一种兼顾高产率与高长径比的银纳米线制备方法技术

技术编号:37956862 阅读:19 留言:0更新日期:2023-06-30 09:29
本发明专利技术公开了一种兼顾高产率与高长径比的银纳米线制备方法,(1)将制备银纳米线的前驱混合液在室温下氮气吹泡一段时间,(2)120℃到170℃升温过程中封闭两口烧瓶,(3)到达170℃后改用冷凝管回流空气,反应一段时间后得到银纳米线。本发明专利技术单独控制银纳米线成核阶段和生长阶段的氧气含量,减少了纳米颗粒的形成,大大提高了银纳米的产率,可达90%,且制备的银纳米直径为28纳米,长径比为2500,该方法操作简单,可规模化生产。可规模化生产。可规模化生产。

【技术实现步骤摘要】
一种兼顾高产率与高长径比的银纳米线制备方法


[0001]本专利技术属于纳米材料制备
,具体涉及一种兼顾高产率与高长径比的银纳米线制备方法。

技术介绍

[0002]银纳米线(AgNW)透明导电膜具有优良的透光性,导电性,导热性,低表面电阻,在平板显示,大尺寸触摸屏,太阳能电池,防雾加热器等方面具有广泛的应用前景。由于其制备成本低,以及出色的柔韧性,被认为是取代目前传统ITO电极的最有发展前景的电极材料。为了增加AgNW透明导电膜的透光性和导电性,要求AgNW具有较小的直径和较高的长径比。因为直径小于30nm的AgNW,其表面等离激元的吸收峰在370nm左右,大部分可见光能够通过导电膜,从而增加透光率。另外高长径比的AgNW,表明银纳米线很长,线与线之间的搭接能够形成很好的网状结构,电子传输通路多,导电性能好。所以高长径比的细长AgNW是提高导电膜透光率与降低电阻的有效途径。
[0003]然而,在实际制备过程中,当制备细长银纳米线的条件满足时,往往银纳米线的产率较低,也就是产物中银纳米颗粒较多。这样的银纳米线制备的导电膜,其透光性将会本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种兼顾高产率与高长径比的银纳米线制备方法,其特征在于,包括:(1)配置制备银纳米线的前驱混合液;所述混合溶液的溶剂为乙二醇EG,溶质包含NaCl,NaBr,硝酸银AgNO3,聚乙烯吡咯烷酮PVP;(2)将该混合液室温下氮气吹泡一段时间;(3)封闭两口烧瓶,将混合液从100

120℃升温到160

170℃;(4)当温度到达160

170℃时,将烧瓶口换成冷凝管回流空气,反应一段时间,得到兼顾高产率与高长径比的银纳米线。2.根据权利要求1所述的一种兼顾高产率与高长径比的银纳米线制备方法,其特征在于,所述混合液中溶液的添加顺序为(1)硝酸银在乙二醇溶液中充分搅拌,(2)将已配置好的浓度为250

350mM的NaCl和250

350mM NaBr的EG溶液加入到之前溶液中,搅拌20

30min,(3)将已配置好的浓度为250

300mM PVP的EG溶液加入到之前溶液中,搅拌20

30min。3.根据权利要求1或2所述的一种兼顾高产率与高长径比的银纳米线制备方法,其特征在于,所述混合液中AgNO3,PVP,NaCl,NaBr物质的量比为60

100∶280

320∶4

2∶1。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:芮云军邵康伟蒋煜陈磊杨迎顾大伟
申请(专利权)人:南京工业大学
类型:发明
国别省市:

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