SoC芯片的高压低损耗辅助供电系统及辅助供电方法技术方案

本发明专利技术属于半导体和电力电子领域，涉及第三代宽禁带半导体SoC芯片的低损耗高压增压辅助供电系统，特别针对桥式结构SoC芯片。采用高压电流源电平转移与控制，先使高压变换成低压，同时采用低端电流检测法，使得运放和参考电平能够共用，电路更简单，成本低，然后采用迟滞控制法控制低压电平稳定在一个合适的范围内，还采用增压电路为SoC芯片提供模拟的辅助供电。供电。供电。

【技术实现步骤摘要】
SoC芯片的高压低损耗辅助供电系统及辅助供电方法


[0001]本专利技术涉及一种SoC芯片的高压低损耗辅助供电系统及辅助供电方法，属于半导体和电力电子领域。

技术介绍

[0002]目前，SoC(片上系统)芯片的供电大多数采用辅助电源供电，或者从功率变压器上引出一个感应线圈提供能量，设计较为复杂且占空间大；也有直接从高压处采用恒流源获取电能的，其线性电路结构产生的损耗大，严重影响低负载甚至空载时的功耗。如图1所示，传统恒流源将检测电阻Rs
cp
悬浮于Q1
cp
源极的Ps和C1
cp
的P1之间的高端侧，使得运放的接地也为P1处的悬浮高电平，也不利于桥式电路中低端电压的检测。
[0003]以SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)基器件为代表的第三代宽禁带半导体器件在导通特性和高频特性上均有较大突破，特别适用于高频大功率电源中。然而，第三代宽禁带半导体器件的驱动与传统Si基器件还存在巨大的差别，其阈值电压仅1V左右导致抗噪能力弱，栅控电压仅5V左右则无法与传统Si基控制芯片完全兼容，因而其驱动策本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SoC芯片的高压低损耗辅助供电系统，其特征在于包括：电平转移和控制模块，以及器件驱动供电模块；所述电平转移和控制模块包括恒流源、迟滞控制器、整流二极管D1cp，两个电容C1cp、C2cp，所述恒流源的输入端连接到SoC芯片的高端器件的漏极，输出端连接到C1cp的上端，D1cp的阳极连接到恒流源的输出端与C1cp的上端之间，设该点为P1点，D1cp的阴极连接到迟滞控制器的输入端，迟滞控制器的输出端连接恒流源并控制恒流源的开启和关闭，C2cp的上端连接到D1cp的阴极与迟滞控制器的输入端之间，设该点为P2点，下端连接到C1cp的下端且连接到SoC芯片的高端器件或低端器件的源极；所述器件驱动供电模块包括增压电路和线性稳压器LDO，P2点输出为驱动器模拟侧供电，所述增压电路为SoC芯片的驱动器模拟侧提供辅助供电，线性稳压器LDO为SoC芯片的驱动器数字侧供电，所述增压电路和线性稳压器LDO的输入端均连接到P2点，增压电路的V
pr
信号反馈给迟滞控制器以实现迟滞控制器的同步控制。2.根据权利要求1所述的SoC芯片的高压低损耗辅助供电系统，其特征在于：所述增压电路包括三个电容C1、C2和C3，三个稳压二极管Dz1、Dz2、Dz3，还包括振荡器Vpr，以及两个反向缓冲器1和反向缓冲器2，振荡器Vpr、反向缓冲器1、反向缓冲器2依次串联，Dz1的阳极连...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷建明，陈敦军，郭慧，
申请(专利权)人：苏州明源创半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：