一种悬臂件的处理方法技术

本发明专利技术涉及机械加工技术领域，公开了一种悬臂件的处理方法，通过在真空室中，在悬臂件上沉积Si过渡层，并以石墨靶和Si靶为靶材，在沉积Si过渡层后的悬臂件上沉积SiC缓冲层，最后向真空室中通入氩气和甲烷，并以石墨靶为靶材，在沉积SiC缓冲层后的悬臂件上沉积DLC层，这样，DLC层的内应力能够通过Si过渡层、SiC缓冲层过渡缓冲得到释放，从而减小DLC层的内应力，进而改善悬臂件的应力情况，同时增强了悬臂件与DLC层的结合力，以及各个膜层之间的结合力，制得的DLC层均匀性好、表面平整。表面平整。表面平整。

【技术实现步骤摘要】
一种悬臂件的处理方法


[0001]本专利技术涉及机械加工
，特别是涉及一种悬臂件的处理方法。

技术介绍

[0002]目前，半导体制造领域中，悬臂件通常是磁头等滑块半导体的载体，悬臂件能够使半导体通过电连接，而实现其三维运动。悬臂件在加工过程中，会遇到由其切割、塑型而产生的内应力影响而造成的型变，该应力是有害的，其残存在悬臂件内，严重影响工件的疲劳强度、耐腐蚀性能以及工件的精度，使工件在服役过程中产生变形和开裂，进而影响工件的使用寿命，因此对工件残余应力的消除，对于进一步完善工件制造工艺以及保证工件使用安全具有重大意义。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的目的是提供一种悬臂件的处理方法，其能够改善悬臂件的应力情况。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种悬臂件的处理方法，包括：
[0005]在真空室中，在悬臂件上沉积Si过渡层；
[0006]以石墨靶和Si靶为靶材，在沉积Si过渡层后的悬臂件上沉积SiC缓冲层；
[0007]向真空室中通入氩气和甲烷，并以石墨靶为靶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种悬臂件的处理方法，其特征在于，包括：在真空室中，在悬臂件上沉积Si过渡层；以石墨靶和Si靶为靶材，在沉积Si过渡层后的悬臂件上沉积SiC缓冲层；向真空室中通入氩气和甲烷，并以石墨靶为靶材，在沉积SiC缓冲层后的悬臂件上沉积DLC层。2.如权利要求1所述的悬臂件的处理方法，其特征在于，在所述在真空室中，在悬臂件上沉积Si过渡层之前，还包括：采用乙醇对悬臂件进行超声清洗；将超声清洗后的悬臂件放入去离子水中漂洗；将漂洗后的悬臂件用氮气吹干。3.如权利要求2所述的悬臂件的处理方法，其特征在于，在所述将漂洗后的悬臂件用氮气吹干之后，还包括：用细砂纸将悬臂件抛光；将抛光后的悬臂件浸入混合酸液中；取出浸泡后的悬臂件，并将其放入真空室的样品台；对真空室抽真空至3.0
×
10
‑3pa，并通入氩气，使真空室中的气压达到2～3Pa，在悬臂件上施加
‑
100V的偏压，以使辉光放电形成的氩等离子体悬臂件进行溅射；以石墨、Ti、Si和Cu中的至少一种作为靶材，对悬臂件进行溅射，溅射时间为5min。4.如权利要求1
‑
3任一项所述的悬臂件的处理方法，其特征在于，所述在真空室中，在悬臂件上沉积Si过渡层，具体包括：调整真空室中的氩气压强至10
‑1～10
‑2Pa，将悬臂件加热至200～220℃，并以Si靶为靶材在悬臂件上溅射Si过渡层，电源功率为500W，负偏压为
‑
500V。5.如权利要求4所述的悬臂件的处理方法，其特征在于，以Si靶为靶材在悬臂件上溅射Si过渡层的溅射时间为20
‑
25min。6.如权利要求1
‑
3任一项所述的悬臂件的处理方法，其特征在于，所述以石墨靶和Si靶为靶材，在沉积Si过渡层后的悬臂件上沉积SiC缓冲层，具体包括：调整真空室中的氩气压强至10Pa，氩气气流为118sc...

【专利技术属性】
技术研发人员：李万品，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：