微影方法技术

本发明专利技术公开一种微影方法，其包含有使用一透明光罩保持容器收纳一包含一电路图案的光罩，将上述透明光罩保持容器移入一微影设备中，令上述微影设备产生一特定波长的辐射光束穿入上述透明光罩保持容器投射于上述光罩的电路图案上，以及使通过上述光罩的辐射光束穿出上述透明光罩保持容器将电路图案投影转印至一晶圆的表面，而完成光罩的电路图案转印至晶圆表面的微影制程，以此，让光罩能在被保护于透明光罩保持容器内部时进行微影制程，而提高对光罩的保护，以降低微影制程中因提取光罩所造成的意外污染。所造成的意外污染。所造成的意外污染。

【技术实现步骤摘要】
微影方法


[0001]本专利技术隶属一种微影制程的
，具体而言为一种透微影方法，以此使光罩能在被保护的状态下进入微影制程中，以减少光罩表面在微影制程中被污染的机会，能够提高半导体制程合格率。

技术介绍

[0002]电子产品不断朝向轻薄短小、高频、高效能等特性发展，使得用于电子产品中的核心半导体元件就需微小化与具有高效能，因此现有半导体元件的电路图案线径已由早期的微米级发展至纳米级。而依据目前的半导体元件制造技术，半导体元件的电路图案是通过微影[Lithography]制程将电路图案转印至晶圆的表面，具体而言是利用特定波长的光源投射通过光罩[Photomask]的方式，将电路图案转印至晶圆的表面。为了实现在单位面积上倍增半导体元件的数目，缩小半导体电路的线宽为其主要的技术方案，目前以波长193纳米的深紫外光[DUV]及波长13.5纳米的极紫外光[EUV]做为微影制程的曝光光源，其中深紫外光[DUV]最大的物理极限是10nm的线宽，若要实现7nm以下的线宽则非使用极紫外光[EUV]不可。
[0003]然而在制程中又会因制程材料、或制程气体、或因零件微粒与油污的剥落，又或因环境中存在的微粒或气体游离分子等污染物经积聚或化学变化后，在晶圆/光罩储存及运输期间产生微粒或雾霾等缺陷，因此，光罩在运送过程以及保存期间，都必须放置于一高洁净度、气密性佳、低气体逸出与抗静电防护性高的载具内，防止光罩受到污染，确保光罩的洁净度与提高制程合格率。
[0004]受到前述半导体元件微细化的影响，在半导体元件的制造过程中，用于转印电路图案的光罩如有缺陷[或污染]时会造成晶圆表面的电路图案的扭曲或变形。已知造成光罩缺陷的原因之一在于光罩的表面受到污染，例如其会因制程材料、或制程气体、或因零件微粒与油污的剥落，又或因环境中存在的微粒或气体游离分子等污染物经积聚或化学变化后，在光罩表面产生微粒或雾霾等缺陷，而为了维持光罩在制程使用期间的质量，一般光罩在储存或传送过程中会收纳于一光罩保持容器[Reticle SMIF Pod,RSP]内，现有光罩保持容器包含一基座与一盖体，该盖体与基座相对盖合时，两者之间可形成一用以容纳一光罩的内腔，且通过设于基座与盖体内的夹持件使光罩可被选择性限制于内腔，可以减少因碰撞、摩擦或与外部制程气体反应等产生微粒污染影响光罩表面的洁净度。
[0005]然而在进行微影制程或光罩表面检测时，仍需打开盖体，以提取置于基座上的光罩，此时微粒或部分污染物会附着于光罩表面，甚至重复的启闭动作也容易因磨擦或不当碰撞产生微粒或静电，大幅增加了光罩受污染的几率，进而缩短光罩回厂整修的间隔时间，并增加光罩清洗的次数，从而缩短光罩的电路图案寿命，大幅的降低其生产效率，故需增加同一布局的光罩备用量，如此将增加整体制程成本，而随着微影制程技术越来越精细、且高成本，因此对于光罩的保护需求也越来越高。
[0006]换言的，由于在半导体元件在转印电路图案的现有微影制程中，光罩会因制程材
料、微粒或气体游离分子在经积聚或化学变化后，于光罩表面附着或产生不同缺陷，因此如何解决前述问题，为业界所期待。
[0007]有鉴于上述缺失弊端，本专利技术针对以上不良处加以研究改良，经不断努力的试作，终于成功开发一种微影方法，以此克服光罩在使用中易受污染所造成的困扰与不便。

技术实现思路

[0008]因此，本专利技术的主要目的为在提供一种微影方法，以此让微影设备的特定波长的光束可穿入光罩保持容器内，且经光罩的电路图案后穿出该光保持容器，让特定波长的光束投射通过光罩而将电路图案转印至晶圆的表面，以完成相对应的微影制程。
[0009]又，本专利技术的次一主要目的为在提供一种微影方法，其能让光罩在不需由光罩保持容器中取出下完成微影制程，使得光罩在微影制程中仍能获得保护，以减少光罩表面产生缺陷的几率，可以提升其制程合格率，并降低制程成本。
[0010]基于此，本专利技术主要通过下列的技术手段来具体实现前述的目的与效能；其包含有使用一透明光罩保持容器收纳一包含一电路图案的光罩、将上述透明光罩保持容器移入一微影设备中、令上述微影设备产生一特定波长的辐射光束穿入上述透明光罩保持容器投射于上述光罩的电路图案上，以及使通过上述光罩的辐射光束穿出上述透明光罩保持容器将电路图案投影转印至一晶圆的表面。
[0011]以此，本专利技术的微影方法利用该透明光罩保持容器可以使微影设备的特定波长的辐射光束通过的特殊设计，使得光罩收纳于光罩保持容器内时，该辐射光束能投射通过光罩将电路图案转印至晶圆的表面，让光罩在微影制程使用过程中仍能获得保护，以减少光罩表面产生缺陷的几率，如此能通过减少光罩提取机会，而提高对于光罩的保护需求，以降低因提取光罩所造成的意外污染，其将有助于产业的利用性与实用性。
[0012]且本专利技术并利用下列的技术手段，进一步实现前述的目的及功效；诸如：
[0013]所述的透明光罩保持容器具有与该光罩平行的一第一透明板面及一第二透明板面，又该第一、二透明板面的透光范围大于或等于该光罩的电路图案范围，且该第一、二透明板面的透光率可大于或等于90％。
[0014]所述的透明光罩保持容器是由可相对盖合的一基座及一盖体所构成，而该第一、二透明板面以平行方式分设于该基座与该盖体的相对位置。
[0015]所述的透明光罩保持容器的基座与盖体除了该第一、二透明板面外的材质可选自塑胶。
[0016]所述的透明光罩保持容器的基座与盖体除了该第一、二透明板面外的材质可选自金属。
[0017]所述的第一、二透明板面可以选自纯度大于或等于99.995％以上的石英玻璃。
[0018]所述的光罩选自电路图案为形成于表面具反射层者，当该辐射光束由第一透明板面或第二透明板面穿入该透明光罩保持容器投射该光罩后，该辐射光束可以经反射由同穿一穿入的第一透明板面或第二透明板面再次穿出，使上述的辐射光束将光罩的电路图案投影转印于一晶圆的表面。
[0019]为能进一步了解本专利技术的构成、特征及其他目的，以下举本专利技术的较佳实施例，并配合图式详细说明如下，同时让熟悉该项
者能够具体实施。
附图说明
[0020]图1为本专利技术的微影方法的流程示意图。
[0021]图2为本专利技术的微影方法于实际使用时的架构示意图。
[0022]图3为本专利技术的微影方法中使用的光罩保持容器较佳实施例的外观示意图。
[0023]图4为本专利技术的微影方法中使用的光罩保持容器较佳实施例的分解外观示意图。
[0024]图5为本专利技术的微影方法中使用的光罩保持容器较佳实施例于盖合时的俯视平面示意图。
[0025]图6为本专利技术的微影方法另一实施例的流程示意图。
[0026]附图标记说明：S11
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使用一透明光罩保持容器收纳一包含一电路图案的光罩；S12
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将上述透明光罩保持容器移入一微影设备中；S13
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令上述微影设备产生一特定波长的辐射光束穿入上述透明光罩保持容器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微影方法，其特征在于，包含有使用一透明光罩保持容器收纳一包含一电路图案的光罩、将上述透明光罩保持容器移入一微影设备中、令上述微影设备产生一特定波长的辐射光束穿入上述透明光罩保持容器投射于上述光罩的电路图案上，以及使通过上述光罩的辐射光束穿出上述透明光罩保持容器将电路图案投影转印至一晶圆的表面。2.根据权利要求1所述的微影方法，其特征在于，该透明光罩保持容器具有与该光罩平行的一第一透明板面及一第二透明板面，又该第一透明板面与该第二透明板面的透光范围大于或等于该光罩的电路图案范围，且该第一透明板面与该第二透明板面的透光率大于或等于90％。3.根据权利要求2所述的微影方法，其特征在于，该透明光罩保持容器是由可相对盖合的一基座及一盖体所构成，而该第一透明板面与该第二透明板面以平行方式分设于该基座与该盖体...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈啓仲，
申请(专利权)人：陈啓仲，
类型：发明
国别省市：