一种用于粗二氧化碳中烃类深度氧化脱除的催化剂及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种用于粗二氧化碳中烃类深度氧化脱除的催化剂及其制备方法，涉及催化技术领域。本发明专利技术提供的烃类氧化催化剂包括可还原性氧化物载体和活性组分，所述活性组分为Pd、Pt、Ni、Fe、Rh和Ru中的一种或多种；所述可还原性氧化物载体为+4价Ce、+4价Ti、+4价Zr、+3价Eu和+3价Y中的一种或者多种元素组成的氧化物。本发明专利技术利用可还原性氧化物负载活性组分，实现金属活性组分和载体的协同催化作用，金属可以活化碳氢化合物，可还原性载体活化氧气分子，使得该催化剂具有优异的烃类深度氧化脱除的能力，可在较低温度(50～500℃)下将二氧化碳中烃类含量净化至1ppm以下。碳中烃类含量净化至1ppm以下。

【技术实现步骤摘要】
一种用于粗二氧化碳中烃类深度氧化脱除的催化剂及其制备方法


[0001]本专利技术涉及催化
，尤其涉及一种用于粗二氧化碳中烃类深度氧化脱除的催化剂及其制备方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造领域，电子级(高纯)二氧化碳用于氧化、扩散、化学气相淀积、超临界清洗气体等过程。随着半导体行业的飞速发展，国内对电子级二氧化碳(99.999％)的需求量也持续增加。工业粗二氧化碳中主要含有CH4、C2H6、C3H8及少量碳四烃类和氧气、水、硫和磷等杂质。采用催化氧化的方法脱除微量烃类杂质，具有净化深度高，不产生二次杂质的特点，且能够有效降低烃类分离的能耗，是生产电子级二氧化碳的有力手段。烃类杂质中CH4的稳定性高，是最难被活化及脱除的成分。目前文献报道中常用的是负载型的Pd基贵金属催化剂，载体采用的是较为惰性的Al2O3，烃类和氧分子的活化均在金属上进行，导致烃类氧化所需的温度较高(≥350℃)。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种用于粗二氧化碳中烃类深度氧化脱除的催化剂及其制备方法，本专利技术提供的催化剂可在较本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种烃类氧化催化剂，其特征在于，包括可还原性氧化物载体和活性组分，所述活性组分为Pd、Pt、Ni、Fe、Rh和Ru中的一种或多种；所述可还原性氧化物载体为+4价Ce、+4价Ti、+4价Zr、+3价Eu和+3价Y中的一种或者多种元素组成的氧化物。2.据权利要求1所述的烃类氧化催化剂，其特征在于，所述可还原性氧化物载体为CeO2、TiO2或者Ce
0.5
Zr
0.5
O2。3.根据权利要求1或2所述的烃类氧化催化剂，其特征在于，所述活性组分为Pd。4.根据权利要求1或2所述的烃类氧化催化剂，其特征在于，所述烃类催化剂中活性组分的含量为0.1～5wt.％。5.权利要求1～4任一项所述烃类氧化催化剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将可还原性氧化物载体、溶剂和活性组分前驱体混合，得到混合料液；所述活性组分前驱体为Pd前驱体、Pt前驱体、Ni前...

【专利技术属性】
技术研发人员：李正稳，颜彬航，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：