微透镜组件、光电转换设备及制造方法和成像系统技术方案

本公开提供一种微透镜组件、光电转换设备及制造方法和成像系统，涉及半导体技术领域，该微透镜组件包括第一微透镜阵列和第一透光件，第一透光件设置在第一微透镜阵列上，第一透光件的折射率大于环境介质的折射率。本公开通过在第一微透镜阵列上设置具有高折射率的第一透光件，改变入射光的波长，使得具有更短波长的光线经第一微透镜阵列成像后形成具有更小直径的物像，从而提高成像系统的分辨率。从而提高成像系统的分辨率。从而提高成像系统的分辨率。

【技术实现步骤摘要】
微透镜组件、光电转换设备及制造方法和成像系统


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种微透镜组件、光电转换设备及制造方法和成像系统。

技术介绍

[0002]图像传感器是利用光电器件的光电转化功能将感光面上的光像转换为与光像成相应比例关系的电信号的光电转换设备，被广泛地应用到电子产品中，其中，较为常见的图像传感器有CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor，简称CIS)、电荷耦合图像传感器(Charge
‑
coupled Device，以下简称CCD)。
[0003]CIS图像传感器通常包括光敏元件、微透镜阵列以及外围电路，其中，微透镜阵列设置在光敏元件上，外围电路与光敏元件连接，当外界的光线通过微透镜阵列汇集之后，进入光敏元件中，光敏元件能够将光信号转化电信号，该电信号通过外围电路输出成像。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，本公开实施例提供一种微透镜组件、光电转换设备及制造方法和成像系统，能够提高成像系统的分辨率。
[0005]为了实现上述目的，本公开实施例提供如下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微透镜组件，其特征在于，所述微透镜组件包括：第一微透镜阵列；第一透光件，所述第一透光件设置在所述第一微透镜阵列上，所述第一透光件用于将在环境介质中传播的光线传输至所述第一微透镜阵列内，其中，所述第一透光件的折射率大于所述环境介质的折射率。2.根据权利要求1所述的微透镜组件，其特征在于，所述第一透光件的折射率大于所述第一微透镜阵列的折射率。3.根据权利要求1或2所述的微透镜组件，其特征在于，还包括第二透光件，所述第二透光件设置在所述第一透光件和所述第一微透镜阵列之间，所述第二透光件的折射率小于所述第一透光件和所述第一微透镜阵列的折射率。4.根据权利要求1或2所述的微透镜组件，其特征在于，所述第一微透镜阵列包括微凸透镜阵列或微凹透镜阵列。5.根据权利要求1或2所述的微透镜组件，其特征在于，所述第一微透镜阵列包括多个第一微透镜，所述第一透光件包括多个第一透光部，所述第一透光部对应一个或多个所述第一微透镜；其中，所述第一微透镜包括凸透镜或凹透镜。6.根据权利要求5所述的微透镜组件，其特征在于，每个所述第一透光部包括第二微透镜，多个所述第二微透镜组成的第二微透镜阵列，一个所述第二微透镜对应一个或多个所述第一微透镜。7.根据权利要求6所述的微透镜组件，其特征在于，所述第二微透镜具有第二焦点，所述第二焦点形成在第二透光件中。8.根据权利要求7所述的微透镜组件，其特征在于，所述第二透光件具有第一厚度，所述第二焦点到所述第二透光件顶表面的最大距离不大于所述第一厚度的二分之一。9.根据权利要求7所述的微透镜组件，其特征在于，所述第一微透镜具有第一曲率，所述第二微透镜具有第二曲率，所述第二曲率与所述第一曲率不同。10.一种光电转换设备，其特征在于，包括：感光元件层以及如权利要求1
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9任一项所述的微透镜组件；所述微透镜组件设置在所述感光元件层上。11.根据权利要求10所述的光电转换设备，其特征在于，所述感光元件层包括滤光层，所述滤光层包括多个滤光区，一个所述滤光区对应一个或多个第一微透镜。12.根据权利要求10所述的光电转换设备，其特征在于，所述感光元件层还包括光敏元件层，所述光敏元件层包括多个光敏元件，一个所述光敏元件对应一个或多个所述第一微透镜。13.根据权利要求12所述的光电转换设备，其特征在于，所述第一微透镜具有第一焦点，所述第一焦点形成在所述光敏元件层中，所述光敏元件层具有第二厚度，所述第一焦点到所述第一微透镜底表面的最大距离不小...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹堪宇，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：