【技术实现步骤摘要】
显示面板和显示装置
[0001]本公开至少一个实施例涉及一种显示面板和显示装置。
技术介绍
[0002]随着显示技术的不断发展,有源矩阵型有机发光二极管(Active
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Matrix Organic Light
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Emitting Diode,AMOLED)显示技术因其自发光、广视角、高对比度、低功耗、高反应速度等优点已经在手机、平板电脑、数码相机等显示装置上得到越来越多地应用。
技术实现思路
[0003]本公开的至少一个实施例涉及一种显示面板和显示装置,以避免或减轻残像、拖影等显示不良。
[0004]本公开的至少一个实施例提供一种显示面板,包括:衬底基板;像素电路,位于所述衬底基板上,并包括驱动晶体管、阈值补偿晶体管、以及数据写入晶体管,栅线,与所述阈值补偿晶体管的栅极相连,并沿第一方向延伸;以及扫描线,与所述数据写入晶体管的栅极相连,并所述沿第一方向延伸;所述阈值补偿晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第一极相连,所述阈值补偿晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极相连 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示面板,包括:衬底基板;像素电路,位于所述衬底基板上,并包括驱动晶体管、阈值补偿晶体管、以及数据写入晶体管;栅线,与所述阈值补偿晶体管的栅极相连,并沿第一方向延伸;以及扫描线,与所述数据写入晶体管的栅极相连,并所述沿第一方向延伸,其中,所述阈值补偿晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第一极相连,所述阈值补偿晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极相连,所述数据写入晶体管与所述驱动晶体管的第二极相连,所述阈值补偿晶体管的有源层的材料包括低温多晶硅,所述栅线和所述扫描线沿所述第二方向排列,所述第二方向与所述第一方向相交,所述栅线和所述扫描线不同,所述数据写入晶体管的有源层在所述第二方向上位于所述驱动晶体管的有源层的远离所述阈值补偿晶体管的有源层的一侧。2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述栅线和所述扫描线分别设置在所述驱动晶体管的有源层的两侧。3.根据权利要求1或2所述的显示面板,还包括发光元件,其中,所述像素电路被配置为驱动所述发光元件,所述像素电路还包括与所述驱动晶体管的栅极相连的第一复位晶体管;所述发光元件包括第一电极、第二电极、以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光功能层,所述第一电极比所述第二电极更靠近所述衬底基板。4.根据权利要求3所述的显示面板,其中,所述发光元件的所述第一电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一复位晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影交叠,并且所述发光元件的所述第一电极在所述衬底基板上的正投影与所述阈值补偿晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影交叠。5.根据权利要求4所述的显示面板,其中,所述发光元件的所述第一电极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一有源层和所述第二有源层中至少之一在所述衬底基板上的正投影。6.根据权利要求3
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5任一项所述的显示面板,其中,所述第一复位晶体管的有源层包括第一沟道和第二沟道,所述第一沟道和所述第二沟道通过第一导电部相连,所述阈值补偿晶体管的有源层包括第三沟道和第四沟道,所述第三沟道和所述第四沟道通过第二导电部相连。7.根据权利要求6所述的显示面板,其中,所述发光元件的所述第一电极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一导电部和所述第二导电部中至少之一在所述衬底基板上的正投影。8.根据权利要求6所述的显示面板,其中,所述发光元件的所述第一电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一导电部在所述衬底基板上的正投影交叠,并且所述发光元件的所述第一电极在所述衬底基板上的正投影与所述第二导电部在所述衬底基板上的正投影交叠。
9.根据权利要求4
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8任一项所述的显示面板,还包括发光控制信号线,其中,所述像素电路还包括第一发光控制晶体管,所述发光控制信号线在所述衬底基板上的正投影和所述第一发光控制晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影交叠,所述第一发光控制晶体管和所述数据写入晶体管通过第一导电连接件相连,所述发光控制信号线在所述衬底基板上的正投影和所述第一导电连接件在所述衬底基板上的正投影交叠。10.根据权利要求9所述的显示面板,其中,所述第一导电连接件与所述第一发光控制晶体管的有源层位于不同的层。11.根据权利要求9或10所述的显示面板,其中,所述第一导电连接件的一端通过第一过孔与所述数据写入晶体管相连,所述第一导电连接件的另一端通过第二过孔与所述第一发光控制晶体管相连。12.根据权利要求9
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11任一项所述的显示面板,其中,所述第一过孔位于所述发光控制信号线和所述扫描线之间。13.根据权利要求9
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12任一项所述的显示面板,其中,所述发光控制信号线在所述衬底基板上的正投影与所述数据写入晶体管在所述衬底基板上的正投影不交叠。14.根据权利要求4
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13任一项所述的显示面板,还包括存储电容和第一电源线,其中,所述存储电容的第一极板与所述驱动晶体管的栅极相连,...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭永林,
申请(专利权)人:成都京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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