发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于衬底上的形核层、本征GaN层、N型GaN层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；第一多量子阱层为周期性结构，周期数为2~15，每个周期均包括依次层叠的量子阱层和量子垒层；第二多量子阱层包括依次层叠于第一多量子阱层上的末阱层和末垒层；末垒层包括依次层叠于末阱层上的BInGaN层、图形化SiO2层和BGaN层。实施本发明专利技术，可提升发光二极管的发光效率。可提升发光二极管的发光效率。可提升发光二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管


[0001]本专利技术涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管。

技术介绍

[0002]GaN基发光二极管的外延片中，一般采用InGaN/GaN或InGaN/AlGaN的周期性结构作为多量子阱层。然而专利技术人发现，传统的多量子阱层，最后一个势垒层（即末垒）与电子阻挡层由于其晶格的不匹配和能阶的突变，导致界面处的能带弯曲严重，从而导带的有效势垒高度下降，价带处有效势垒升高，导致更容易产生电子溢流现象影响发光效率，并且为空穴进入多量子阱层产生阻碍，这导致对发光效率影响很大。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管外延片及其制备方法，其可提升发光二极管的发光效率。
[0004]本专利技术还要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管，其发光效率高。
[0005]为了解决上述问题，本专利技术公开了一种发光二极管外延片，其包括衬底和依次设于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型GaN层、第一多量子阱层、第二多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底和依次设于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型GaN层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述第一多量子阱层为周期性结构，周期数为2~15，每个周期均包括依次层叠的量子阱层和量子垒层；所述第二多量子阱层包括依次层叠于所述第一多量子阱层上的末阱层和末垒层；所述末垒层包括依次层叠于所述末阱层上的BInGaN层、图形化SiO2层和BGaN层。2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述BInGaN层中B组分占比为0~0.5，In组分占比为0~0.4，其厚度为1nm~10nm；所述BGaN层中B组分占比为0.2~0.5，其厚度为5nm~50nm。3.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，沿外延片生长方向，所述BInGaN层中B组分占比由0递增至0.2~0.4，In组分由0.1~0.3递减至0。4.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述图形化SiO2层设有多个阵列分布的SiO2岛，其高度为2nm~50nm，宽度为100nm~500nm，分布密度为1
×
106个/cm2~1
×
108个/cm2。5.如权利要求1~4任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述末垒层还包括减反层，其设于所述图形化SiO2层和所述BGaN层之间；所述减反层为Al层和/或Ag层，所述减反层的厚度为5nm~30nm。6.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述量子阱层为In
x
Ga1‑
x
N层，所述量子垒...

【专利技术属性】
技术研发人员：张彩霞，印从飞，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：