一种高电阻率功率型的MnZn铁氧体材料及其制备方法技术

技术编号:37966125 阅读:28 留言:0更新日期:2023-06-30 09:41
本发明专利技术提供一种高电阻率功率型的MnZn铁氧体材料及其制备方法,涉及铁氧体材料技术领域。一种高电阻率功率型的MnZn铁氧体材料,包括以下质量百分比的原料:氧化铁50~60mol%、氧化锰30~40mol%、氧化锰5~10mol%、碳酸钙0.008~0.06wt%、五氧化二铌0.01~0.05wt%、氧化锡0.01~0.05wt%、二氧化锆0.01~0.08wt%、五氧化二钒0.01~0.03wt%、二氧化钛0.01~0.05wt%、氧化铋0.01~0.05wt%、氧化铜0.01~0.03wt%、二氧化硅0.01~0.03wt%,通过铁氧体粉料中的碳酸钙和二氧化硅混合物在高温烧结时将集中在晶粒边界上,而形成高电阻率的阻挡层,同时优化结烧工艺为基础同时配合上述配料进行组合掺杂,进一步提高晶界电阻率、降低功率损耗以及提高导磁率的效果,使得铁氧体的综合性能得到提升。使得铁氧体的综合性能得到提升。

【技术实现步骤摘要】
一种高电阻率功率型的MnZn铁氧体材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及铁氧体材料
,具体为一种高电阻率功率型的MnZn铁氧体材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]软磁铁氧体材料是一种在较弱的磁场作用下,很容易被磁化和退磁的铁氧体材料,作为展早、种类多、用途广泛的材料,软磁铁氧体已经成为经济发展中较为重要的产品之一,近来,随着计算机网络技术、通信技术和电力技术等电子信息技术的发展,传统领域对性能优的软磁铁氧体材料的需求不断增加;软磁铁氧体的应用也不断延伸至其它的领域,业已成为种通信设备、计算机、家用电器、汽车电子、电源装置、仪器仪表、航天工业等不可缺少的种基础材料。
[0003]随着电子元器件向高性能化的方向发展,对与MnZn铁氧体材料的电阻率、功率损耗和磁导率提出了更为严格的要求,目前传统的MnZN铁氧体材料的电阻率性、功率损耗和磁导率已经无法应对更高的市场需求。

技术实现思路

[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足,本专利技术提供了一种高电阻率功率型的MnZn铁氧体材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高电阻率功率型的MnZn铁氧体材料,其特征在于:包括以下质量百分比的原料:氧化铁50~60mol%、氧化锰30~40mol%、氧化锰5~10mol%、碳酸钙0.008~0.06wt%、五氧化二铌0.01~0.05wt%、氧化锡0.01~0.05wt%、二氧化锆0.01~0.08wt%、五氧化二钒0.01~0.03wt%、二氧化钛0.01~0.05wt%、氧化铋0.01~0.05wt%、氧化铜0.01~0.03wt%、二氧化硅0.01~0.03wt%。2.根据权利要求1所述的一种高电阻率功率型的MnZn铁氧体材料的制备方法,其特征在于:包括以下加工步骤:S1.原料处理选择纯度高、活性好的氧化铁、氧化锰和氧化锰原料,将选取好的原料按配比放入真空干燥箱内进行低温烘干,烘干温度为50~60℃,烘干时间为40~60min,再将干燥好的原料密封干燥保存备用;S2.第一次球磨将步骤S1中制备的原料加入行星式球磨机内进行球磨,球磨时间为2~2.5h,旋转速度为300~400r/min,其目的主要是使各粉料的化学活性升高,从而使混合更加均匀,增大不同原料颗粒间的接触面,促进后续预烧过程的固相反应;S3.预烧首先将步骤S2中第一次球磨制得的原料粉末加入马弗炉中,以200℃/h的升温速率加温至600~700℃,然后再以100℃/h的升温速率从600~700℃加温至900~1000℃,再以900~1000℃的温度保温2~2.5h,最后关闭设备,随炉冷却4~5h;S4.掺杂将碳酸钙、五氧化二铌、氧化锡、二氧化锆、五氧化二钒、二氧化钛、氧化铋、氧化铜、二氧化硅按比例加入到步骤S3中预烧之后的原料中混合搅拌均匀备用;S5.第二次球磨将步骤S4中制备的铁氧体粉料再次加入行星式球磨机内进行球磨,球磨时间为1.5~2.5h,旋转速度为400~500r/min,把包在反应层内部的原料暴露出...

【专利技术属性】
技术研发人员:程寒龙彬杨建明沈卫明胡笛
申请(专利权)人:常熟浩博电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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