一种高频等离子制备纳米VC和钴复合粉体的方法技术

本发明专利技术公开了一种高频等离子制备纳米VC和钴复合粉体的方法，包括：一、分别称取微米级钴粉和微米级VC粉体，并将所述钴粉和VC粉体加入机械球磨机中，进行机械混合，得到混合粉体；其中，所述混合粉体中VC粉体的质量分数为40％～80％，其余为钴粉；二、在真空反应室中充入惰性气体，使所述真空反应室内的气压值处于0.01～0.03MPa；三、运行高频感应等离子体装置，在惰性气体的协同下将所述混合粉体送入等离子区后，冷却，得到外包金属钴的VC陶瓷颗粒；四、筛选粒径为600nm以下的外包金属钴的VC陶瓷颗粒，得到所述纳米VC和钴复合粉体。本发明专利技术提供的高频等离子制备纳米VC和钴复合粉体的方法，能够解决陶瓷颗粒与金属基体界面结合不佳的问题，而且能够避免纳米颗粒团聚。而且能够避免纳米颗粒团聚。而且能够避免纳米颗粒团聚。

【技术实现步骤摘要】
一种高频等离子制备纳米VC和钴复合粉体的方法


[0001]本专利技术属于纳米颗粒粉体制备
，特别涉及一种高频等离子制备纳米VC和钴复合粉体的方法。

技术介绍

[0002]随着工业化的快速崛起，将高强度的陶瓷颗粒和强韧性的金属结合是材料研究的热点问题。研究表明，金属基体中陶瓷颗粒只有少部分发挥作用，大部分由于纳米颗粒团聚无法高效发挥强化作用。其次在材料变形过程中，纳米陶瓷颗粒与金属基体间的界面结合也是影响最终力学性能的一个主要原因。所以如何提高纳米颗粒的有效强化效果，将从提高陶瓷颗粒在熔体中分散性以及与金属基体界面结合方向出发，这项工作对于纳米颗粒强化金属基体具有一定的指导意义以及可操实用性。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种高频等离子制备纳米VC和钴复合粉体的方法，其能够大批量生产钴包覆的VC陶瓷颗粒，利用金属钴全包覆VC颗粒赋予陶瓷颗粒新的金属过渡层，金属过渡层的存在能够促进界面结合，解决陶瓷颗粒与金属基体界面结合不佳的问题，而且能够避免纳米颗粒团聚。
[0004]本专利技术提供的技术方案为：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高频等离子制备纳米VC和钴复合粉体的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、分别称取微米级钴粉和微米级VC粉体，并将所述钴粉和VC粉体加入机械球磨机中，进行机械混合，得到混合粉体；其中，所述混合粉体中VC粉体的质量分数为40％～80％，其余为钴粉；步骤二、在真空反应室中充入惰性气体，使所述真空反应室内的气压值处于0.01～0.03MPa；步骤三、运行高频感应等离子体装置，在惰性气体的协同下将所述混合粉体送入等离子区后，冷却，得到外包金属钴的VC陶瓷颗粒；步骤四、筛选粒径为600nm以下的外包金属钴的VC陶瓷颗粒，得到所述纳米VC和钴复合粉体。2.根据权利要求1所述的高频等离子制备纳米VC和钴复合粉体的方法，其特征在于，在所述步骤一中，VC粉体粒径为为20～100微米；钴粉的粒径为20～200微米。3.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨宏宇，钟鑫淼，董柏欣，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：