一种可编程PWM延时电路设计方法技术

本发明专利技术公开了一种可编程PWM延时电路，包括可编程上升沿延时电路和可编程下降沿延时电路，所述的可编程上升沿延时电路包括上升沿延时单元阵列和上升沿多路开关，上升沿延时单元是构成上升沿延时单元阵列的基本单元，可编程下降沿延时电路包括下降沿延时单元阵列和下降沿多路开关，下降沿延时单元是构成下降沿延时单元阵列的基本单元。本发明专利技术通过分别对PWM上升沿和下降沿延时的调节，实现了可调死区时间、可调脉冲宽度、最小化脉冲宽度偏差，适用于各种具有延时设计需求的驱动电路中，该电路设计方法具有结构简单、器件参数易调、可靠性高等特点。性高等特点。性高等特点。

【技术实现步骤摘要】
一种可编程PWM延时电路设计方法


[0001]本专利技术涉及延时电路设计方法
，尤其是一种可编程PWM延时电路设计方法。

技术介绍

[0002]高压半桥驱动电路主要用于驱动N型MOSFET或IGBT所构成的半桥逆变网络，广泛应用在电机驱动、开关电源、电力电子等领域。高压半桥驱动电路有两条输入(HIN和LIN)输出(HO和LO)通道，分别为高边(High side)和低边(Low side)，高边通道用于驱动上桥臂功率管，低边通道用于驱动下桥臂功率管。微控制器(MCU)产生低压脉冲宽调制(PWM)驱动信号供给高压驱动电路的输入端(HIN和LIN)，一般为0～3.3V或0～5V；高低边PWM信号在驱动电路中经过滤波、电平位移、功率放大后，通过HO和LO端口输出给上下桥臂功率管的栅极，输入的PWM信号在经过上述过程后，将会产生脉冲宽度偏差(PWD)和高低边延时偏差的问题，可能导致上下桥臂发生直通的危险。典型的高压半桥驱动电路中，常常采用RC延时电路来产生死区时间、或作为滤波电路、延时匹配电路来使用。(如图1所示，相似的概念或设计可见专利CN20本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可编程PWM延时电路设计方法，其特征是：所述的可编程PWM延时电路(PDC)包括可编程上升沿延时电路(PREDC)和可编程下降沿延时电路(PFEDC)，所述的可编程上升沿延时电路(PREDC)包括上升沿延时单元阵列(REDUA)和上升沿多路开关(MUX RED)，上升沿延时单元(REDU)是构成上升沿延时单元阵列的基本单元，可编程下降沿延时电路(PFEDC)包括下降沿延时单元阵列(FEDUA)和下降沿多路开关(MUX FED)，下降沿延时单元(FEDU)是构成下降沿延时单元阵列的基本单元；所述的可编程PWM延时电路设计方法，包括上升沿延时单元(REDU)产生固定的上升沿延时t
D，ON
，通过将n个REDU串联，将产生n倍t
D，ON
的上升沿延时(T
D，ON
＝nt
D，ON
)，将不同n的REDU串列进行并联，构成上升沿延时单元阵列(REDUA)，得到不同上升沿延时的PWM信号，通过上升沿多路开关(MUX RED)选择所需的上升沿延时；下降沿延时单元(FEDU)产生固定的下降沿延时t
D，OFF
，通过将m个FEDU串联，将产生m倍t
D，OFF
的上升沿延时(T
D，OFF
＝mt
D，OFF
)，将不同m的FEDU串列进行并联，构成下降沿延时单元阵列(FEDUA)，得到不同下降沿延时的PWM信号，再通过下降沿多路开关(MUX FED)选择所需的下降沿延时。2.根据权利要求1所述的一种可编程PWM延时电路设计方法，其特征是：所述的REDU和FEDU电路由四个反相器和两组RC延时电路构成。3.根据权利要求1所述的一种可编程PWM延时电路设计方法，其特征是：所述的REDU电路，电阻R1、电容C1和MOS管N1，共同构成了反相器INV2栅极的放电回路，而电容C1和MOS管P1构成了反相器INV2栅极的充电回路，当INV1输入一个上升沿时，P1关闭，N1开启，放电回路被激活，如图5所示的波形时序图，IN的上升沿在a处产生带延时效果的下降沿，假设N1的等效阻抗为r
N1
、反相器INV2的翻转阈值为V
sp，INV2
、反相器INV2栅极寄生电容为C
g，INV2
，当a处的电压低于V
sp，INV2
，反相器INV2发生翻转，b处才能传出一个上升沿信号，上升沿延时t
D，ON
可以用下面的公式计算：根据上式，若要获得较大的上升沿延时需要较大的R...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘天奇，环剑斌，苏申科，唐震东，
申请(专利权)人：江苏三江电器集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：