【技术实现步骤摘要】
改善发光亮度的发光二极管及其制备方法
[0001]本公开涉及光电子制造
,特别涉及一种改善发光亮度的发光二极管及其制备方法。
技术介绍
[0002]发光二极管(英文:Light Emitting Diode,简称:LED)通常包括:衬底、外延层和钝化层。衬底、外延层和钝化层,钝化层所在侧面为发光二极管的出光面。对于白光发光二极管,发光二极管发出的白光由自身发出的蓝光和蓝光激发荧光粉发出的黄光混合而成,所以白光的亮度由发光二极管的蓝光和蓝光激发荧光粉发出的黄光共同决定。
[0003]相关技术中,发光二极管的黄光传输路径有两个,一部分黄光由发光二极管的外延层向出光面出射,另一部分黄光会在发光二极管底部的衬底位置反射,并再次射向发光二极管的出光面。
[0004]然而,黄光经反射再次射向外延层和钝化层的过程中,各膜层会吸收部分光,降低了黄光的透射率,进而影响发光二极管的发光强度。
技术实现思路
[0005]本公开实施例提供了一种改善发光亮度的发光二极管及其制备方法,能提升黄光的透射率,改善发光二 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管,其特征在于,所述发光二极管包括:衬底(10)、外延层(20)、反射层(30)和增透层(40),所述反射层(30)、所述衬底(10)、所述外延层(20)和所述增透层(40)依次层叠,所述增透层(40)用于提升黄光的透射率。2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述增透层(40)包括第一膜层(41)和第二膜层(42),所述第一膜层(41)和所述第二膜层(42)依次层叠在所述外延层(20)上,所述第一膜层(41)的折射率高于所述第二膜层(42)的折射率。3.根据权利要求2所述的发光二极管,其特征在于,所述第一膜层(41)和所述第二膜层(42)的层数均为1层至10层。4.根据权利要求2所述的发光二极管,其特征在于,所述第一膜层(41)为氧化钛层,所述第二膜层(42)为氧化硅层,所述第一膜层(41)的厚度为900埃至950埃,所述第二膜层(42)的厚度为800埃至850埃。5.根据权利要求2所述的发光二极管,其特征在于,所述发光二极管还包括透明导电层(51),所述透明导电层(51)位于所述外延层(20)和所述增透层(40)之间,所述透明导电层(51)的厚度为150埃至200埃。6...
【专利技术属性】
技术研发人员:卫婷,尹灵峰,高艳龙,魏柏林,王江波,
申请(专利权)人:华灿光电浙江有限公司,
类型:发明
国别省市:
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