一种低应力键合胶材料及制备方法技术

一种低应力键合胶材料及制备方法，本发明专利技术涉及键合胶材料及制备方法。解决现有临时键合胶材料无法兼顾高耐温等级与低应力的问题。一种低应力键合胶材料由环烯烃共聚物树脂、与催化剂预混合后的环戊二烯、抗氧化剂及溶剂制备而成；制备方法：一、称取；二、将环烯烃共聚物树脂加入到溶剂中，加热搅拌，然后停止加热，继续搅拌，待冷却至室温后，加入抗氧化剂，待抗氧化剂溶解后，加入与催化剂预混合后的环戊二烯，室温下继续搅拌；本发明专利技术用于低应力键合胶材料及制备。及制备。及制备。

【技术实现步骤摘要】
一种低应力键合胶材料及制备方法


[0001]本专利技术涉及键合胶材料及制备方法。

技术介绍

[0002]基于摩尔定律的器件按比例缩小的终结以及延续这个传奇定律的下一代光刻技术一直是近十年来争论的话题，面临不断增加的挑战，三维(3D)器件已经成为一个制造更小、速度更快、具有更强功能器件的可行解决方案。三维集成和封装需要新的方法来加工和处理晶圆。通常情况下，通过硅通孔制造的3D结构(TSV)被认为是3D集成。多数的堆叠器件，通常包含晶圆减薄工艺并且需要一些薄晶圆处理的方法，减薄到150μm或更薄的晶圆，已经证明处理过程中没有明显损坏，但这些晶圆需要高度复杂并且昂贵的设备处理以避免损坏。在厚度大于100μm时，TSV的形成和填充会具有一定困难，并且昂贵。而采用更薄的衬底，互连延迟和散热问题可以更好地解决。要使TSV技术可以实现，晶圆必须减薄到100μm或更薄。减薄的硅晶圆十分脆弱并且往往存在扭曲和凹陷情况，而该风险随着晶圆尺寸的增加而上升。大多数3D集成电路(IC)制造商非常希望晶圆厚度减薄到50μm或更小以实现3D集成的全部优点。处理这样薄的晶圆要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低应力键合胶材料，其特征在于它按质量份数由100份环烯烃共聚物树脂、2份～10份与催化剂预混合后的环戊二烯、0.1份～0.5份抗氧化剂及100份～250份溶剂制备而成；所述的环戊二烯为双环戊二烯或1
‑
戊基
‑
2,4
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环戊二烯；所述的双环戊二烯的结构式为所述的1
‑
戊基
‑
2,4
‑
环戊二烯的结构式为2.根据权利要求1所述的一种低应力键合胶材料，其特征在于所述的环烯烃共聚物树脂的重均分子量为50000～300000，玻璃化转变温度为80℃以上。3.根据权利要求1所述的一种低应力键合胶材料，其特征在于所述的催化剂为三壬基酚三氯化钨、一氯二乙基铝、二氯乙基铝、二异丁基氯化铝、甲基二氯化铝和二甲基氯化铝中的一种或其中几种的混合。4.根据权利要求1所述的一种低应力键合胶材料，其特征在于所述的抗氧化剂为酚类抗氧剂或亚磷酸盐类抗氧剂。5.根据权利要求1所述的一种低应力键合胶材料，其特征在于所述的抗氧化剂为季戊四醇四(3
‑
(3，5
‑
二叔丁基
‑4‑
羟苯基)丙酸酯)和三(2，4
‑
二叔丁基苯基)亚磷酸酯中的一种或两种的混合。6.根据权利要求1所述的一种低应力键合胶材料，其特征在于所述的溶剂的沸点为100℃～230℃。7.根据权利要求6所述的一种低应力键合胶材料，其特征在于所述的溶剂为双戊烯、1
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十二烯，环十二烯、蒎烯、双环己烯、环辛烷、环戊烷、环庚烷、丁酮、环己酮、环戊酮、D
‑
柠檬烯或丁基环己烷。8.根据权利要求1所述的一种低应力键合胶材料，其特征在于所述的1
‑
戊基
‑
2,4
‑
环戊二烯具体是按以下步骤制备：
①
将双环戊二烯加热至140℃～180℃，收集37℃～42℃的馏分，得到液体环戊二烯，将液体环戊二烯置于0℃或0℃以下的低温环境中密封贮存备用；
②
利用四氢呋喃溶解液体环戊二烯，得到环戊二烯的四氢呋喃溶液；在氮气保护下，向NaH中加入四氢呋喃并溶解，得到反应体系，在冰浴的条件下，使反应体系保持在0℃，在滴加速度为0.5mL/s～1mL/s的条件下，将环戊二烯的四氢呋喃溶液缓慢滴加至反应体系中，反应4h～6h，得到CPD

【专利技术属性】
技术研发人员：范旭鹏，刘长威，王德志，李洪峰，曲春艳，赵立伟，周东鹏，宿凯，冯浩，肖万宝，张杨，杨海冬，杜程，李开芹，程羽，
申请(专利权)人：黑龙江省科学院石油化学研究院，
类型：发明
国别省市：