杂环化合物以及包括其的有机发光元件制造技术

本说明书涉及一种由化学式1表示的杂环化合物以及包括其的有机发光元件。合物以及包括其的有机发光元件。合物以及包括其的有机发光元件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】杂环化合物以及包括其的有机发光元件


[0001]本申请案主张于2020年10月8日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请案第10
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2020
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0130104号的优先权及权益，所述韩国专利申请案的全部内容并入本案供参考。
[0002]本说明书涉及一种杂环化合物以及包括其的有机发光元件。

技术介绍

[0003]有机电致发光元件为一种自发光显示元件，且具有视角宽、及响应速度快以及对比度优异的优点。
[0004]有机发光元件具有在两个电极之间设置有机薄膜的结构。当向具有此种结构的有机发光元件施加电压时，自所述两个电极注入的电子及空穴在有机薄膜中结合成对，且当该些电子及空穴湮灭时发光。有机薄膜可根据需要形成单层或多层。
[0005]有机薄膜的材料可根据需要具有发光功能。例如，作为有机薄膜的材料，可使用能够自身单独形成发光层的化合物，或者亦可使用能够发挥基于主体
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掺杂剂的发光层的主体或掺杂剂的作用的化合物。除此之外，能够发挥空穴注入、空穴传输、电子阻挡、空穴阻挡、电子传输、电子注入等作用的化合物亦可用作有机薄膜的材料。
[0006]为增强有机发光元件的效能、寿命或效率，一直需要开发有机薄膜材料。
[0007]需要对有机发光元件进行研究，所述有机发光元件包含能够满足可用于有机发光元件中的材料所需条件(例如，满足适当的能级、电化学稳定性、热稳定性等)的化合物，并且具有能够依据取代基执行有机发光元件中所需的各种作用的化学结构。
[0008]现有技术文献
[0009]专利文献
[0010]美国专利第4,356,429号

技术实现思路

[0011]技术问题
[0012]本申请案是有关于杂环化合物以及包括其的有机发光元件。
[0013]技术解决方案
[0014]本申请案的一个实施例提供一种由以下化学式1表示的杂环化合物。
[0015][化学式1][0016][0017]在化学式1中，
[0018]R1与R2彼此相同或不同，并且各自独立地选自由氢；氘；卤素；氰基；经取代或未经
取代的C1至C60烷基；经取代或未经取代的C2至C60烯基；经取代或未经取代的C2至C60炔基；经取代或未经取代的C1至C60烷氧基；经取代或未经取代的C3至C60环烷基；经取代或未经取代的C2至C60杂环烷基；经取代或未经取代的C6至C60芳基；经取代或未经取代的C2至C60杂芳基；
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P(＝O)RR'；及
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SiRR'R”组成的群组，或者二或更多个彼此相邻的基团彼此键结以形成经取代或未经取代的C6至C60脂族或芳族烃环或经取代或未经取代的C2至C60脂族或芳族杂环，
[0019]N
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het为经取代或未经取代的单环或多环C2至C60杂环基，并且包含一或多个N，
[0020]X为O；或者S，
[0021]L1至L3彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键；经取代或未经取代的C6至C60亚芳基；或者经取代或未经取代的C2至C60亚杂芳基，
[0022]Ar1与Ar2彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的C1至C60烷基；经取代或未经取代的C2至C60烯基；经取代或未经取代的C2至C60炔基；经取代或未经取代的C1至C60烷氧基；经取代或未经取代的C3至C60环烷基；经取代或未经取代的C2至C60杂环烷基；经取代或未经取代的C6至C60芳基；经取代或未经取代的C2至C60杂芳基；
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NR201R202；
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P(＝O)RR'；或者
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SiRR'R”，
[0023]a至c为0至4的整数，
[0024]m及n为0至3的整数，
[0025]当a至c、m及n为2或大于2时，括弧中的取代基彼此相同或不同，且
[0026]R201、R202、R、R'及R”彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的C1至C60烷基；经取代或未经取代的C6至C60芳基；或者经取代或未经取代的C2至C60杂芳基。
[0027]此外，本申请案的一个实施例提供一种有机发光元件，所述有机发光元件包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极相对设置；以及一或多个有机材料层，设置于所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述有机材料层中的一或多个层包含一或多种类型的由化学式1表示的所述杂环化合物。
[0028]有利效果
[0029]在本说明书中描述的化合物可用作有机发光元件的有机材料层的材料。所述化合物能够在有机发光元件中执行空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、电子注入材料、电子阻挡材料、空穴阻挡材料等的作用。具体而言，所述化合物可用作有机发光元件的发光材料。
[0030]本公开的杂环化合物是使用二苯并呋喃或二苯并噻吩的核心结构的化合物，并且通过二苯并呋喃或二苯并噻吩的一侧苯环的3号位置被由N
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het表示的杂环基取代、并且另一侧苯环被胺系取代基取代，获得了作为双极主体的优异性质。
[0031]具体而言，当根据本申请案的杂环化合物的核心结构被胺取代时，胺基的杂原子增强空穴传输基团的空穴注入能力，此增加效率及寿命。
附图说明
[0032]图1至图3是各自示意性示出根据本申请案的一个实施例的有机发光元件的叠层结构的图式。
[0033][符号说明][0034]100:基板
[0035]200:阳极
[0036]300:有机材料层
[0037]301:空穴注入层
[0038]302:空穴传输层
[0039]303:发光层
[0040]304:空穴阻挡层
[0041]305:电子传输层
[0042]306:电子注入层
[0043]400:阴极
具体实施方式
[0044]在下文中，将详细描述本申请案。
[0045]在本说明书中，“在化学式或化合物结构中未指明取代基的情况”是指氢原子与碳原子键结。然而，由于氘(2H)是氢的同位素，因此一些氢原子可为氘。
[0046]在本申请案的一个实施例中，“在化学式或化合物结构中未指明取代基的情况”可指可作为取代基的位置可全部为氢或氘。换言之，由于氘是氢的同位素，因此一些氢原子可为作为同位素的氘，并且在本文中，氘的含量可为0％至100％。
[0047]在本申请案的一个实施例中，在“在化学式或化合物结构中未指明取代基的情况”下，当未明确排除氘(例如，氘含量为0％或氢含量为100％)时，氢与氘可混合在化合物中。换言之，不同于氢含量为100％或氘含量为0％，“取代基X为氢”此表达不排除氘，且因此，可指氢与氘混合的状态。
[0048]在本申请案的一个实施例中，氘是氢的同位素中的一者，是具有以一个质子及一个中子形成的氘核作为核的元素，并且可表示为氢
‑<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种由以下化学式1表示的杂环化合物：[化学式1]其中，在化学式1中，R1与R2彼此相同或不同，并且各自独立地选自由氢；氘；卤素；氰基；经取代或未经取代的C1至C60烷基；经取代或未经取代的C2至C60烯基；经取代或未经取代的C2至C60炔基；经取代或未经取代的C1至C60烷氧基；经取代或未经取代的C3至C60环烷基；经取代或未经取代的C2至C60杂环烷基；经取代或未经取代的C6至C60芳基；经取代或未经取代的C2至C60杂芳基；
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P(＝O)RR'；及
‑
SiRR'R”组成的群组，或者二或更多个彼此相邻的基团彼此键结以形成经取代或未经取代的C6至C60脂族或芳族烃环或经取代或未经取代的C2至C60脂族或芳族杂环；N
‑
het为经取代或未经取代的单环或多环C2至C60杂环基，并且包含一或多个N；X为O；或者S；L1至L3彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键；经取代或未经取代的C6至C60亚芳基；或者经取代或未经取代的C2至C60亚杂芳基；Ar1与Ar2彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的C1至C60烷基；经取代或未经取代的C2至C60烯基；经取代或未经取代的C2至C60炔基；经取代或未经取代的C1至C60烷氧基；经取代或未经取代的C3至C60环烷基；经取代或未经取代的C2至C60杂环烷基；经取代或未经取代的C6至C60芳基；经取代或未经取代的C2至C60杂芳基；
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NR201R202；
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P(＝O)RR'；或
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SiRR'R”；a至c为0至4的整数；m及n为0至3的整数；当a至c、m及n为2或大于2时，括弧中的取代基彼此相同或不同；且R201、R202、R、R'及R”彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的C1至C60烷基；经取代或未经取代的C6至C60芳基；或者经取代或未经取代的C2至C60杂芳基。2.根据权利要求1所述的杂环化合物，其中化学式1由以下化学式2至化学式5中的任一者表示：[化学式2]
[化学式3][化学式4][化学式5]在化学式2至化学式5中，每个取代基具有与化学式1中相同的定义。3.根据权利要求1所述的杂环化合物，其中N
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Het由以下化学式1
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1至化学式1
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5中的任一者表示：[化学式1
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1][化学式1
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2][化学式1
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3]
[化学式1
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4][化学式1
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5]在化学式1
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1至化学式1
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5中，意指连接至化学式1的位置；X1至X3彼此相同或不同，并且各自独立地为N或CRa；X4与X5彼此相同或不同，并且各自独立地为N或CRa；X6与X7彼此相同或不同，并且各自独立地为N或CRa；X8与X9彼此相同或不同，并且各自独立地为N或CRa；X10与X11彼此相同或不同，并且各自独立地为N或CRa；X1至X3中的至少一者、X6及X7中的至少一者、X8及X9中的至少一者以及X10及X11中的至少一者是N；Y是O；或者S；R11至R13彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；经取代或未经取代的C1至C60烷基；经取代或未经取代的C2至C60烯基；经取代或未经取代的C2至C60炔基；经取代或未经取代的C1至C60烷氧基；经取代或未经取代的C3至C60环烷基；经取代或未经取代的C2至C6...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宁鎭，权秀珍，牟晙兑，金东骏，朴灿濬，
申请(专利权)人：LT素材株式会社，
类型：发明
国别省市：