一种辐射加热灯的仿真方法技术

本发明专利技术公开了一种辐射加热灯的仿真方法，涉及半导体生产工艺中加热炉领域；根据晶圆表面温度和表面均匀性的要求，得到灯泡功率数值，包括：确定不同时间范围内晶圆表面温升速率及目标温度，确定要求的晶圆表面温差，建立有限元模型，选择的数学模型，设定监测参数，设定根据输出监测参数更新输入参数，多次迭代后，可得出满足条件要求的灯泡功率；仅需要一次CFD仿真计算，就可以获得不同要求条件下，不同尺寸晶圆需要的输入功率数值。同尺寸晶圆需要的输入功率数值。同尺寸晶圆需要的输入功率数值。

【技术实现步骤摘要】
一种辐射加热灯的仿真方法


[0001]本专利技术涉及半导体生产工艺中加热炉领域，尤其涉及一种辐射加热灯的仿真方法。

技术介绍

[0002]晶圆的制造工艺的主要目的是在硅片上制作电路与电子组件，是半导体全制程中所需技术最复杂且资金投入最多的制程，基本处理步骤通常都是硅片先经过适当的清洗之后，接着进行氧化及沉积，最后进行显影、蚀刻及掺杂等反复的工艺步骤，完成硅片上电路的加工与制作形成晶圆，其中在涂覆光刻胶之前需要对晶圆进行热处理，本专利技术针对的对象为热处理工艺中的晶圆加热炉。
[0003]在晶圆热处理工艺中，晶圆加热炉灯泡功率仅能通过人工不断调试实验来达到目标要求，因此，需要一种方法，在满足目标条件要求的同时，缩短研发周期。

技术实现思路

[0004]针对上述现有技术的不足，提供一种辐射加热灯的仿真方法，以适应类似结构的晶圆不同温度要求，快速准确的计算出灯泡功率数值。
[0005]为实现上述目的，本专利技术所采取的技术方案是：
[0006]一种辐射加热灯的仿真方法，包括：
[0007]根据晶圆的传热本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种辐射加热灯的仿真方法，其特征在于：包括：根据传热方式，几何模型，几何模型的材料建立晶圆表面功率仿真模型，使用压力基求解器进行求解；将晶圆表面温升速率、目标温度及表面温差作为约束条件；对几何模型进行有限元网格划分，建立多个晶圆表面温度监测点，以获取晶圆的表面温差；通过调节每组辐射加热灯的功率，使监测点温度达到目标温度；迭代调节温差不达标所在辐射加热灯组功率，直至满足晶圆的目标温度；获取满足要求的辐射加热灯组输入功率数值。2.如权利要求1所述的辐射加热灯的仿真方法，其特征在于：所述晶圆表面功率仿真模型，包括：能量方程和辐射模型。3.如权利要求2所述的辐射加热灯的仿真方法，其特征在于：所述能量方程为：式(1)中,式(2)中h为显焓，理想气体的定义为：h＝∑
j
Y
j
h
j
(3)不可压缩流体定义为：k
eff
为有效导热率，为组分j的扩散通量，S
h
为体积内热源；表示由热传导引起的能量转移；表示由组分扩散引起的能量转移；表示由粘性耗散引起的能量转移。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：祁广杰，赵丽新，王昕，曹译丹，王志军，初春，侯振华，李志达，
申请(专利权)人：东能沈阳能源工程技术有限公司，
类型：发明
国别省市：