极紫外掩模、使用极紫外掩模的方法以及图案化方法技术

本公开涉及极紫外掩模、使用极紫外掩模的方法以及图案化方法。极紫外(EUV)掩模包括衬底、位于衬底上的反射多层堆叠、以及位于反射多层堆叠上的单层或多层帽盖特征。帽盖特征包括一个或多个帽盖层，该一个或多个帽盖层包括具有非晶结构的材料。其他描述的实施例包括(一个或多个)帽盖层，该(一个或多个)帽盖层包含具有小于约3的第一固态碳溶解度的(一种或多种)元素。在多层帽盖特征实施例中，各个帽盖层的(一种或多种)元素具有不同的固态碳溶解度特性。度特性。度特性。

【技术实现步骤摘要】
极紫外掩模、使用极紫外掩模的方法以及图案化方法


[0001]本公开总体涉及半导体
，更具体地涉及极紫外掩模、使用极紫外掩模的方法以及图案化方法。

技术介绍

[0002]半导体工业经历了指数式增长。材料和设计方面的技术进步产生了多代集成电路(IC)，其中，每代均具有比上一代更小、更复杂的电路。在IC演进的过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)通常增大，同时几何尺寸(即，可以使用制造工艺产生的最小组件或线)减小。这种缩小工艺通常提供提高生产效率和降低相关联的成本的益处。
[0003]光刻可用于在半导体晶片上形成组件或线。光刻技术的一个示例利用了极紫外(EUV)能量和EUV掩模的图案化吸收层。

技术实现思路

[0004]根据本公开的一个实施例，提供了一种极紫外(EUV)掩模，包括：衬底；位于所述衬底上的反射多层堆叠；位于所述反射多层堆叠上的帽盖特征，所述帽盖特征包括第一帽盖层，所述第一帽盖层包括具有非晶结构的材料；以及位于所述帽盖特征上的图案化吸收层。
[0005]根据本公开的另一实施例，提供了一种使本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种极紫外(EUV)掩模，包括：衬底；位于所述衬底上的反射多层堆叠；位于所述反射多层堆叠上的帽盖特征，所述帽盖特征包括第一帽盖层，所述第一帽盖层包括具有非晶结构的材料；以及位于所述帽盖特征上的图案化吸收层。2.根据权利要求1所述的EUV掩模，其中，所述非晶结构包括具有小于5纳米的晶粒尺寸的纳米晶体结构。3.根据权利要求1所述的EUV掩模，其中，所述非晶结构包括具有小于2纳米的晶粒尺寸的纳米晶体结构。4.根据权利要求1所述的EUV掩模，其中，所述帽盖特征还包括第二帽盖层，所述第二帽盖层包括具有非晶结构的材料，所述第二帽盖层的材料与所述第一帽盖层的材料不同。5.根据权利要求4所述的EUV掩模，其中，所述第一帽盖层的材料包括的元素针对波长为13.5nm的EUV辐射的EUV消光系数与所述第二帽盖层的材料的元素针对波长为13.5nm的EUV辐射的EUV消光系数不同。6.根据权利要求5所述的EUV掩模，其中，所述第一帽盖层的材料的元素针对波长为13.5nm的EUV辐射的EUV消光系数处于0至0.1之间。7.根据权利要求5所述的EUV掩模，其中，所述第二帽盖层的材料的元素针对波长为13.5nm的EUV辐射的EUV消光系数处于0至0.1之间。8.根据权利要求4所述的EUV掩模，其中，所述第一帽盖层的材料包括以下元素：所述元素在包含所述元素和碳的系统的共晶点处，具有小于3原子...

【专利技术属性】
技术研发人员：李信昌，许倍诚，李伟豪，林秉勋，连大成，余青芳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：