一种碳纳米管阴极离子源装置及中子管制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种碳纳米管阴极离子源装置及中子管，碳纳米管阴极组件设置在支柱的一端，碳纳米管阴极组件远离支柱的一端设置有若干个凸点；第一绝缘体套装在碳纳米管阴极组件的外侧，栅极筒套装在第一绝缘体的外侧，栅极筒靠近碳纳米管阴极组件的端面上开设有与凸点对应的通孔；第二绝缘体套装在栅极筒的外侧，固定组件套装在支柱的外侧，固定组件的一端与阴极、第一绝缘体、栅极筒和第二绝缘体的一端相抵，阳极筒套装在第二绝缘体和固定组件的外侧。本发明专利技术离子源结构紧凑并提高了除气温度，能获得较大的离子流输出，既克服了磁材料结构件带来的结构复杂、材料除气温度低的缺点，又提高了离子源输出离子流，增强了离子源工作的稳定性。工作的稳定性。工作的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种碳纳米管阴极离子源装置及中子管


[0001]本专利技术属于测井
，涉及一种碳纳米管阴极离子源装置及中子管。

技术介绍

[0002]现有中子管离子源一般有冷阴极(或热阴极)潘宁离子源、射频离子源、微波离子源及弧放电离子源等，绝大部分为潘宁离子源。潘宁离子源均存在磁材料结构件，所产生的磁场与阳极筒、阴极产生的电场共同作用，在一定的气压范围使气体分子、原子电离形成需要的离子。磁材料的存在，一方面对离子源的高温材料除气有所限制，另一方面也使得离子源结构相对复杂，稳定性受到影响。
[0003]射频离子源、微波离子源虽然性能优良，但其自身结构复杂、附属结构较多，小型化较困难，因此，在通常的中子管结构中应用很少，弧放电离子源属脉冲型特种中子管用离子源。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于解决现有的离子源装置结构复杂，稳定性差，对离子源的高温材料除气有所限制，同时无法适应小型化的中子管等问题，提供一种碳纳米管阴极离子源装置及中子管。
[0005]为达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案予以实现：
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳纳米管阴极离子源装置，其特征在于，包括栅极筒(2)、阳极筒(3)、碳纳米管阴极组件、第一绝缘体、第二绝缘体、固定组件和支柱(9)；所述碳纳米管阴极组件设置在支柱(9)的一端，碳纳米管阴极组件远离支柱(9)的一端设置有若干个凸点；所述第一绝缘体套装在碳纳米管阴极组件的外侧，所述栅极筒(2)套装在第一绝缘体的外侧，栅极筒(2)靠近碳纳米管阴极组件的端面上开设有与凸点对应的通孔；所述第二绝缘体套装在栅极筒(2)的外侧，所述固定组件套装在支柱(9)的外侧，固定组件的一端与阴极(4)、第一绝缘体、栅极筒(2)和第二绝缘体的一端相抵；所述阳极筒(3)套装在第二绝缘体和固定组件的外侧。2.根据权利要求1所述的一种碳纳米管阴极离子源装置，其特征在于，所述碳纳米管阴极组件包括碳纳米管材料镀层(1)和阴极(4)；所述阴极(4)设置在支柱(9)的一端，阴极(4)远离支柱(9)的端面上轴向设置有若干个凸点和碳纳米管材料镀层(1)。3.根据权利要求2所述的一种碳纳米管阴极离子源装置，其特征在于，所述阴极(4)设置凸点的端面与栅极筒(2)设置通孔的端面之间存在间隙。4.根据权利要求3所述的一种碳纳米管阴极离子源装置，其特征在于，所述阴极(4)的一端开设凹槽，所述支柱(9)的一端镶嵌在阴极(4)凹槽内。5.根据权利要求4所述的一种碳纳米管...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳爱忠，刘炯，李兵，
申请(专利权)人：中国石油集团测井有限公司，
类型：发明
国别省市：