有机发光二极管和包括其的有机发光装置制造方法及图纸

技术编号:37891709 阅读:11 留言:0更新日期:2023-06-18 11:55
本公开涉及有机发光二极管和包括所述有机发光二极管的有机发光装置,在所述有机发光二极管中,设置在两个电极之间的发光材料层包含在硼原子与氧原子、硫原子和硒原子中的至少一者之间形成稠环的第一化合物,以及在硼原子与氮原子之间形成稠环的第二化合物。第一化合物和第二化合物可以包含在相同的发光材料层或相邻设置的发光材料层中。有机发光二极管包括其中包含第一化合物和第二化合物同时调节它们的能级的发光材料层,从而可以降低有机发光二极管的驱动电压,并且可以提高有机发光二极管的发光效率和发光寿命。极管的发光效率和发光寿命。极管的发光效率和发光寿命。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机发光二极管和包括其的有机发光装置


[0001]本申请要求于2021年10月12日在韩国提交的韩国专利申请第10

2021

0134734号的权益和优先权,其在此以整体明确地并入本申请。
[0002]本公开涉及有机发光二极管,并且更特别地,具有有利的发光特性的有机发光二极管,以及包括所述有机发光二极管的有机发光装置。

技术介绍

[0003]包括有机发光二极管(OLED)的平板显示装置作为可以替代液晶显示装置(LCD)的显示装置引起关注。OLED可以形成为小于的薄有机膜并且电极配置可以实现单向或双向图像。此外,OLED甚至可以形成在柔性透明基板例如塑料基板上,使得使用OLED可以容易地实现柔性或可折叠显示装置。此外,与LCD相比,OLED可以在较低的电压下驱动并且OLED具有有利的高颜色纯度。
[0004]在OLED中,当空穴和电子被注入到阴极与阳极之间的发光材料层中时,电荷复合形成作为不稳定的激发态的激子,然后在复合的激子转移至稳定的基态时发射光。由于荧光材料在发光过程中仅使用单线态激子能量,因此现有技术的荧光材料显示出低的发光效率。由于磷光材料在发光过程中使用三线态激子能量以及单线态激子能量,因此其可以显示出高的发光效率。然而,磷光材料的实例包括具有对于商业用途而言短的发光寿命的金属配合物。

技术实现思路

[0005]技术问题
[0006]本公开的一个目的是提供可以具有提高的发光效率和发光寿命的有机发光二极管。本公开的另一方面是提供包括所述有机发光二极管的有机发光装置。
[0007]另外的特征和方面将在随后的描述中阐述,并且部分地将从描述中显而易见,或者可以通过本文中提供的所公开的构思的实践来获知。所公开的构思的另外的特征和方面可以通过在撰写的说明书中或可从中得出的及其权利要求书以及附图特别指出的结构来实现和获得。
[0008]技术方案
[0009]在一个方面中,本公开提供了有机发光二极管,所述有机发光二极管包括:第一电极;面向第一电极的第二电极;和设置在第一电极与第二电极之间并且包括至少一个发光材料层的发光层,其中所述至少一个发光材料层包含第一化合物和第二化合物,其中第一化合物包括具有以下式1的结构的有机化合物,以及其中第二化合物包括具有以下式2的结构的有机化合物:
[0010][式1][0011][0012]其中在式1中,
[0013]R1至R
11
各自独立地为氕、氘、氚、卤素原子、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基氨基、未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳基或者未经取代或经取代的C3‑
C
20
杂芳基,其中R1至R
11
中的1至4者具有式2的结构;
[0014]X1和X2各自独立地为O、S或Se;以及
[0015]Q1为氘、氚、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基、未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳基、未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂芳基、未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳基氨基或者未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂芳基氨基,
[0016][式2][0017][0018]其中在式2中,
[0019]星号表示与式1的稠环的连接;
[0020]R
12
和R
13
各自独立地为氘、氚、卤素原子、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基甲硅烷基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基氨基、未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳基或者未经取代或经取代的C3‑
C
20
杂芳基,其中当m为2、3或4时,各R
12
彼此相同或不同,以及其中当n为2、3或4时,各R
13
彼此相同或不同,
[0021]任选地,
[0022]当m为2、3或4时至少两个相邻的R
12
和/或
[0023]当n为2、3或4时至少两个相邻的R
13
[0024]连接在一起以形成未经取代或经取代的C6‑
C
20
芳族环或者未经取代或经取代的C3‑
C
20
杂芳族环;以及
[0025]m和n各自独立地为0、1、2、3或4,
[0026][式6][0027][0028]其中在式6中,
[0029]R
21
至R
28
各自独立地为氕、氘、氚、卤素原子、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基甲硅烷基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基氨基、未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳基或者未经取代或经取代的C3‑
C
20
杂芳基,其中当q为2、3、4或5时,各R
25
彼此相同或不同,其中当r为2或3时,各R
26
彼此相同或不同,其中当s为2、3、4或5时,各R
27
彼此相同或不同,以及其中当t为2、3或4时,各R
28
彼此相同或不同,
[0030]任选地,
[0031]R
21
至R
24
中的两个相邻基团连接在一起以形成未经取代或经取代的具有硼原子和氮原子的稠环;
[0032]q和s各自独立地为0、1、2、3、4或5;
[0033]r为0、1、2或3;以及
[0034]t为0、1、2、3或4。
[0035]作为实例,第一化合物的最高占据分子轨道(highest occupied molecular orbital,HOMO)能级和第二化合物的HOMO能级可以满足以下式(1)中的关系:
[0036]|HOMO
FD

HOMO
DF
|<0.3eV
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(1)
[0037]其中在式(1)中,
[0038]HOMO
DF
表示第一化合物的HOMO能级;以及HOMO
FD
表示第二化合物的HOMO能级。
[0039]第二化合物的激发单线态能级与激发三线态能级之间的能带隙可以小于第一化合物的激发单线态能级与激发三线态能级之间的能带隙。
[0040]作为实例,第一化本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机发光二极管,包括:第一电极;面向所述第一电极的第二电极;和发光层,所述发光层设置在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括至少一个发光材料层,其中所述至少一个发光材料层包含第一化合物和第二化合物,其中所述第一化合物包括具有以下式1的结构的有机化合物,以及其中所述第二化合物包括具有以下式2的结构的有机化合物:[式1]其中在式1中,R1至R
11
各自独立地为氕、氘、氚、卤素原子、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基氨基、未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳基或者未经取代或经取代的C3‑
C
20
杂芳基,其中R1至R
11
中的1至4者具有以下式2的结构;X1和X2各自独立地为O、S或Se;以及Q1为氘、氚、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基、未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳基、未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂芳基、未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳基氨基或者未经取代或经取代的C3‑
C
30
杂芳基氨基,[式2]其中在式2中,星号表示与式1的稠环的连接;R
12
和R
13
各自独立地为氘、氚、卤素原子、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基甲硅烷基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基氨基、未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳基或者未经取代或经取代的C3‑
C
20
杂芳基,其中当m为2、3或4时,各R
12
彼此相同或不同,以及其中当n为2、3或4时,各R
13
彼此相同或不同,任选地,当m为2、3或4时至少两个相邻的R
12
和/或当n为2、3或4时至少两个相邻的R
13
连接在一起以形成未经取代或经取代的C6‑
C
20
芳族环或者未经取代或经取代的C3‑
C
20
杂芳族环;以及m和n各自独立地为0、1、2、3或4,[式6]其中在式6中,R
21
至R
28
各自独立地为氕、氘、氚、卤素原子、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基甲硅烷基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基氨基、未经取代或经取代的C6‑
C
30
芳基或者未经取代或经取代的C3‑
C
20
杂芳基,其中当q为2、3、4或5时,各R
25
彼此相同或不同,其中当r为2或3时,各R
26
彼此相同或不同,其中当s为2、3、4或5时,各R
27
彼此相同或不同,以及其中当t为2、3或4时,各R
28
彼此相同或不同,任选地,R
21
至R
24
中的两个相邻基团连接在一起以形成未经取代或经取代的具有硼原子和氮原子的稠环;q和s各自独立地为0、1、2、3、4或5;r为0、1、2或3;以及t为0、1、2、3或4。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其中所述第一化合物的最高占据分子轨道(HOMO)能级和所述第二化合物的HOMO能级满足以下式(1)中的关系:|HOMO
FD

HOMO
DF
|<0.3eV
ꢀꢀꢀꢀ
(1)其中在式(1)中,HOMO
DF
表示所述第一化合物的HOMO能级;以及HOMO
FD
表示所述第二化合物的HOMO能级。3.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其中所述第二化合物的激发单线态能级与激发三线态能级之间的能带隙小于所述第一化合物的激发单线态能级与激发三线态能级之间的能带隙。4.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其中所述第一化合物的HOMO能级与最低未占据分子轨道(LUMO)能级之间的能带隙为约2.6eV至约3.1eV。5.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其中所述第一化合物的起始波长为约430nm至约440nm。6.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其中所述第一化合物具有以下式3的结构:[式3]
其中在式3中,X1和X2各自如式1中所限定;R
14
至R
16
各自独立地为氕、氘、氚、卤素原子、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基、未经取代或经取代的C1‑
C
20
烷基氨基、未经取代或经取代的C6‑
C
30
...

【专利技术属性】
技术研发人员:李烔仑裵淑英金钟旭安汉镇金捘演
申请(专利权)人:乐金显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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