发光装置和包括发光装置的电子设备制造方法及图纸

提供发光装置和包括该发光装置的电子设备。该发光装置包括发射层，该发射层包括第一发射层和第二发射层。发射层和第二发射层。发射层和第二发射层。

【技术实现步骤摘要】
发光装置和包括发光装置的电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年12月23日向韩国知识产权局提交的第10
‑
2021
‑
0186588号韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用在此并入本文。


[0003]本公开的一个或多个实施方式的方面涉及发光装置和包括发光装置的电子设备。

技术介绍

[0004]发光装置中的自发射装置具有宽视角，高对比度，短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面卓越的或适当的特性。
[0005]在发光装置中，第一电极在基板上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次设置在第一电极上。从第一电极提供的空穴穿过空穴传输区朝着发射层移动，并且从第二电极提供的电子穿过电子传输区朝着发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而生成光。

技术实现思路

[0006]本公开的一个或多个实施方式的方面涉及发光装置和包括发光装置的电子设备。
[0007]本公开的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的夹层，其中，所述发射层包括第一发射层和第二发射层，所述第一发射层包括第一主体，所述第一主体包括第一
‑
第一主体和第一
‑
第二主体，但是所述第一发射层不包括掺杂剂，所述第二发射层包括第二主体和掺杂剂，所述第二主体包括第二
‑
第一主体和第二
‑
第二主体，所述第一
‑
第一主体和所述第一
‑
第二主体彼此不同，所述第二
‑
第一主体和所述第二
‑
第二主体彼此不同，并且所述第一主体的三重态能级T
H1
大于所述第二主体的三重态能级T
H2
。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中满足条件1或条件2：条件1所述第一发射层在所述第一电极和所述第二发射层之间，并且所述第二发射层在所述第一发射层和所述第二电极之间；以及条件2所述第一发射层在所述第二电极和所述第二发射层之间，并且所述第二发射层在所述第一发射层和所述第一电极之间。3.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述夹层进一步包括在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区以及在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区，所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合，并且所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。4.根据权利要求2所述的发光装置，其中满足条件1
‑
1或条件2
‑
1：条件1
‑
1所述第一发射层在空穴传输区和所述第二发射层之间，并且所述第二发射层在电子传输区和所述第一发射层之间；以及条件2
‑
1所述第一发射层在所述电子传输区和所述第二发射层之间，并且所述第二发射层在所述空穴传输区和所述第一发射层之间。5.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一发射层的厚度小于所述第二发射层的厚度。6.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一发射层的厚度在至的范围内，并且所述第二发射层的厚度在至的范围内。
7.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层配置为发射蓝光。8.根据权利要求7所述的发光装置，其中所述蓝光具有在400nm至490nm的范围内的最大发射波长。9.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一发射层直接接触所述第二发射层。10.根据权利要求1所述的发光装置，其中在所述第一发射层中形成的三重态激子配置为从所述第一发射层朝向所述第二发射层迁移。11.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一
‑
第一主体、所述第一
‑
第二主体、所述第二
‑
第一主体和所述第二
‑
第二主体各自独立地由式1表示：式1[Ar
11
]
c11
‑
[(L
11
)
a11
‑
R
11
]
b11
其中，在式1中，Ar
11
和L
11
各自独立地为未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基，或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基，a11和c11各自为选自0至3的整数，R
11
为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C7‑
C
60
芳烷基、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
杂芳烷基、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或者
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，b11为选自1至5的整数，R
10a
为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基或硝基；各自未取代的或被下述取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基或者C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基、C2‑
C
60
杂芳烷基、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其任何组合；各自未取代的或被下述取代的C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基或者C2‑
C
60
杂芳烷基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
60
碳环基、C1‑
C
60
杂环基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C7‑
C
60
芳烷基、C2‑
C
60
杂芳烷基、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其任何组合；或
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，并且Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地为：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基；氰基；硝基；C1‑
C
60
烷基；C2‑
C
60
烯基；C2‑
C
60
炔基；C1‑
C
60
烷氧基；各自未取代的或被氘、
‑
F、氰基、C1‑
C
60
烷基、C1‑
C
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C3‑
C
60
碳环基或者C1‑
C
60
杂环基；C7‑
C
60
芳烷基或C2‑
C
60
杂芳烷基。
12.根据权利要求1所述的发光装置，其中电子传输部分包括在：选自所述第一
‑
第一主体和所述第一
‑
第二主体中的一个；以及选自所述第二
‑
第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李允揆，宣轸元，秋昌雄，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：