用于基板处理装置的集成气体系统制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于基板处理装置的集成气体系统，更详细来说涉及一种可通过集成气体系统对所供给的气体的温度准确地进行控制的用于基板处理装置的集成气体系统。用于基板处理装置的集成气体系统。用于基板处理装置的集成气体系统。

【技术实现步骤摘要】
用于基板处理装置的集成气体系统


[0001]本专利技术涉及一种用于基板处理装置的集成气体系统，更详细来说涉及一种可通过集成气体系统对所供给的气体的温度准确地进行控制的用于基板处理装置的集成气体系统。

技术介绍

[0002]通常集成气体系统(Integrated Gas System，IGS)在半导体处理装置等中起到对气体等流体精密地进行控制并供给的作用。
[0003]此种集成气体系统在基底板上布置基底区块(base block)，且可根据各种要求条件容易地对设置在基底区块上的构成要素进行变更。在此种情况，具有可容易在基底区块上拆卸构成要素从而容易进行设置及维修的优点。
[0004]在根据以往技术的集成气体系统中对供给的气体的温度进行控制的情况，利用夹具等固定单元将加热套(heat jacket)等加热部安装在集成气体系统的基底区块的外侧。另外，将对温度进行感知的感测(sensing)部同样安装在基底区块的外侧。根据在此种感测部中感知到的温度对加热套的温度进行控制。
[0005]由于此种以往技术的集成气体系统的感测部配置在基底区块的外侧，因此会产生无法与基底区块密接的区域，从而无法准确地测定气体的温度。另外，加热部中也会产生无法与基底区块密接的区域，从而不能正常进行气体的加热，且气体不能沿供给流路具有均匀的温度。

技术实现思路

[0006][专利技术所要解决的问题][0007]本专利技术用于解决如上所述的问题点，目的在于提供一种可对沿供给流路流动的气体的温度准确地进行测定进而准确地控制气体的温度，且可按照气体流路的区间提高温度均匀性的集成气体系统。
[0008][解决问题的技术手段][0009]如上所述的本专利技术的目的利用用于基板处理装置的集成气体系统来达成，所述集成气体系统包括：多个基底区块，具有贯通内部供气体流动的供给流路，所述多个基底区块彼此依序连接以可使所述供给流路延伸，且所述供给流路的气体流入口与气体流出口形成在一侧表面；流量控制单元，沿所述供给流路配置在所述基底区块，且包括阀及流量控制器中的至少一者；以及第一加热器槽，以与所述供给流路相邻地在所述基底区块的所述一侧表面引入加热器的方式形成。
[0010]此处，所述用于基板处理装置的集成气体系统还可包括加热器，所述加热器沿所述多个基底区块延伸形成，被引入到形成在所述多个基底区块的多个所述第一加热器槽。
[0011]另外，所述用于基板处理装置的集成气体系统还可包括第一感测部槽，所述第一感测部槽形成在所述基底区块的一侧表面且引入对在所述供给流路中流动的气体的温度
进行测定的感测部。
[0012]另一方面，在一个以上的所述阀及所述流量控制器的下部配置连接到所述基底区块的连接凸缘，且可在所述连接凸缘形成与所述第一加热器槽及第一感测部槽对应的第二加热器槽及第二感测部槽。
[0013]进而，所述加热器与所述感测部可在所述基底区块中将所述供给流路置于其间且布置在两侧。
[0014]另一方面，所述感测部可设置在与供气体流出的气体流出口相邻的基底区块。
[0015][专利技术的效果][0016]根据具有上述构成的本专利技术，通过沿基底区块的供给流路提供加热器部及感测部，可对沿供给流路流动的气体的温度准确地进行测定进而准确地控制气体的温度，且可按照气体流路的区间提高温度均匀性。
附图说明
[0017]图1是根据本专利技术一实施例的集成气体系统的立体图。
[0018]图2是示出在图1中最后一个基底区块与连接到最后一个基底区块的连接凸缘的分解立体图。
[0019][符号的说明][0020]200A～200H：基底区块
[0021]210：气体流入口
[0022]230：气体流出口300：加热器
[0023]410：手动阀
[0024]420：滤波器
[0025]430：调节器
[0026]440：压力计
[0027]450：气动阀
[0028]460：流量控制器
[0029]600：感测部
[0030]1000：集成气体系统
具体实施方式
[0031]以下，参照附图对根据本专利技术实施例的用于基板处理装置的集成气体系统(Integrated Gas System，IGS)(以下，被称为“集成气体系统”)的结构详细地进行阐述。
[0032]图1是根据本专利技术一实施例的集成气体系统1000的立体图。
[0033]参照图1，所述集成气体系统1000可形成：多个基底区块200A～200H，具有贯通内部供气体流动的供给流路240，多个基底区块200A～200H彼此依序连接以可使所述供给流路240延伸，且所述供给流路240的气体流入口210与气体流出口230形成在一侧表面；流量控制单元，沿所述供给流路240配置在所述基底区块200A～200H，且包括阀410、450、470及流量控制器460中的至少一者；以及第一加热器槽210H(参照图2)，以与所述供给流路240相邻地在所述基底区块200A～200H的所述一侧表面引入加热器300的方式形成。
[0034]所述基底区块200A～200H可依序布置多个。例如，如图中所示，多个基底区块200A～200H可彼此间隔开布置。此种基底区块200A～200H之间的间隔可根据安装在上部的构成要素的大小等适当地进行调节。
[0035]在所述多个基底区块200A～200H中可在设置在入口侧的第一个基底区块200A的一侧表面连接气体流入口210。例如，可在所述第一个基底区块200A的一侧表面连接连接部610，且在所述连接部610连接所述气体流入口210。
[0036]另外，在所述多个基底区块200A～200H中可在设置在出口侧的最后一个基底区块200H的一侧表面连接气体流出口230。同样地，可在所述最后一个基底区块200H的一侧表面连接连接部620，且在所述连接部620连接所述气体流出口230。
[0037]可在所述基底区块200A～200H安装各种构成要素。即，可在所述基底区块200A～200H安装流量控制单元。此处，流量控制单元可包括阀410、450、470及流量控制器460中的至少一者。所述流量控制器460可由质量流量控制器(Mass Flow Controller，MFC)形成。安装在所述基底区块200A～200H的构成要素可适当地进行变形。
[0038]例如，在图中示出沿所述基底区块200A～200H依序设置手动阀(manual valve)410、滤波器420、调节器(regulator)430、压力计(pressure gauge)440、气动阀(pneumatic valve)450、流量控制器460及单向阀(check valve)470，但不限定于此，且可根据要求条件进行变形。
[0039]所述各种构成要素可利用垫片(gasket)等密封部件在所述基底区块200A～200H上进行密封并连接。所述各种构成要素可在相邻的一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于基板处理装置的集成气体系统，其特征在于，包括：多个基底区块，具有贯通内部供气体流动的供给流路，所述多个基底区块彼此依序连接以能够使所述供给流路延伸，且所述供给流路的气体流入口与气体流出口形成在一侧表面；流量控制单元，沿所述供给流路相邻在所述多个基底区块，且包括阀及流量控制器中的至少一者；以及第一加热器槽，与所述供给流路相邻以在所述多个基底区块的所述一侧表面引入加热器。2.根据权利要求1所述的用于基板处理装置的集成气体系统，其特征在于，还包括：加热器，沿所述多个基底区块延伸形成，且被引入到形成在所述多个基底区块的多个所述第一加热器槽中。3.根据权利要求1所述的用于基板处理装置的集成气体系统，其特征在于，还包括：第...

【专利技术属性】
技术研发人员：金炳修，
申请(专利权)人：TES股份有限公司，
类型：发明
国别省市：