银纳米线触控电极单元及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及银纳米线触控电极单元及其制备方法和应用。制备方法包括：在透明基底表面制备第一保护胶层；在第一保护胶层表面制备第一疏水涂层并刻蚀，得到阵列排布的第一凹槽，第一凹槽深度与第一疏水涂层厚度相等；在第一凹槽中填充前驱体混合物，经紫外照射后去除极性溶剂，得到阵列排布的第一电极，前驱体混合物包括银纳米晶种、银源和极性溶剂；剥离刻蚀后第一疏水涂层，在第一电极表面制备第二保护胶层；重复第一凹槽和第一电极的制备步骤，得到阵列排布的第二凹槽和第二电极，第二凹槽与第一电极垂直，第二电极与刻蚀后第二疏水涂层为复合层，在复合层表面制备第三疏水涂层，得到银纳米线触控电极单元。该制备方法精度高、成本低。成本低。成本低。

【技术实现步骤摘要】
银纳米线触控电极单元及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及触控电极制备
，特别是涉及一种银纳米线触控电极单元及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]氧化铟锡（ITO）和银纳米线都是触控领域常用的传感电极材料。但由于铟（In）源稀缺、具有毒性，并且ITO触控电极的光电性能较低、具有易脆特性、制备工艺复杂成本高，严重限制了ITO触控电极的发展。与传统物理气相沉积（PVD）工艺制备ITO触控电极相比，银纳米线触控电极通过简单的湿法工艺即可制备得到，制备工艺简单且成本较低，使银纳米线触控电极具有更大的应用潜能。
[0003]但是，由于传统涂布工艺存在精度较低等问题，无法实现银纳米线触控电极的一步成型，需要全板涂布后利用干法或湿法刻蚀出阵列电极，这不仅消耗了大量银纳米线原料，增加了生产成本，而且降低了银纳米线触控电极相对于ITO触控电极的湿法工艺制备优势。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述问题，提供一种银纳米线触控电极单元及其制备方法和应用；所述制备方法不仅具有较高的制备精度，而且能够节约银纳米线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种银纳米线触控电极单元的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在透明基底表面制备第一保护胶层；在所述第一保护胶层背离所述透明基底的表面制备第一疏水涂层，将所述第一疏水涂层进行刻蚀，得到阵列排布的第一凹槽，且第一凹槽的深度与第一疏水涂层厚度相等；在阵列排布的所述第一凹槽中填充前驱体混合物，经紫外光照射后去除前驱体混合物中的极性溶剂，得到阵列排布的第一电极，其中，所述前驱体混合物包括银纳米晶种、银源和极性溶剂；剥离刻蚀后的所述第一疏水涂层，并在阵列排布的所述第一电极表面制备第二保护胶层；在所述第二保护胶层背离所述第一电极的表面制备第二疏水涂层，将所述第二疏水涂层进行刻蚀，得到阵列排布的第二凹槽，所述第二凹槽的深度与第二疏水涂层厚度相等，且任一所述第二凹槽与任一所述第一电极相互垂直；重复所述第一电极的制备步骤，得到阵列排布的第二电极，所述第二电极与刻蚀后的所述第二疏水涂层构成复合层，并在所述复合层表面制备第三疏水涂层，得到银纳米线触控电极单元。2.根据权利要求1所述的银纳米线触控电极单元的制备方法，其特征在于，所述第一疏水涂层选自氟化二氧化硅层，所述第一疏水涂层的厚度为500nm
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1000nm；及/或，所述第二疏水涂层选自氟化二氧化硅层，所述第二疏水涂层的厚度为500nm
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1000nm；及/或，所述第三疏水涂层选自氟化二氧化硅层，所述第三疏水涂层的厚度为200nm
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400nm。3.根据权利要求1所述的银纳米线触控电极单元的制备方法，其特征在于，所述第一凹槽的宽度为1μm
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑博达，陈洁，马登元，姜国康，汪聪，曾西，邓志吉，刘明，
申请(专利权)人：浙江大华技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：