一种用于同位素丰度提升的铝基催化剂及其制备方法与应用技术

本发明专利技术属于催化剂的制备技术领域，本发明专利技术公开了一种用于同位素丰度提升的铝基催化剂及其制备方法与应用。本发明专利技术通过γ

【技术实现步骤摘要】
一种用于同位素丰度提升的铝基催化剂及其制备方法与应用


[0001]本专利技术涉及催化剂的制备
，尤其涉及一种用于同位素丰度提升的铝基催化剂及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]在精馏富集高丰度同位素产品的过程中，在同位素产品富集到80～90％的时候，同时富集多种同位素，同位素的富集浓度可到11％左右，由于同位素的分离系数很小，分离需要上千块理论板，仅通过精馏法很难将其分离，严重影响了高丰度同位素产品的富集，所以需要通过一种方法提高同位素丰度。为了解决这一问题，现有技术通常采用催化交换反应方法提高同位素丰度，以此得到高丰度的同位素产品。
[0003]然而，现有的提高催化剂丰度的催化剂通常是载体负载催化剂的形式，如常用载体有多孔碳、二氧化硅、多孔的硅酸金属粉末等。上述催化剂存在催化效率低，对同位素丰度的提升效果差，制备工艺复杂，成本高等问题。因此，发展一种可以大范围提高同位素丰度且催化效率高的催化剂成为本领域亟需。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的为提供一种用于同位素丰度提升的铝基催化剂及其制备方法与应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于同位素丰度提升的铝基催化剂的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将γ
‑
氧化铝、镍前驱体和钴前驱体混合后顺次进行干燥和煅烧，得到铝基活性物质；(2)将铝基活性物质、微孔陶瓷和表面活性剂混合，得到负载铝基活性物质的陶瓷材料；(3)将负载铝基活性物质的陶瓷材料和聚四氟乙烯粉末混合研磨，得到铝基催化剂。2.根据权利要求1所述用于同位素丰度提升的铝基催化剂的制备方法，其特征在于，所述γ
‑
氧化铝为经表面处理的γ
‑
氧化铝；表面处理的具体步骤为：将γ
‑
氧化铝和硫酸溶液混合后顺次进行水热处理和焙烧得到经表面处理的γ
‑
氧化铝；所述经表面处理的γ
‑
氧化铝的粒径为1～5μm。3.根据权利要求2所述用于同位素丰度提升的铝基催化剂的制备方法，其特征在于，所述硫酸溶液的质量分数为30～50％，γ
‑
氧化铝和硫酸溶液的质量体积比为1～3g：20～30mL；所述水热处理的温度为100～120℃，水热处理的时间为3～5h；所述焙烧的温度为600～650℃，焙烧的时间为3～4h。4.根据权利要求1～3任一项所述用于同位素丰度提升的铝基催化剂的制备方法，其特征在于，所述镍前驱体为硫酸镍、...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘振兴，王飞，胡石林，熊伟，马川，金超，张平柱，吕卫星，
申请(专利权)人：安徽中核桐源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：