【技术实现步骤摘要】
时钟偏移校正电路及方法
[0001]本专利技术涉及数据恢复
,尤其涉及一种时钟偏移校正电路及方法。
技术介绍
[0002]数据恢复(Clock Data Recovery,CDR)的功能是从数据的边沿转换信息中提取出时钟信息,并找到最优的数据采样位置。而传统设计中的边沿时钟和数据时钟会产生一定的时钟偏移(clock skew),从而导致数据无法在最优的采样位置进行采样,增加了数据传输的误码率(Symbol Error Rate,SER)。
[0003]图1为不归零编码眼图。参照图1,图中CLK_EDGE是CDR产生的边沿时钟,CLK_DATA是用来数据采样的数据时钟。在带有判决反馈均衡器(Decision Feedback Equalizer,DFE)的接收器前端电路中,CLK_DATA是DFE中数据判决器(data slicer)的时钟。在理想情况下,CLK_EDGE和CLK_DATA的上升沿间距T
BD
为1/2的时钟频率以保证数据在最优的位置上进行采样,即眼高达到最高的位置。但由于现有技术中CLK_EDGE和CLK_DATA时钟通路的不对称性、占空比失真等导致T
BD
偏离最优值。
[0004]图2为现有技术中一种产生边沿时钟和数据时钟的电路图。参照图2,图中CLK_SRC为源时钟,CLK_EDGE是CDR产生的边沿时钟,CLK_DATA是用来数据采样的数据时钟,C
PE
和C
PD
为时钟线上的等效负载电容,I0、I1、I2 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种时钟偏移校正电路,其特征在于,包括可变延时单元、时钟偏移检测单元、滤波单元、比较单元和校正单元;所述可变延时单元用于接收第一时钟信号和第二时钟信号,对所述第一时钟信号和所述第二时钟信号进行时延调节,以输出第一校正时钟信号和第二校正时钟信号;所述时钟偏移检测单元与所述可变延时单元连接,用于检测所述第一校正时钟信号和所述第二校正时钟信号之间的时延,以输出第一时延检测信号和第二时延检测信号;所述滤波单元与所述时钟偏移检测单元连接,用于对所述第一时延检测信号和所述第二时延检测信号进行滤波,以获取第一直流信号和第二直流信号;所述比较单元与所述滤波单元连接,用于对所述第一直流信号和所述第二直流信号进行比较,以输出比较结果信号;所述校正单元与所述比较单元和所述可变延时单元连接,用于根据所述比较结果信号输出校正极性信号和控制信号,然后通过所述校正极性信号和控制信号对所述可变延时单元进行时延控制。2.根据权利要求1所述的时钟偏移校正电路,其特征在于,所述时钟偏移检测单元包括负阻模块、第三NMOS管和第四NMOS管,所述负阻模块用于进行电压调节,所述第三NMOS管的漏极与所述负阻模块连接,作为所述时钟偏移检测单元的第一输出端,用于输出所述第一时延检测信号,所述第四NMOS管的漏极与所述负阻模块连接,作为所述时钟偏移检测单元的第一输出端,用于输出所述第二时延检测信号,所述第三NMOS管的源极和所述第四NMOS管的源极接地,所述第三NMOS管的栅极与所述第四NMOS管的栅极均与所述可变延时单元连接,分别接收所述第一校正时钟信号和所述第二校正时钟信号。3.根据权利要求2所述的时钟偏移校正电路,其特征在于,所述负阻模块包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管,所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极接电源电压,所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极、所述第三NMOS管的漏极、所述第二NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极连接,所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极、所述第四NMOS管的漏极、所述第一NMOS管的栅极和所述第一PMOS管的栅极连接,所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均接地。4.根据权利要求1所述的时钟偏移校正电路,其特征在于,所述校正单元包括初始化模块,用于对所述控制信号进行初始化。5.根据权利要求4所述的时钟偏移校正电路,其特征在于,所述比较结果信号包括初始比较结果信号,所述校正单元还包括赋值模块,用于将所述校正极性信号替换为所述初始比较结果信号。6.根据权利要求5所述的时钟偏移校正电路,其特征在于,所述比较结果信号还包括后续比较结果信号,所述校正单元还包括第一判断模块,用于判断所述后续比...
【专利技术属性】
技术研发人员:许永生,陈继凯,
申请(专利权)人:苏州首传微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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