【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光半导体装置
[0001]本申请涉及光半导体装置。
技术介绍
[0002]以往的光半导体装置为了削减消耗电力而采用了在发光元件与接地(GND)之间加入电容器的构造。在该情况下,为了防止电荷的充电,而与电容器并联地连接有保护电阻(例如参照专利文献1)。
[0003]专利文献1:日本特开2012
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88348号公报(段落0010、图1)
[0004]然而,为了采用该结构而需要用于在次安装基板设置保护电阻的面积,因此存在难以在确保设置保护电阻的面积的同时实施次安装基板的小型化的问题。
技术实现思路
[0005]本申请公开用于解决上述那样的课题,目的在于提供具备在设置保护电阻的同时进行了小型化的次安装基板的光半导体装置。
[0006]本申请所公开的光半导体装置的特征在于,具备:基板,在表面设置有第一GND图案、第一导电图案及第二导电图案,在背面设置有第二GND图案;发光元件,接合于上述第一GND图案的表面;电容器,背面接合于上述第二导电图案的表面,表面经由第一引线与上述发光元 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光半导体装置,其特征在于,具备:基板,在表面设置有第一GND图案、第一导电图案及第二导电图案,在背面设置有第二GND图案;发光元件,接合于所述第一GND图案的表面;电容器,背面接合于所述第二导电图案的表面,表面经由第一引线与所述发光元件的表面电极连接;第一电阻,连接所述第二导电图案与所述第一GND图案;以及第二电阻,在板厚方向上经由所述基板将所述第二GND图案和经由第二引线与所述发光元件的表面电极连接的所述第一导电图案连接起来。2.根据权利要求1所述的光半导体装置,其特征在于,所述第二电阻贯通所述基板来连接。3.根据权利要求2所述的光半导体装置,其特征在于,所述第二电阻由填充于设置于所述基板的孔的电阻体形成。4.根据权利要求2所述的光半导体装置,其特征在于,所述第二电阻由涂覆于设置于所述基板的孔的侧...
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