挤出式绝缘管母线绝缘缺陷的诊断方法技术

本发明专利技术实施例提供一种挤出式绝缘管母线绝缘缺陷的诊断方法，属于电气安全技术领域。所述诊断方法包括：获取典型绝缘管母线缺陷模型的典型局放图谱，以及获取待测绝缘管母线的异常局放图谱；将所述待测绝缘管母线的异常局放图谱与所述典型局放图谱对比分析，确定所述绝缘管母线的缺陷类型。本发明专利技术针对挤出式绝缘管母线，提出一种绝缘缺陷的诊断方法，提前识别挤出式绝缘管母线运行过程中的绝缘风险，避免击穿事故的发生。免击穿事故的发生。免击穿事故的发生。

【技术实现步骤摘要】
挤出式绝缘管母线绝缘缺陷的诊断方法


[0001]本专利技术涉及电气安全
，具体地，涉及一种挤出式绝缘管母线绝缘缺陷的诊断方法。

技术介绍

[0002]全绝缘管型母线是一种密封全绝缘的导体，利用同轴电容的原理，以铜管作为导体，并在铜管外浇注绝缘材料的一种新型绝缘母线，不仅载流量大、机械强度高、结构紧凑，而且电气绝缘性能也较强。绝缘管型母线在石化企业的应用越来越广泛，但诸多问题也显现出来，存在产品种类和绝缘材料繁多、结构设计和生产工艺各异、产品质量和运行效果参差不齐等现象，在运行后逐步暴露出绝缘层断层、烧蚀、破损等各类隐患，这些隐患缺陷能诱发局部放电，长期承受局部放电的作用，将导致绝缘层加速老化，最终造成击穿引发停电事故，此类事故在电力系统已屡见不鲜。
[0003]如何快速检测出挤出式绝缘管母线的运行缺陷，是亟需解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例的目的是提供一种挤出式绝缘管母线绝缘缺陷的诊断方法，主要解决挤出式绝缘管母线绝缘缺陷的检测问题。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术实施例提供一种挤出式绝缘管母线绝缘缺陷的诊断方法，所述诊断方法包括：
[0006]获取典型绝缘管母线缺陷模型的典型局放图谱，以及获取待测绝缘管母线的异常局放图谱；
[0007]将所述待测绝缘管母线的异常局放图谱与所述典型局放图谱对比分析，确定所述绝缘管母线的缺陷类型。
[0008]所述获取典型绝缘管母线缺陷模型的典型局放图谱，包括：
[0009]对所述典型绝缘管母线缺陷模型施加相应的运行电压后，通过高频电流法和/或超声法和/或特高频电流法测试典型绝缘管母线缺陷模型得到典型绝缘管母线缺陷模型的典型局放图谱。
[0010]可选的，所述典型绝缘管母线缺陷模型包括绝缘层金属碎屑缺陷模型、绝缘层水分侵入缺陷模型、中间接头存在金属尖端的缺陷模型、中间接头包覆半导体层破损的缺陷模型、半导体层包覆不全的缺陷模型、半导电层凸起和分层的缺陷模型以及母线端部绝缘护套严重污秽的缺陷模型中的一种或多种缺陷模型。
[0011]可选的，所述待测绝缘管母线的异常局放图谱为对所述待测绝缘管母线进行局放带电检测得到的局放图谱。
[0012]可选的，所述将所述待测绝缘管母线的异常局放图谱与所述典型局放图谱对比分析，确定所述绝缘管母线的缺陷类型，包括：
[0013]确定所述待测绝缘管母线的异常局放图谱的图谱类型，根据所述图谱类型选定缺
陷模型；
[0014]将所述待测绝缘管母线的异常局放图谱与选定的缺陷模型中相应的典型局放图谱进行对比分析，确定所述绝缘管母线的缺陷类型。
[0015]可选的，若确定所述待测绝缘管母线的异常局放图谱的图谱类型为高频信号局放类型，则根据所述高频信号局放类型选定以下缺陷模型：绝缘层水分侵入缺陷模型、中间接头存在金属尖端的缺陷模型、中间接头包覆半导体层破损的缺陷模型；
[0016]则所述确定所述绝缘管母线的缺陷类型，包括：将所述待测绝缘管母线的异常局放图谱与选定的缺陷模型中相应的典型局放图谱进行对比分析，确认所述绝缘管母线的缺陷类型。
[0017]可选的，若确定所述待测绝缘管母线的异常局放图谱的图谱类型为超声信号局放类型，则根据所述超声信号局放类型选定以下缺陷模型：中间接头存在金属尖端的缺陷模型、绝缘层金属碎屑缺陷模型；
[0018]则所述确定所述绝缘管母线的缺陷类型，包括：将所述待测绝缘管母线的异常局放图谱与选定的缺陷模型中相应的典型局放图谱进行对比分析，确认所述绝缘管母线的缺陷类型。
[0019]可选的，若确定所述待测绝缘管母线的异常局放图谱的图谱类型为特高频局放信号类型，则根据所述特高频局放信号类型选定以下缺陷模型：母线端部绝缘护套严重污秽的缺陷模型；
[0020]则所述确定所述绝缘管母线的缺陷类型，包括：将所述待测绝缘管母线的异常局放图谱与选定的缺陷模型中相应的典型局放图谱进行对比分析，确认所述绝缘管母线的缺陷类型。
[0021]可选的，所述绝缘层金属碎屑缺陷模型采用高频电流法及超声法检测得到对应的典型局放图谱。
[0022]可选的，所述绝缘层水分侵入缺陷模型采用高频电流法及超声法检测得到对应的典型局放图谱。
[0023]可选的，所述中间接头存在金属尖端的缺陷模型采用高频电流法及超声法检测得到对应的典型局放图谱。
[0024]可选的，所述半导电层凸起和分层的缺陷模型采用高频电流法及超声法检测得到对应的典型局放图谱。
[0025]通过上述技术方案，将所述待测绝缘管母线的异常局放图谱与所述典型局放图谱对比分析，确定所述绝缘管母线的缺陷类型，可以有效的检测出绝缘管母线的缺陷类型。
[0026]本专利技术实施例的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
[0027]附图是用来提供对本专利技术实施方式的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术实施方式，但并不构成对本专利技术实施方式的限制。在附图中：
[0028]图1是本申请实施方式提供一种挤出式绝缘管母线绝缘缺陷的诊断方法示意图；
[0029]图2是申请实施方式提供又一种挤出式绝缘管母线绝缘缺陷的诊断方法示意图；
[0030]图3是申请实施方式提供母线端部绝缘护套严重污秽的缺陷模型对应的特高频局放信号产生的图谱；
[0031]图4是申请实施方式提供母线端部绝缘护套严重污秽的缺陷模型对应的超声信号图谱。
具体实施方式
[0032]以下结合附图对本专利技术实施例的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术实施例，并不用于限制本专利技术实施例。
[0033]如图1所示，本专利技术提供一种挤出式绝缘管母线绝缘缺陷的诊断方法，所述诊断方法包括：获取典型绝缘管母线缺陷模型的典型局放图谱，以及获取待测绝缘管母线的异常局放图谱；将所述待测绝缘管母线的异常局放图谱与所述典型局放图谱对比分析，确定所述绝缘管母线的缺陷类型。
[0034]高压电气设备如绝缘管母线，发生局放后，采用特定的检测方法，在检测设备如局放检测仪上会出现不同的图形，称之为局放图谱。在典型绝缘管母线缺陷模型上开展局放测试，获得典型局放图谱，再进行待测绝缘管母线现场试验；试验得到局放图谱包括特高频图谱、超声图谱和高频图谱中的一种或多种。本实施例可以通过人工对比发现较强烈局部放电信号的局放图谱，也即是异常局放图谱，然后通过异常局放图谱与典型局放图谱对比的得出绝缘管母线绝缘状况的检测结论。
[0035]可选的，所述获取典型绝缘管母线缺陷模型的典型局放图谱，包括：
[0036]对所述典型绝缘管母线缺陷模型施加相应的运行电压后，通过特定的检测方法测试典型绝缘管母线缺陷模型得到典型绝缘管母线缺陷模型的典型局放图谱，特定的检测方法包括高频(3MHz～30MHz)电流法和/或超声法和/或特高频(300MHz～3000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种挤出式绝缘管母线绝缘缺陷的诊断方法，其特征在于，所述诊断方法包括：获取典型绝缘管母线缺陷模型的典型局放图谱，以及获取待测绝缘管母线的异常局放图谱；将所述待测绝缘管母线的异常局放图谱与所述典型局放图谱对比分析，确定所述绝缘管母线的缺陷类型。2.根据权利要求1所述的诊断方法，其特征在于，所述获取典型绝缘管母线缺陷模型的典型局放图谱，包括：对所述典型绝缘管母线缺陷模型施加相应的运行电压后，通过高频电流法和/或超声法和/或特高频电流法测试典型绝缘管母线缺陷模型得到典型绝缘管母线缺陷模型的典型局放图谱。3.根据权利要求2所述的诊断方法，其特征在于，所述典型绝缘管母线缺陷模型包括绝缘层金属碎屑缺陷模型、绝缘层水分侵入缺陷模型、中间接头存在金属尖端的缺陷模型、中间接头包覆半导体层破损的缺陷模型、半导体层包覆不全的缺陷模型、半导电层凸起和分层的缺陷模型以及母线端部绝缘护套严重污秽的缺陷模型中的一种或多种缺陷模型。4.根据权利要求1所述的诊断方法，其特征在于，所述待测绝缘管母线的异常局放图谱为对所述待测绝缘管母线进行局放带电检测得到的局放图谱。5.根据权利要求1所述的诊断方法，其特征在于，所述将待测绝缘管母线的异常局放图谱与所述典型局放图谱对比分析，确定所述绝缘管母线的缺陷类型，包括：确定所述待测绝缘管母线的异常局放图谱的图谱类型，根据所述图谱类型选定缺陷模型；将所述待测绝缘管母线的异常局放图谱与选定的缺陷模型中相应的典型局放图谱进行对比分析，确定所述绝缘管母线的缺陷类型...

【专利技术属性】
技术研发人员：李义鹏，胡海燕，肖睿，张云朋，李艳山，马梦白，
申请(专利权)人：中石化安全工程研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：