【技术实现步骤摘要】
用于快速变化的电源信号的测试方法及测试电路
[0001]本专利技术涉及半导体电源模块测试领域,具体涉及一种用于快速变化的电源信号的测试方法及测试电路。
技术介绍
[0002]现有技术中进行负载瞬态测试的方式为采用电子负载的阶跃跳变方式;测试电子负载为了满足多区间的功率测试,通用性较强,针对半导体电源的小电流高速瞬态跳变测试性较差(大于10us)。但是,针对半导体电源的小电流高速瞬态跳变测试性较差(大于10us),电子负载使用程控改变端口等效阻抗的方式去实现负载跳变,程序的响应时间和精度约束导致仪器无法做到高速的瞬态负载跳变,无法满足当前系统应用里的高于1A/us的小电流瞬态跳变测试。例如参见图1所示,对于半导体电源的小电流场景如0~2A场景,跳变速率不超过500mA/us,很难达到更高的速率,实际系统应用对于后级负载如MCU/SOC等高速动态负载模型(负载跳变频率MHz级别),无法满足系统应用场景测试。
[0003]参见图2所示,现有技术中对于测试需求的带宽范围较广的LDO(Low Dropout Regulator ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于快速变化的电源信号的测试方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:进行负载瞬态测试时,在MOS管的D极施加电压,通过控制MOS管G级的电压,来改变MOS管S极的电压和电流,MOS管S极的电压和电流改变时产生负载瞬态跳变;进行PSRR测试时,控制MOS管工作在可变电阻区和恒流区,通过与MOS管串联的可调电阻改变MOS管的电压,MOS管G极的电压变化带动可调电阻的电压变化后,产生需要的纹波叠加电源信号。2.一种用于快速变化的电源信号的测试电路,包括电源V1,其特征在于:该电路还包括与电源V1相连的第一三极管Q1和第二三极管Q2、以及串联的MOS管和可调电阻R1;第一三极管Q1和第二三极管Q2共同接入同一个信号源V2,第一三极管Q1和第二三极管Q2均与MOS管相连。3.如权利要求2所述的用于快速变化的电源信号的测试电路,其特征在于,该测试电路用于负载瞬态测试时:电源V1用于:为第一三极管Q1和第二三极管Q2供电;第一三极管Q1和第二三极管用于:将信号源V2的测试阶跃控制信号放大为输出信号后输出至MOS管;MOS管用于:在可变电阻区,通过控制G极的变化来改变输出信号的电压值;可调电阻R1用于:当MOS管进入饱和区工作时,通过调节自身电阻值来控制相应的测试负载的最大跳变值。4.如权利要求3所述的用于快速变化的电源信号的测试电路,其特征在于,该测试电路用于PSR...
【专利技术属性】
技术研发人员:邱小燕,
申请(专利权)人:武汉芯必达微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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