一种纳米级Co2C/PTFE复合光热材料的制备及其应用制造技术

技术编号:38005298 阅读:27 留言:0更新日期:2023-06-30 10:20
本发明专利技术属于纳米材料制备领域,具体涉及一种纳米级Co2C/PTFE复合光热材料的制备及其应用。本发明专利技术方法简单,条件温和,以钴基普鲁士蓝类似物(Co

【技术实现步骤摘要】
一种纳米级Co2C/PTFE复合光热材料的制备及其应用


[0001]本专利技术属于纳米材料制备领域,具体涉及一种碳化钴纳米颗粒负载聚四氟乙烯薄膜材料及其制备方法和光热水蒸发应用。

技术介绍

[0002]公开该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解,而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
[0003]过渡金属碳化物(TMC)是一类由过渡金属元素和碳元素构成的间隙性合金,可以简单理解为把碳原子周期性地插入填充到过渡金属的原子晶格里面导致金属晶格发生膨胀,金属原子间距随之变化,从而影响金属原子的d带电子分布。由于碳原子的引入,TMC的电子特性可以通过合金化碳的s和p轨道与主体金属的d轨道之间的杂化来调节,从而使得TMC表现出与铂族贵金属类似的表面性质。早在1973年,Levy等人发现碳化钨在催化方面表现出与贵金属Pt相似的催化行为。随后,WC及其临近族属的TMCs材料相继走进大众视野。目前,归因为独特的电子结构和表面特性,一些常见的过渡金属碳化物,如Mo2C,Ti3C2,N本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米级Co2C/PTFE复合光热材料的制备方法,其特征在于,包括:以钴基普鲁士蓝类似物Co

PBA为前驱体,在CO2/H2的混合还原性气氛中于230

330℃下碳化5

15h,得到纳米级碳化钴颗粒;将所述纳米级碳化钴颗粒分散在溶剂中,形成纳米级碳化钴颗粒悬液;将所述纳米级碳化钴颗粒悬液抽滤到聚四氟乙烯PTFE薄膜上,得到Co2C/PTFE薄膜复合材料;其中,H2和CO2的体积比为1:1~1.5;碳化焙烧的温度为230

330℃,时间为5

15h。2.如权利要求1所述的纳米级Co2C/PTFE复合光热材料的制备方法,其特征在于,所述分散采用超声波分散,处理时间为1

5h。3.如权利要求1所述的纳米级Co2C/PTFE复合光热材料的制备方法,其特征在于,所述纳米级碳化钴颗粒悬液浓度为0.1

1.0mg/ml。4.如权利要求1所述的纳米级Co2C/PTFE复合光热材料的制备方法,其特征在于,所述抽滤的时间为5

60min。5.如权利要求1所述的纳米级Co2C/PTFE复合光热材料的制备方法,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:王凤龙杨正义赵婷婷郝书研
申请(专利权)人:山东大学深圳研究院
类型:发明
国别省市:

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