层叠体、带有机硅树脂层的支撑基材、带有机硅树脂层的树脂基板、及电子器件的制造方法技术

本发明专利技术涉及层叠体、带有机硅树脂层的支撑基材、带有机硅树脂层的树脂基板、及电子器件的制造方法。本发明专利技术提供一种耐发泡性优异的层叠体，其依次具备支撑基材、有机硅树脂层和基板，上述有机硅树脂层包含选自由锆、铝、及锡组成的组中的至少1种金属元素。成的组中的至少1种金属元素。

【技术实现步骤摘要】
层叠体、带有机硅树脂层的支撑基材、带有机硅树脂层的树脂基板、及电子器件的制造方法
[0001]本申请是申请号为201711435286.6、申请日为2017年12月26日、专利技术名称为“层叠体、带有机硅树脂层的支撑基材、带有机硅树脂层的树脂基板、及电子器件的制造方法”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及层叠体、带有机硅树脂层的支撑基材、带有机硅树脂层的树脂基板、及电子器件的制造方法。

技术介绍

[0003]近年来，太阳能电池(PV)、液晶面板(LCD)、有机EL面板(OLED)、感知电磁波、X射线、紫外线、可见光线、红外线等的接收传感器面板等器件(电子设备)正逐渐薄型化、轻量化，这些器件中使用的以玻璃基板为代表的基板正逐渐薄板化。若因薄板化而基板的强度不足，则在器件的制造工序中，基板的处理性降低。
[0004]最近，为了应对上述的问题，提出了如下方法：准备将玻璃基板和加强板层叠而成的玻璃层叠体，在玻璃层叠体的玻璃基板上形成显示装置等电子器件用构件后，将加强板从玻璃基板分离的方法(例如，专利文献1)。加强板具有支撑板和固定于该支撑板上的有机硅树脂层，有机硅树脂层与玻璃基板可剥离地密合。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：国际公开第2007/018028号

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的问题
[0009]作为薄膜晶体管等中使用的材料，例如已知有在600℃以下形成的低温多晶硅(LTPS)。
[0010]使用LTPS作为电子器件用构件(的一部分)的情况下，对玻璃层叠体例如在非活性气体气氛下实施500～600℃的高温下的加热处理。
[0011]另外，在半导体制造工序中也是，为了金属布线的退火(烧结)、形成高可靠性的绝缘膜，进行了高温CVD成膜等，需要400℃以上的高温耐受性。
[0012]本专利技术人等准备专利文献1中记载的玻璃层叠体并实施了在上述条件下的加热处理，结果发现有时在玻璃层叠体中的有机硅树脂层中产生气泡。
[0013]本专利技术鉴于上述实际情况，其课题在于，提供耐发泡性优异的层叠体。
[0014]本专利技术的课题还在于，提供能够应用于上述层叠体的带有机硅树脂层的支撑基材、带有机硅树脂层的树脂基板、及电子器件的制造方法。
[0015]用于解决问题的方案
[0016]专利技术人等为了解决上述问题而进行了深入研究，结果发现，通过以下的构成能够解决上述课题。
[0017][1]一种层叠体，其依次具备支撑基材、有机硅树脂层和基板，上述有机硅树脂层包含选自由锆、铝及锡组成的组中的至少1种金属元素。
[0018][2]根据上述[1]所述的层叠体，其中，上述有机硅树脂层包含选自由锆及锡组成的组中的至少1种金属元素。
[0019][3]根据上述[1]或[2]所述的层叠体，其中，上述有机硅树脂层包含锆元素。
[0020][4]根据上述[1]～[3]中任一项所述的层叠体，其中，上述有机硅树脂层中的上述金属元素各自的含量为0.02～1.5质量％。
[0021][5]根据上述[1]～[4]中任一项所述的层叠体，其中，多个上述基板夹着上述有机硅树脂层层叠于上述支撑基材上。
[0022][6]根据上述[1]～[5]中任一项所述的层叠体，其中，上述基板为玻璃基板。
[0023][7]根据上述[1]～[5]中任一项所述的层叠体，其中，上述基板为树脂基板。
[0024][8]根据上述[7]所述的层叠体，其中，上述树脂基板为聚酰亚胺树脂基板。
[0025][9]根据上述[1]～[5]中任一项所述的层叠体，其中，上述基板为包含半导体材料的基板。
[0026][10]根据上述[9]所述的层叠体，其中，上述半导体材料为Si、SiC、GaN、氧化镓或金刚石。
[0027][11]一种带有机硅树脂层的支撑基材，其依次具备支撑基材和有机硅树脂层，上述有机硅树脂层包含选自由锆、铝及锡组成的组中的至少1种金属元素。
[0028][12]一种电子器件的制造方法，其包括：
[0029]构件形成工序，在[1]～[10]中任一项所述的层叠体的上述基板的表面上形成电子器件用构件，得到带电子器件用构件的层叠体；和
[0030]分离工序，从上述带电子器件用构件的层叠体将包含上述支撑基材及上述有机硅树脂层的带有机硅树脂层的支撑基材去除，得到具有上述基板和上述电子器件用构件的电子器件。
[0031][13]一种带有机硅树脂层的树脂基板，其依次具备树脂基板和有机硅树脂层，上述有机硅树脂层包含选自由锆、铝及锡组成的组中的至少1种金属元素。
[0032][14]一种电子器件的制造方法，其具备：
[0033]形成层叠体的工序，使用上述[13]所述的带有机硅树脂层的树脂基板和支撑基材形成层叠体；
[0034]构件形成工序，在上述层叠体的上述树脂基板的表面上形成电子器件用构件，得到带电子器件用构件的层叠体；及
[0035]分离工序，从上述带电子器件用构件的层叠体将上述支撑基材及上述有机硅树脂层去除，得到具有上述树脂基板和上述电子器件用构件的电子器件。
[0036]专利技术的效果
[0037]根据本专利技术，能提供耐发泡性优异的层叠体。
[0038]根据本专利技术，还能够提供能够应用于上述层叠体的带有机硅树脂层的支撑基材、带有机硅树脂层的树脂基板、及电子器件的制造方法。
附图说明
[0039]图1为本专利技术的玻璃层叠体的一个实施方式的示意性截面图。
[0040]图2的(A)及图2的(B)为依照工序顺序示出本专利技术的电子器件的制造方法的一个实施方式的示意性截面图。
[0041]附图标记说明
[0042]10 玻璃层叠体
[0043]12 支撑基材
[0044]14 有机硅树脂层
[0045]14a 有机硅树脂层的表面
[0046]16 玻璃基板
[0047]16a玻璃基板的第1主面
[0048]16b玻璃基板的第2主面
[0049]18带有机硅树脂层的支撑基材
[0050]20电子器件用构件
[0051]22带电子器件用构件的层叠体
[0052]24带构件的基板(电子器件)
具体实施方式
[0053]以下，参照附图对用于实施本专利技术的方式进行说明，但本专利技术不限制于以下的实施方式，只要不脱离本专利技术的范围，则可以对以下的实施方式施加各种变形及置换。
[0054]图1为作为本专利技术的层叠体的一个方式的玻璃层叠体的一个实施方式的示意性截面图。
[0055]如图1所示，玻璃层叠体10为包含支撑基材12及玻璃基板16、以及配置于它们之间的有机硅树脂层14的层叠体。对于有机硅树脂层14，其一个面与支撑基材12接触、并且其另一面与玻璃基板16的第1主面16a接触。
[0056]玻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于贴合玻璃的固化性组合物，所述固化性组合物包含固化性有机硅和作为金属成分的铝元素，相对于由所述固化性组合物形成的有机硅树脂层的总量，所述金属成分的含量为0.01～1.612质量％。2.根据权利要求1所述的固化性组合物，其中，相对于由所述固化性组合物形成的有机硅树脂层的总量，所述金属成分的含量为0.01～0.290质量％。3.根据权利要求2所述的固化性组合物，其中，相对于由所述固化性组合物形成的有机硅树脂层的总量，所述金属成分的含量为0.099～0.290质量％。4.根据权利要求1所述的固化性组合物，其中，所述金属成分以金属化合物的形式含有。5.根据权利要求4所述的固化性组合物，其中，所述金属化合物为络合物。6.根据权利要求1所述的固化性组合物，其中，所述固化性有机硅的重均分子量为5000～60000。7.根据权利要求1～6中任一项所述的固化性组合物，其中，所述固化性组合物用于将包含半导体材料的基板与玻璃贴合。8.一种层叠体，其具备：包含半导体材料的基板、以及在所述基板上夹着有机硅树脂层设置的玻璃，所述有机硅树脂层含有有机硅树脂和作为金属成分的铝元素，所述有机硅树脂层中的所述金属成分的含量为0.01～1.612质量％。9.根据权利要求8所述的层叠体，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田和夫，长尾洋平，照井弘敏，山内优，
申请(专利权)人：AGC株式会社，
类型：发明
国别省市：