基于InGaAs/AlGaAs的太赫兹阵列探测器件制造技术

本发明专利技术公开的是基于InGaAs/AlGaAs的太赫兹阵列探测器件，在GaAs衬底上依次生长GaAs缓冲层、Al

【技术实现步骤摘要】
基于InGaAs/AlGaAs的太赫兹阵列探测器件


[0001]本专利技术是一种基于半导体异质结高电子迁移率晶体管探测元器件技术，具体指基于InGaAs/AlGaAs异质结形成的二维电子气(2
‑
DEG)的太赫兹(THz)探测器件。

技术介绍

[0002]太赫兹波辐射(0.1
‑
10THz)由于其低光子能量、强穿透力、高频和超短脉冲等显着特性，在材料研究、安全检测、环境监测和通信等许多学科中具有巨大的前景。使用太赫兹辐射的主要方法是太赫兹探测技术，它对基础和应用太赫兹研究都有重大影响。室温、高速、高灵敏度的太赫兹波阵列探测器是太赫兹应用技术进步的基础工具，也是太赫兹科学研究的关键方法和主要组成部分之一。高电子迁移率晶体管(HEMT)是一种异质结结构的场效应晶体管，又称调制掺杂场效应晶体管、二维电子气场效应晶体管。它利用两种不同能隙的材料形成异质结，在其界面处形成三角形势阱，利用势阱中的二维电子气作为场效应管进行沟道调节。由于在这种异质结构中，电子集中在三角势阱中，可以达到空穴和电子空间分离的效果，因此可以实现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于InGaAs/AlGaAs的太赫兹阵列探测器件，包括GaAs衬底(1)、GaAs缓冲层(2)、Al
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Ga1‑
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As缓冲层(3)、Al
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Ga1‑
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As势垒层(4)、Si的δ掺杂底层(6)、Al
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Ga1‑
x
As的隔离层(7)、In
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Ga1‑
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As的沟道层(8)、Al
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Ga1‑
x
As的隔离层(9)、Si的δ掺杂层(10)、Al
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Ga1‑
x
As势垒层(11)、未掺杂的AlAs层(12)、未掺杂的GaAs层(13)、掺杂Si的AlAs势垒层(14)和掺杂Si的GaAs帽层(15)；其特征在于所述的太赫兹阵列探测器件结构如下：在GaAs衬底(1)上依次生长GaAs缓冲层(2)、Al
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Ga1‑
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As缓冲层(3)、Al
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Ga1‑
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As势垒层(4)、Si的δ掺杂底层(6)、Al
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Ga1‑
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As的隔离层(7)、In
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Ga1‑
x
As的沟道层(8)、Al
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Ga1‑
x
As的隔离层(9)、Si的δ掺杂层(10)、Al
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Ga1‑
x
As势垒层(11)、未掺杂的AlAs层(12)、未掺杂的GaAs层(13)、掺杂Si的AlAs势垒层(14)和掺杂Si的GaAs帽层(15)；源极(5)、漏极(16)分别位于GaAs缓冲层以及各个势垒层两端接触形成欧姆接触，并在沟道层之间形成的二维电子气通道；所述的GaAs缓冲层(2)厚度为200
‑
210nm、Al
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Ga1‑
x
As缓冲层(3)厚度为250
‑
300nm；所述的Al
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Ga1‑
x
As势垒层(4)厚度为15
‑
20nm；所述的Si的δ掺杂底层(6)及Al
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Ga1‑
x
As的隔离层(7)厚度为6
‑
10nm；所述的In
x
G...

【专利技术属性】
技术研发人员：王林，姚晨禹，姜梦杰，王东，陈效双，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：