所述整流模块的第一输出端连接,所述阻截模块的第二端与所述滤波模块的第一输入端连接,所述滤波模块的第二输入端与所述整流模块的第二输出端连接,所述滤波模块的第一输出端与变压器连接,所述滤波模块的第二输出端与所述开关模块的第一端连接,所述开关模块的第二端与所述变压器连接;所述保护模块,用于对电流信号传输时进行保护;所述整流模块,用于将所述电流信号进行整流,获得整流信号,并将所述整流信号通过所述阻截模块传输至所述滤波模块;所述阻截模块,用于阻截所述开关模块及所述变压器产生的干扰信号;所述滤波模块,用于对所述整流信号进行滤波,并将滤波后的信号传输至开关模块;所述开关模块,用于在接收到触发信号时,将所述滤波后的信号传输至所述变压器。2.如权利要求1所述的降低干扰电路,其特征在于,所述阻截模块包括:肖特基二级管;其中,所述肖特基二级管的阳极与所述整流模块的第一输出端连接,所述肖特基二级管的阴极与所述滤波模块的第一输入端连接。3.如权利要求1所述的降低干扰电路,其特征在于,所述阻截模块包括肖特基二级管、快恢复二极管或超快恢复二极管。4.如权利要求2所述的降低干扰电路,其特征在于,所述滤波模块包括第一电容、第二电容和第一电感;其中,所述第一电容的第一端与所述肖特基二级管的阴极连接,所述第一电容的第二端与所述整流模块的第二输出端连接,所述第一电感的第一端与所述肖特基二级管的阴极连接,所述第一电感的第二端与所述变压器连接,所述第二电容的第一端与所述变压器连接,所述第二电容的第二端分别与所述第一电容的第二端和所述开关模块的第一端连接,且所述第二电容的第二端接地。5.如权利要求4所述的降低干扰电路,其特征在于,所述开关模块包括:MOS管;其中,所述MOS管的源极与所述第二电容的第二端连接,所述MOS管的漏极与所述变压器连接,所述MOS管的栅极与预置触发端连接,所述预置触发端用于接收所述触发信号。6.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘志成李波彭武龙
申请(专利权)人:通力科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1