固态成像设备、制造固态成像设备的方法及电子设备技术

提供一种能够进一步提高固态成像设备的质量和可靠性的固态成像设备。一种固态成像设备，包括：第一基板；第二基板，在第一基板的与光入射侧相对的一侧通过直接接合层压在第一基板上，第二基板具有与第一基板的尺寸不同的尺寸；第三基板，设置在第二基板的与光入射侧相对的一侧；以及绝缘层，形成在第一基板与第三基板之间，所述第三基板包括形成在第三基板的光入射侧的阱。的光入射侧的阱。的光入射侧的阱。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固态成像设备、制造固态成像设备的方法及电子设备


[0001]本技术涉及固态成像设备、制造固态成像设备的方法及电子设备。

技术介绍

[0002]一般而言，诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器和电荷耦合器件(CCD)之类的固态成像设备广泛用在数码相机、数码摄像机等领域。
[0003]近年来，作为使得能够降低用于大型相机的图像传感器的成本以及多种类型的逻辑和存储器芯片的混合安装的接合技术，将芯片直接接合到晶片或芯片的晶片上芯片(CoW)或芯片上芯片(CoC)已得到积极开发(例如，参见专利文献1)。
[0004]引文列表
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：WO 2019/087764 A

技术实现思路

[0007]本专利技术要解决的问题
[0008]但是，专利文献1中提出的技术可能无法进一步提高固态成像设备的质量和可靠性。
[0009]因此，本技术是鉴于这种情况而做出的，并且其主要目的是提供能够进一步提高固态成像设备的质量和可靠性的固态成像设备和制造该固态成像设备的方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种固态成像设备，包括：第一基板；第二基板，在所述第一基板的与光入射侧相对的一侧通过直接接合而层压在所述第一基板上，所述第二基板具有与所述第一基板的尺寸不同的尺寸；第三基板，设置在所述第二基板的与光入射侧相对的一侧；以及绝缘层，在所述第一基板与所述第三基板之间形成，其中所述第三基板包括形成在所述第三基板的光入射侧的阱。2.根据权利要求1所述的固态成像设备，其中所述第三基板与所述第二基板接触，以及所述第三基板与所述绝缘层接触。3.根据权利要求1所述的固态成像设备，其中包括在所述第三基板中的所述阱被形成为分隔包括在所述第二基板中的不同电位区域。4.根据权利要求1所述的固态成像设备，其中包括在所述第三基板中的所述阱被形成直到与所述第二基板的面向所述绝缘层的端面对应的区域，并且所述阱的端面与所述第二基板的所述端面彼此基本齐平。5.根据权利要求1所述的固态成像设备，其中包括在所述第三基板中的所述阱被形成直到与所述第二基板的面向所述绝缘层的端面的外侧对应的区域，所述阱的端面不与所述第二基板的所述端面齐平，并且所述阱的所述端面位于与所述绝缘层对应的区域中。6.根据权利要求1所述的固态成像设备，其中所述第二基板包括形成在所述第二基板的与光入射侧相对的一侧的阱。7.根据权利要求1所述的固态成像设备，其中所述第三基板包括形成在所述第三基板的光入射侧的阱和基板，以及所述阱的至少一部分或所述基板的至少一部分中的至少一者电连接到所述第二基板。8.根据权利要求1所述的固态成像设备，其中所述第三基板的与所述第二基板接触的表面的至少部分区域具有1Ωcm或更大的电阻。9.根据权利要求1所述的固态成像设备，其中所述第二基板的与所述第三基板接触的表面和所述绝缘层的与所述第三基板接触的表面基本彼此齐平。10.根据权利要求1所述的固态成像设备，其中所述绝缘层包括无机氧化物膜或有机膜中的至少一种。11.一种固态成像设备，包括：第一基板；第二基板，在所述第一基板的与光入射侧相对的一侧通过直接接合而层压在所述第一基板上，所述第二基板具有与所述第一基板的尺寸不同的尺寸；第三基板，设置在所述第二基板的与光入射侧相对的一侧；绝缘层，形成在所述第一基板与所述第三基板之间；以及至少一个膜，形成在所述第一基板与所述第三基板之间并且包括与构成所述绝缘层的材料不同的材料，其中所述绝缘层和所述至少一个膜从光入...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋山健太郎，平塚龙将，龟井贵弘，新田阳介，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：