一种对称型低温相偏硼酸钡（β-BBO）晶体、制备方法及应用技术

本申请公开了一种对称型低温相偏硼酸钡(β

【技术实现步骤摘要】
一种对称型低温相偏硼酸钡(
β
‑
BBO)晶体、制备方法及应用


[0001]本申请涉及一种对称型低温相偏硼酸钡(β
‑
BBO)晶体、制备方法及应用，属于晶体材料


技术介绍

[0002]低温相偏硼酸钡(β
‑
BBO)晶体是一种非常重要的非线性光学晶体，它具有许多重要的性质，如透光波段宽(200
‑
2500nm)，有效倍频系数大(deff＝6deffKDP,@1.06μm)，双折射率大(no
‑
ne＝0.115,@1.06μm)，抗光损伤阈值高(在1064nm约10GW/cm2)等，因此，被广泛应用于激光的倍频、三倍频等方面。近几年，随着激光技术的发展，β
‑
BBO晶体在电光Q开关中的应用也得到很大发展，因此β
‑
BBO具有广阔的应用前景和良好的经济价值。
[0003]经过三十多年的晶体生长探索和研究，β
‑
BBO晶体的生长有许多种方法，例如：提拉法，熔盐法，移动区域熔融法等。由于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种对称型β
‑
BBO晶体，其特征在于，所述对称型β
‑
BBO晶体为三方对称型；所述对称型β
‑
BBO晶体包括三个三方锥面S和三个六方柱面P。2.根据权利要求1所述的对称型β
‑
BBO晶体，其特征在于，所述三方锥面S与晶体的底部水平面的夹角为60
°
，所述六方柱面P垂直于晶体的底部水平面。3.根据权利要求1所述的对称型β
‑
BBO晶体，其特征在于，所述三方锥面S对应于(1
‑
102)(
‑
1012)(01
‑
12)晶面，所述六方柱面P对应于(11
‑
20)(1
‑
210)(
‑
2110)晶面。4.根据权利要求1所述的对称型β
‑
BBO晶体，其特征在于，所述对称型β
‑
BBO晶体沿c轴方向的尺寸为30mm～50mm；优选地，所述对称型β
‑
BBO晶体的尺寸为φ50
×
30mm3～φ110
×
50mm3。5.权利要求1至4任一项所述的对称型β
‑
BBO晶体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：(1)将含有碳酸钡、硼酸的原料，采用固相合成法，得到偏硼酸钡化合物多晶粉末；(2)采用提拉法在三方对称型温场中，将含有偏硼酸钡化合物多晶粉末...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄溢声，林州斌，张莉珍，苑菲菲，刘乐辉，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：