显示面板制造技术

本实用新型专利技术提供了一种显示面板，显示面板包括有多个像素组成的像素阵列，每个像素包括第一电极、像素定义层、有机发光膜层和第二电极；像素定义层包括至少一个像素定义层通孔，像素定义层通孔露出了第一电极的部分表面；像素定义层通孔的边墙设置有至少一个狭窄的通道出口和在通道出口处的平均坡度小于90度的斜坡，第二电极在斜坡上保持连续性；像素定义层通孔的边墙包括一个底切结构，使得有机发光膜层中最靠近第一电极的第一载流子导电层在所述边墙处不连续。本实用新型专利技术的显示面板中相邻像素的第一电极之间的漏电流的路径被限制在狭窄通道内，大幅度地降低了横向漏电流，各个像素的第二电极依然可以通过所述通道出口相互连接起来。相互连接起来。相互连接起来。

【技术实现步骤摘要】
显示面板


[0001]本技术涉及显示面板
，具体地说，涉及一种显示面板。

技术介绍

[0002]最近几年以来，有机发光二极管显示面板或者说OLED显示面板在移动显示终端屏幕和中大尺寸的显示屏上逐渐占据主流。一个OLED显示屏是由纵向和横向排列的像素阵列所组成。每个像素包括了驱动像素调制发光亮度的驱动电路和多层膜层叠加构成的OLED发光膜层。
[0003]图1是一个典型的硅基OLED的像素结构的剖面图，其中显示了在一衬底基板10
’
上的一个子像素的驱动晶体管M1
’
和连接到M1
’
的源极的OLED发光膜层的阳极110
’
，工作在饱和区的驱动晶体管M1
’
给子像素内的OLED发光膜层提供了对应于该子像素亮度的彩色信号电流。图1还同时显示出了一个相邻像素的部分阳极110
’
，两个相邻子像素的阳极110
’
之间是像素定义层200
’
(Pixel Define Layer，PDL)。在本说明书中，将像素定义层200
’
也称为像素隔离墙。为简单起见，将具有高空穴迁移率的空穴注入层和空穴传输层合并在一起称作空穴导电层121
’
(HCL)，将具有高电子迁移率的电子注入层和电子传输层合并在一起称作电子导电层123
’
(ECL)。空穴导电层121
’
和电子导电层123
’
的中间夹着发光层122
’
(EML),在电子导电层123
’
的上面是连接所有子像素OLED发光膜层的阴极130
’
。图1所显示的是驱动晶体管M1
’
连接到OLED发光膜层的阳极110
’
的结构，另外一种结构是将OLED发光膜层的结构反过来，即驱动晶体管连接到OLED发光膜层的阴极上。这时候阴极是每个子像素独立的并和周边其他子像素绝缘的，而OLED发光膜层的阳极则是连续的膜层，连接了整个像素阵列的所有子像素的阳极，并从外部被施加一个阳极电压。
[0004]图1中未示出的还有覆盖在阴极130
’
上的保护层和/或彩色滤光片CF以及不同颜色滤光片CF之间的遮光层BM，彩色滤光片CF将OLED发光膜层发出的白色光线进行RGB三色滤波。图1的硅基有机电致发光显示面板的结构适用于较高像素密度，或者像素尺寸较小的显示器，OLED发光膜层横跨整个显示面板的平面没有中断，从而避免了使用三张掩膜来分别蒸发R、G、B三色OLED发光膜层的方式，而后者多用于像素尺寸较大的中大尺寸OLED显示器的制造。
[0005]如图1所示，假设一个子像素的信号电压是3V,而相邻子像素的信号电压是2V，阴极电压是
‑
2V。由于OLED发光膜层横跨整个像素阵列组成的显示器的平面都是连续而非断开的，当相邻的子像素电极也就是相邻子像素的阳极的电位不同时，通过有一定导电性能的空穴导电层就会产生横向的漏电流，如图1所示，这个漏电流I
L
’
有两个分支。其中第一个分支是横向漏电流，如图中的I1’
所示，从一个像素的阳极跨越像素隔离墙PDL扩散到相邻子像素的阳极上，该分支的漏电流将降低相邻子像素的信号差异，从而导致图像的模糊和混色。而第二个分支是纵向漏电流，如图中的I2’
所示，经过空穴导电层到达像素隔离墙顶部后直接经由像素隔离墙上的寄生OLED发光膜层流到阴极，这一漏电流分支会降低所有子像素的信号强度，或者说分流了本来应该贡献子像素发光的电流，导致所有子像素的亮度
下降。即使在像素隔离墙上的寄生OLED能够发出光线，也会被其上的遮光层BM所阻挡而无法输出。相对于扩散到相邻子像素的第一分支的横向漏电流，直接泄漏到阴极的第二分支的纵向漏电流对于OLED的输出光线没有任何贡献。尤其是当像素隔离墙顶部表面的电位Vs小于左右两侧子像素的电位，比如Vs＝1V的时候，两侧的漏电流都会注入寄生OLED的阴极，导致两侧的子像素的OLED亮度都被减弱。当图像信号均为低灰阶的时候，比如一个阳极电位等于1V，另一个等于0V，寄生OLED两端的电压较低和等效电阻很大，横向漏电流占主导，发生混色的风险较高。特别值得警惕的是，由于像素OLED电流和像素发光面积成正比，而这种横向漏电流和像素的周长成正比，因此其对图像质量的劣化随着像素密度ppi的提高而迅速增大。
[0006]为了解决这个难题，目前存在一些让OLED发光膜层中的最靠近阳极的导电层，比如空穴导电层HCL在相邻子像素的中间设置障碍，从而隔绝或者至少减少子像素之间的横向漏电流的结构。比如在每个子像素之间的像素定义层PDL之上挖出一道深槽，该深槽的边墙具有至少一层底切结构(under
‑
cut)或者多层的底切结构，使得空穴导电层HCL甚至包括发光层和顶部的阴极在内的薄膜在此发生断裂，比如CN114335121A、CN1126355537A、CN102738200B以及CN102376747B等。所谓底切结构是由向外延伸的一个类似于屋檐的结构和该屋檐结构下方的横向孔洞所构成。或者在像素定义层PDL之上设置阻挡横向漏电流的挡墙，这些挡墙或者是延长横向漏电流的路径长度，或者在挡墙的侧面设置有底切的结构让横向漏电流的路径彻底断开,比如CN115394939A。另外一种方式是将像素定义层PDL的表面粗糙化，从而延伸了横向漏电流的路径长度，比如CN111463357B。
[0007]所有这类方式有两个共同的缺陷，第一共同的缺陷是对于高分辨率显示屏的重大影响。应用于虚拟现实(Virtual Reality，VR)眼镜或者增强现实(Augmented Reality，AR)眼镜上的微显示屏上，像素密度极高，相邻子像素之间的像素定义层PDL的宽度不具有发光能力，所以需尽可能地狭窄，才能获得较高的屏幕亮度。如果必须在有限宽度的像素定义层PDL上制作沟槽，将会严重降低了像素的开口率，限制了像素密度的提高或者限制单位面积的输出光量。一个硅基OLED显示器的制造通常分为前端工艺和后端工艺，前端工艺是在拥有最高精细度光刻能力的半导体芯片车间完成，后端工艺则是在较低精细度光刻能力的设备上完成的，而像素定义层PDL和其上的深槽就是在后端工艺设备上完成的。所以，当像素密度发展到2000ppi以上时，包含深槽结构的像素定义层PDL的宽度无法按比例缩小，因此像素的开口率就会急剧下降，导致屏幕亮度的显著降低。第二个共同的缺陷，参考图1的示意图，这些方式都无法消除或减少纵向漏电流，因为子像素的空穴导电层HCL从像素定义层PDL的开孔的所有边缘连接到像素定义层PDL上的空穴导电层HCL，从而提供了向着寄生OLED的阴极泄漏电流的宽阔路径。
[0008]值得警惕的是，由于像素OLED的电流和像素的发光面积成正比，而占据像素周边面积的像素定义层的面积和像素的周长成正比，所以超过3000ppi的用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括由多个像素组成的像素阵列；所述像素包括第一电极，所述第一电极连接显示面板的一像素电路；覆盖所述第一电极的像素定义层，所述像素定义层包括至少一个像素定义层通孔，所述像素定义层通孔露出所述第一电极的部分表面；覆盖所述像素定义层和所述像素定义层通孔所露出的第一电极表面的有机发光膜层；覆盖所述有机发光膜层的第二电极，所述第二电极可透过部分光线；所述有机发光膜层包括在所述第一电极上依次层叠设置的至少第一载流子导电层、发光层、第二载流子导电层；所述像素定义层通孔的边墙处设置有至少一个通道出口；所述有机发光膜层包括的至少所述第一载流子导电层在所述像素定义层通孔的边墙处是不连续的；所述第二电极在所述通道出口是连续的。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述通道出口包括向所述像素定义层通孔的内部延伸的栈桥状结构以及设置于所述栈桥状结构的末端的至少一个阶梯或至少一个坡度小于90
°
的斜坡，所述第二电极在所述阶梯或所述斜坡处连续。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述通道出口包括向所述像素定义层通孔的外部延伸的豁口和所述豁口处的至少一个阶梯或至少一个坡度小于90
°
的斜坡，所述第二电极在所述阶梯或所述斜坡处连续。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素定义层通孔的边墙包括一层或多层底切结构，所述有机发光膜层包括的至少所述第一载流子导电层在所述底切结构处是不连续的。5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述通道出口的宽度小于或等于所述像素定义层通孔的周长的六分之一，并大于或等于0.1微米。6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述栈桥状结构的长度小于或等于所述像素定义层通孔的周长的六分之一，并大于或等于...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄忠守，
申请(专利权)人：视涯科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：