辐射测温方法、装置、电子设备和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及辐射测温技术领域，提供一种辐射测温方法、装置、电子设备和存储介质，该方法包括：根据反射光的第一方位角、反射光的第一天顶角以及转换系数，确定第一漫反射比；根据所述第一天顶角、所述转换系数、入射光的第二方位角以及入射光的第二天顶角，确定第二漫反射比；根据所述第一漫反射比和所述第二漫反射比，确定第三漫反射比；根据所述第三漫反射比和设定参数确定被测物体的温度。本发明专利技术通过测量任意观测角的第三漫反射比，再基于第三漫反射比进行辐射测温，如此，提高了辐射测温的准确性。确性。确性。

【技术实现步骤摘要】
辐射测温方法、装置、电子设备和存储介质


[0001]本专利技术涉及辐射测温
，尤其涉及一种辐射测温方法、装置、电子设备和存储介质。

技术介绍

[0002]由于任何物体的温度如果超过绝对零度都会不断地向周围空间发出红外辐射能量，因此，通过对物体自身辐射的红外能量的测量，可以测量物体的表面温度。在辐射测温的过程中，漫反射比的测量影响物体表面温度的测量结果。
[0003]目前，漫反射比的测量方式包括夏普
‑
利特法、科特法以及辅助积分球法，但上述测量方式只能测量观测角为0度条件或者近似0度条件下的漫反射比，无法实现可调的任意观测角的漫反射比测量，从而导致辐射测温的准确率低。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种辐射测温方法、装置、电子设备和存储介质，用以解决辐射测温准确率低的问题，通过测量任意观测角的第三漫反射比，再基于第三漫反射比进行辐射测温，如此，提高了辐射测温的准确性。
[0005]本专利技术提供一种辐射测温方法，包括：
[0006]根据反射光的第一方位角、反射光的第一天顶角本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种辐射测温方法，其特征在于，包括：根据反射光的第一方位角、反射光的第一天顶角以及转换系数，确定第一漫反射比；根据所述第一天顶角、所述转换系数、入射光的第二方位角以及入射光的第二天顶角，确定第二漫反射比；根据所述第一漫反射比和所述第二漫反射比，确定第三漫反射比；根据所述第三漫反射比和设定参数确定被测物体的温度。2.根据权利要求1所述的辐射测温方法，其特征在于，所述设定参数包括辐射探测信号、发射率、亮度辐射强度和透射比；所述根据所述第三漫反射比和设定参数确定被测物体的温度，包括：根据所述第三漫反射比、所述辐射探测信号、所述发射率、所述亮度辐射强度和所述透射比，确定辐射亮度；根据所述辐射亮度和所述被测物体的温度的关联关系，确定所述被测物体的温度。3.根据权利要求1所述的辐射测温方法，其特征在于，所述根据反射光的第一方位角、反射光的第一天顶角以及转换系数，确定第一漫反射比的公式如下：其中，ρ
0/d
表示第一漫反射比，k表示转换系数，φ
r
表示反射光的第一方位角，θ
r
表示反射光的第一天顶角。4.根据权利要求1所述的辐射测温方法，其特征在于，所述根据所述第一天顶角、所述转换系数、入射光的第二方位角以及入射光的第二天顶角，确定第二漫反射比的公式如下：其中，ρ
D/θ
表示第二漫反射比，k表示转换系数，θ
r
表示反射光的第一天顶角，θ
i
表示入射光的第二天顶角，φ
i
表示入射光的第二方位角。5.根据权利要求1所述的辐射测温方法，其特征在于，所述根据所述第一漫反射比和所述第二漫反射比，确定第三漫反射比的公式如下：其中，ρ
′
D/θ
表示第三漫反射比，ρ
0/d

【专利技术属性】
技术研发人员：冯国进，王景辉，贺书芳，甘海勇，
申请(专利权)人：中国计量科学研究院，
类型：发明
国别省市：