【技术实现步骤摘要】
磁浮式低温流体密度测量装置
[0001]本专利技术涉及的是一种密度检测领域的技术,具体是一种适用于80
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350K,0
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15MPa,20
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2000kg/m3的磁浮式低温流体密度测量装置。
技术介绍
[0002]精确测量低温流体的密度仍然存在诸多问题,其中最关键的有二。其一,低温密度测量需要实现样品从低温到室温的宽范围精确控温,大温差下必须保证极小漏热从而避免气液相变,控温精确,与常温存在显著区别。其二,存放被测流体样本的固体容器在低温下热收缩效应明显,常规的称量法无法保证液体体积(容器容积)测量的准确性。
技术实现思路
[0003]本专利技术针对现有技术存在的上述不足,提出一种磁浮式低温流体密度测量装置,采用无磁性样品腔搭配磁浮方法进行低温流体密度测量,解决了常规密度测量方法无法解决的低温、高压问题,具有快速降温,长效保温,精准控温的优点,满足密度测量对温度压力的稳定要求。本专利技术提出的减震结构,能够满足密度测量对机械结构的稳定要求。具有良好的拓展性。
[0004]本专利技术是通过以下技术方案实现的:
[0005]本专利技术涉及一种磁浮式低温流体密度测量装置,包括:真空屏蔽腔以及由外而内依次套设于其内部的冷却屏、中间腔和样品腔,其中:样品腔内部从上至下设置有永磁铁、浮子支架、浮子、位移传感器;样品腔外部为同一真空环境的中间腔,该中间腔为半开结构且与真空屏蔽腔连通;真空屏蔽腔外部位于样品腔的正上方,从下至上依次设有电磁铁和精密天 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种磁浮式低温流体密度测量装置,其特征在于,包括:真空屏蔽腔以及由外而内依次套设于其内部的冷却屏、中间腔和样品腔,其中:样品腔内部从上至下设置有永磁铁、浮子支架、浮子、位移传感器;样品腔外部为同一真空环境的中间腔,该中间腔为半开结构且与真空屏蔽腔连通;真空屏蔽腔外部位于样品腔的正上方,从下至上依次设有电磁铁和精密天平,待测流体承装在样品腔中。2.根据权利要求1所述的磁浮式低温流体密度测量装置,其特征是,所述的冷却屏上设有加热装置,用于控制冷却屏温度。3.根据权利要求1所述的磁浮式低温流体密度测量装置,其特征是,所述的冷却屏包裹在中间腔外部,中间腔和样品腔之间为真空环境。4.根据权利要求1所述的磁浮式低温流体密度测量装置,其特征是,所述的样品腔外部设有电加热器,用于控制腔体温度。5.根据权利要求1所述的磁浮式低温流体密度测量装置,其特征是,所述的浮子和浮子支架,整体都由硅材料构成,不具备磁性。6.根据权利要求1所述的磁浮式低温流体密度测量装置,其特征是,所述的浮子为类球形结构且表面经抛光处理,浮子与浮子支架的尺寸相适配,以保证称量过程中,浮子的重力、浮力不会与浮子支架作用产生其他方向的分力,降低了力的传递的误差,确保了称量的准确性。7.根据权利要求1所述的磁浮式低温流体密度测量装置,其特征是,所述的缓冲罐由铍铜合金制成,用于和样品腔连通;所述的真空屏蔽腔、样品腔的腔体采用铍铜材料制作以维持真空度5Pa,耐压15MPa,耐低温77K
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350K。8.一种基于权利要求1
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7中任一所述磁浮式低温流体密度测量装置的密度测量方法,其特征在于,首先对缓冲罐进行充注,待流体浸没样品腔后控制外部压力源降压,并加热样品腔,利用低温流体沸点低的特性使之气化逸出,达到清洗的目的;清洗2
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3次后,装样降温进行测量;测量结束后,通过降压、加热的方式除去样品腔内残留的低温流体。9.根据权利要求8所述的密度测量方法,其特征是,具体包括:标定过程和测量过程,其中:标定过程包括:步骤1)测量环境抽真空:首先对真空屏蔽腔进行抽真空,依次打开阀门且其他阀门关闭,通过阀门连接真空泵进行抽气,将天平罩、进样管和真空屏蔽腔都抽至真空环境5Pa以下;最后关闭阀门,维持真空屏蔽腔内和管路的真空度;步骤2)标定浮子体系质量:当样品腔处于真空状态下,初始时刻t
00
,天平示数为电磁铁及其附属物的视重W
00
;空载时刻t
01
,电磁铁通电达到某一功率,永磁铁在电磁铁的作用下向上拉起浮子支架,二者共同悬浮于待测流体中,天平示数为电磁铁及其附属物、永磁铁、浮子支架三者视重之和W
01
;满载时刻t
02
,电磁铁通电使得永磁铁在电磁铁的作用下继续向上,带动浮子支架和浮子三者共同悬浮于待测流体中,天平示数为电磁铁及其附属物、永磁铁、浮子支架、浮子四者视重之和W
02
,从而得到浮子质量其中:浮子视重W
01
‑
W
023
、浮子质量m、当地重力加速度g;步骤3)装填已知参考流体或样品:打开进样阀门,填充样品;样品进入后,清洗、填充样
品腔;关闭进样阀门,从出样阀门排出样品;重复该过程2
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3次后,正式装入样品,进行控温控压;步骤4)控温...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄永华,孙佳东,杨逸伦,刘伟,
申请(专利权)人:上海交通大学,
类型:发明
国别省市:
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