一种存储器及存储器修复方法技术

本发明专利技术公开了一种存储器，包括存储区、失效记录区和修复电路；存储区设置有冗余位元；失效记录区设置有多态位元，多态位元用于记录存储区中失效位元的位置信息；修复电路用于根据位置信息通过冗余位元对失效位元进行修复。由于多态位元代表三进制或者其他进制，使用多态位元存储信息相较于传统的二级制可以存储更多的信息，从而在修复时所用修复位少于传统修复方式，修复效率高，消耗资源少，同时在芯片工作过程中，也可进行即时修复，提高芯片可靠性。本发明专利技术还提供了一种存储器修复方法，同样具有上述有益效果。具有上述有益效果。具有上述有益效果。

【技术实现步骤摘要】
一种存储器及存储器修复方法


[0001]本专利技术涉及存储器
，特别是涉及一种存储器以及一种存储器修复方法。

技术介绍

[0002]在集成电路中，为提升存储芯片良率，因此在设计存储器时，会利用内部部分空间作为冗余存储位区域，当测试到故障位时，可以提供冗余存储位代替故障位来进行修复。
[0003]目前，存储器一般采用冗余电路进行修复，但行冗余电路的结构相对复杂，若将行冗余加至存储器的冗余存储位中，会造成存储器面积大量增加；而且，修复组数通常很少，通常都会进行一整行或者一整列的修复，修复效率低。所以如何提供一种具有较高修复效率的存储器是本领域技术人员急需解决的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种存储器，具有较高的修复效率；本专利技术的另一目的在于提供一种存储器修复方法，具有较高的修复效率。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种存储器，包括存储区、失效记录区和修复电路；
[0006]所述存储区设置有冗余位元；
[0007]所述失效记录区设置有多态位元，所述多态本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括存储区、失效记录区和修复电路；所述存储区设置有冗余位元；所述失效记录区设置有多态位元，所述多态位元用于记录所述存储区中失效位元的位置信息；所述修复电路用于根据所述位置信息通过所述冗余位元对所述失效位元进行修复。2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述修复电路具体用于：根据所述位置信息，使用冗余位元替代所述位置信息对应的失效位元，以对所述存储区进行修复。3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述多态位元为三态位元。4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储区中每个字节均设置有所述冗余位元。5.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括ECC修复电路，所述存储区还包括ECC数据区；所述ECC数据区包括ECC位元，所述ECC位元用于存储对应所述存储区中失效位元的ECC信息；所述ECC修复电路用于根据所述ECC信息对所述失效位元进行修复。6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述多态位元还用于记录所述ECC数据区中失效位元的位置信息。7.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于，还包括寄存器、内部自测模块和失效监测模块；所述失效检测模块用于将所述ECC数据区生成的对应失效位元的失效地址存储至所述寄存器；所述内部自测模块用于：将所述失效地址与所述失效地址对应的ECC信息写入所述寄存器；将所述失效地址对应的位置信息写入所述多态位元，以通过所述修复电路根据所述位置信息通过所述冗余位元对所述失效位元进行修复；在修复所述失效位元之后，根据所述寄存器中存储的所述失效地址与所述ECC信息向修复后的位元写入数据。8.一种存储器修复方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏凯，周亚星，何世坤，徐晓波，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：