一种毫安级数字式可调LED驱动恒流电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种毫安级数字式可调LED驱动恒流电路，它涉及LED恒流驱动技术领域。包括电流采样电阻、运算放大器、模数转换器、晶体管、负载和稳定电阻，电流采样电阻分别与运算放大器的反向输入端和晶体管的发射极相连，晶体管的基极与运算放大器的输出端相连，晶体管的集电极与负载相连，运算放大器的同向输入端通过稳定电阻与模数转换器ADC的OUT端相连。本实用新型专利技术实现结构简单、稳定性强的小功率LED可调亮度恒流驱动电路，满足负载可插拔等应用场景。可插拔等应用场景。可插拔等应用场景。

【技术实现步骤摘要】
一种毫安级数字式可调LED驱动恒流电路


[0001]本技术涉及的是LED恒流驱动
，具体涉及一种毫安级数字式可调LED驱动恒流电路。

技术介绍

[0002]目前应用于医用内窥镜中的LED驱动电路所使用的元件多而复杂，而且由于使用的元件多，导致电路应用过程中占用面积大，电路稳定性也受到影响，容易因LED电路使用过程中自身的升温引起电流变化，而且负载在插拔过程中会引起电压变化，上述电流电压变化都会导致电路的稳定性降低，为了解决上述问题，本技术设计了一种毫安级数字式可调LED驱动恒流电路。

技术实现思路

[0003]针对现有技术上存在的不足，本技术目的是在于提供一种毫安级数字式可调LED驱动恒流电路，实现结构简单、稳定性强的小功率LED可调亮度恒流驱动电路，满足负载可插拔等应用场景。
[0004]为了实现上述目的，本技术是通过如下的技术方案来实现：一种毫安级数字式可调LED驱动恒流电路，包括电流采样电阻、运算放大器、模数转换器、晶体管、负载和稳定电阻，电流采样电阻分别与运算放大器的反向输入端和晶体管的发射极相连，晶体管的基极与运算放大器的输出端相连，晶体管的集电极与负载相连，运算放大器的同向输入端通过稳定电阻与模数转换器ADC的OUT端相连。
[0005]作为优选，所述的负载与电源VCC端相连。
[0006]作为优选，所述的电流采样电阻接地。
[0007]本技术的毫安级数字式可调LED驱动恒流电路，采用采样电阻将负载所在环路的电流信号转换为电压信号，并将此电压信号连接至运算放大器反向输入端。数字信号传送至一个模数转换器，产生负载电流设置电压，连接至运算放大器的同向输入端。运算放大器的输出端接连一个晶体管将电压信号转为电流信号控制负载所在环路的电流。
[0008]本技术具有以下有益效果：
[0009]1、本技术的结构简单，所使用的元件少，应用过程中占用面积小；
[0010]2、本技术的电路结构稳定性好，采用负反馈技术，避免LED使用过程中自身温度升高引起的电流变化；
[0011]3、满足负载可插拔，克服开关电源在负载插拔中引起的电压突变。
附图说明
[0012]下面结合附图和具体实施方式来详细说明本技术；
[0013]图1为本技术的电路图。
具体实施方式
[0014]为使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本技术。
[0015]参照图1，本具体实施方式采用以下技术方案：一种毫安级数字式可调LED驱动恒流电路，包括电流采样电阻R1、运算放大器U、模数转换器ADC、晶体管Q、负载R和稳定电阻R2，电流采样电阻R1分别与运算放大器U的反向输入端和晶体管Q的发射极相连，晶体管Q的基极与运算放大器U的输出端相连，晶体管Q的集电极与负载R相连，运算放大器U的同向输入端通过稳定电阻R2与模数转换器ADC的OUT端相连。
[0016]值得注意的是，所述的负载R与电源VCC端相连。
[0017]此外，所述的电流采样电阻R1接地。
[0018]本具体实施方式工作时，采样电阻R1将负载R所在环路的电流信号转换为电压信号，并将此电压信号连接至运算放大器U反向输入端。外部数字信号传送至一个模数转换器ADC，产生负载电流设置电压，经过稳定电阻R2连接至运算放大器U的同向输入端。运算放大器U的输出端接连晶体管Q将电压信号转为电流信号控制负载所在环路的电流。
[0019]本具体实施方式的电路结构简单，使用元件少，稳定性好，满足负载可插拔，使用效果好。
[0020]以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种毫安级数字式可调LED驱动恒流电路，其特征在于，包括电流采样电阻(R1)、运算放大器(U)、模数转换器(ADC)、晶体管(Q)、负载(R)和稳定电阻(R2)，电流采样电阻(R1)分别与运算放大器(U)的反向输入端和晶体管(Q)的发射极相连，晶体管(Q)的基极与运算放大器(U)的输出端相连，晶体管(Q)的集电极与负载(R...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭剑，
申请(专利权)人：上海瑞烁信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：