一种低压穿越电路及低压穿越方法技术

本发明专利技术公开了一种低压穿越电路及低压穿越方法，其中本发明专利技术提供的电路包括：电压采样电路、运放比较器、可控硅驱动电路、可控硅电路和电解电容；电压采样电路用于采集母线电压；运放比较器用于母线电压和参考电压，在满足使能条件时输出使能信号；可控硅驱动电路根据使能信号，控制可控硅电路导通或截止；电解电容并联于母线上，可控硅电路的导通控制电解电容放电，为母线提供辅电。本发明专利技术通过采集母线电压，在母线电压小于参考电压时向可控硅驱动电路发送使能信号，控制可控硅驱动电路导通，使并联于母线上的电解电容放电为母线电压提供辅电，避免电压骤降对生产设备产生危害，提高了生产设备的稳定性。提高了生产设备的稳定性。提高了生产设备的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种低压穿越电路及低压穿越方法


[0001]本专利技术涉及电力电子
，具体涉及一种低压穿越电路及低压穿越方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着高新科技的不断发展，电能质量与工业生产、IT通信、医疗等行业，以及人们的生活联系日益密切。也正因为如此，由电压暂降造成的影响才日益严重。电压暂降已成为困扰供电企业和电力用户的电能质量问题。半导体产业生产线上有大量高精度的控制仪器，极易受到电压暂降扰动而导致产品报废。针对此，半导体工业协会（SEMI）还制定了SEMI F47标准，它对半导体制程设备能承受的电压骤降等级的通用免疫能力作出了定义。为了设备能免受电压骤降带来的危害，SEMI F47
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0706规定了半导体制程设备对电压骤降的耐受时间。
[0003]目前通常采取两种方式以解决电压骤降的问题，一种是提高半导体制导设备抵抗电压骤降的能力，此种方式只解决了某一设备在电压骤降时带来的危害，对于生产线上的其他控制仪器无法防护，为了保证生产线的运营需要投入巨大成本；另一种则是改变电路网络的设计，通常采用DVR串联于敏感负载（本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低压穿越电路，其特征在于，包括电压采样电路、运放比较器、可控硅驱动电路、可控硅电路和电解电容，所述电压采样电路用于采集母线电压；所述运放比较器用于比较采集到的母线电压和参考电压，在满足使能条件时输出使能信号；所述可控硅驱动电路根据所述使能信号，控制所述可控硅电路导通或截止；所述电解电容并联于母线上，所述可控硅电路的导通控制所述电解电容放电，为母线提供辅电。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述运放比较器的输入端输入采集到的母线电压，所述运放比较器的输入端为参考电压，所述运放比较器的输入端和输出端之间还连接有电阻，所述运放比较器的输出端通过电阻和外接电源连接。3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述可控硅电路包括可控硅模块，所述可控硅模块包括两个反极性并联的可控硅、。4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述可控硅模块的第一引脚和第二引脚接地，第四引脚串联电阻后接地，第二引脚和第三引脚之间还连接有电阻，第三引脚连接于电感的一端，电感的另一端连接BUS+，电解电容与散热电阻串联后并联在BUS+与BUS
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的两端，散热电阻并联于电解电容的两端。5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述可控硅电路还包括二极管和，二极管并联于电阻的两端，二极管的阴极连接可控硅电路第二引脚并接地，二极管的阳极连接可控硅电路第三引脚；二极管并联于电阻的两端，二极管的阴极连接可控硅电路的第四引脚，二极管的阳极接地。6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述可控硅驱动电路包括使能驱动电路、变压器、MOS管VT1和MOS管VT2，使能信号输入所述使能驱动电路，经变压器隔离后输入MOS管VT1...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱培文，潘小刚，朱国俊，束寅志，顾小军，
申请(专利权)人：江苏神州半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：