制备量子点的方法、量子点和包括量子点的电子设备技术

提供了一种制备量子点的方法、由此制备的量子点以及包括该量子点的电子设备。所述方法包括以下步骤：制备包括III族元素、V族元素和镓(Ga)的核；以及通过使用用于形成壳的组合物制备覆盖核的壳。用于形成壳的组合物包括第一添加剂，并且第一添加剂是金属卤化物。并且第一添加剂是金属卤化物。并且第一添加剂是金属卤化物。

【技术实现步骤摘要】
制备量子点的方法、量子点和包括量子点的电子设备
[0001]本申请要求于2021年12月17日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0182204号韩国专利申请的优先权以及从其获得的所有利益，该韩国专利申请的全部内容通过引入包含于此。


[0002]一个或更多个实施例涉及制备量子点的方法、量子点和包括该量子点的电子设备。

技术介绍

[0003]量子点是半导体材料的纳米晶体，并且表现出量子限制效应。当通过从激发源接收光而达到能量激发态时，量子点根据对应的能带隙自行发射能量。在这方面，即使在相同材料的情况下，波长也根据每个量子点的颗粒尺寸而变化。因此，通过调节量子点的尺寸，可以获得具有期望波长范围的光，并且可以获得优异的色纯度和高发光效率。在这方面，量子点可以适用于各种装置或设备。

技术实现思路

[0004]一个或更多个实施例包括制备在化学稳定性和光致发光方面具有优异特性的量子点的方法。
[0005]另外的方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过实践公开的给出的实施例来获知。
[0006]根据一个或更多个实施例，提供了一种制备量子点的方法，所述方法包括以下步骤：
[0007]制备包括III族元素、V族元素和镓(Ga)的核；以及
[0008]通过使用用于形成壳的组合物来制备覆盖核的壳，
[0009]其中，用于形成壳的组合物包括第一添加剂，并且
[0010]第一添加剂是金属卤化物。<br/>[0011]根据一个或更多个实施例，提供了一种通过所述方法制备的量子点。
[0012]根据一个或更多个实施例，提供了一种包括该量子点的电子设备。
附图说明
[0013]通过以下结合附图的描述，公开的某些实施例的以上和其它方面、特征及优点将更加明显，在附图中：
[0014]图1是根据实施例的量子点的图；
[0015]图2A和图2B分别示出了通过使用透射电子显微镜(“TEM”)观察根据实施例和对比示例的量子点的结果；
[0016]图3A和图3B分别示出了根据实施例和对比示例的量子点在室温下和低温下的光
致发光(“PL”)光谱；以及
[0017]图4示出了根据实施例和对比示例的量子点在低温下的PL光谱。
具体实施方式
[0018]现在将详细参照实施例，实施例的示例在附图中示出，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。在这方面，给出的实施例可以具有不同的形式并且不应被解释为限于这里所阐述的描述。因此，下面通过参照附图仅描述了实施例，以解释本说明书的方面。这里使用的术语仅用于描述具体实施例的目的，而不意图是限制性的。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或者它们的变型。
[0019]因为公开可以具有各种修改的实施例，所以在附图中示出了实施例并且在具体实施方式中描述了实施例。当参照参考附图描述的实施例时，公开的效果和特性以及实现这些效果和特性的方法将是明显的。然而，公开可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。
[0020]将理解的是，尽管这里使用的术语“第一”、“第二”等可以在这里用于描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。
[0021]以单数使用的表述涵盖复数的表述，除非其在上下文中具有明显不同的含义。也就是说，除非上下文另外清楚地指出，否则“一”、“一个(种/者)”、“该(所述)”和“至少一个(种/者)”不表示数量的限制，并且意图包括单数和复数两者。例如，除非上下文另外清楚地指出，否则“元件”具有与“至少一个(种/者)元件”相同的含义。“至少一个(种/者)”不被解释为限于“一”或“一个(种/者)”。“或”意味着“和/或”。
[0022]还将理解的是，这里使用的术语“包括”和/或“包含”说明存在所陈述的特征或元件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征或元件。除非另有定义，否则术语“包括”或“具有”可以指由说明书中描述的特征或组件组成的情况以及进一步包括其它组件的情况两者。
[0023]考虑到所讨论的测量和与特定量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，这里所使用的“约(大约)”或“近似(大致)”包括所陈述的值，并且意味着在如由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约(大约)”可以意味着在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的
±
30％、
±
20％、
±
10％或
±
5％内。
[0024]如这里所使用的术语“II族”可以包括国际纯粹与应用化学联合会(“IUPAC”)周期表中的IIA族元素和IIB族元素，并且II族元素的示例是Zn、Cd、Hg和Cn，但是不限于此。
[0025]如这里所使用的术语“III族”可以包括IUPAC周期表中的IIIA族元素和IIIB族元素，并且III族元素的示例是Al、In、Ga、Tl和Nh，但是不限于此。
[0026]如这里所使用的术语“V族”可以包括IUPAC周期表中的VA族元素和VB族元素，并且V族元素的示例是N、P和As，但是不限于此。
[0027]如这里所使用的术语“VI族”可以包括IUPAC周期表中的VIA族元素和VIB族元素，并且VI族元素的示例是O、S、Se和Te，但是不限于此。
[0028]术语“量子产率”和“发光效率”可以基本上用于相同的含义。
[0029]本公开的方面提供了一种制备量子点的方法。所述方法包括以下步骤：制备包括III族元素、V族元素和镓(Ga)的核；以及使用用于形成壳的组合物制备覆盖核的壳。
[0030]在实施例中，用于形成壳的组合物可以包括第一添加剂。
[0031]在实施例中，第一添加剂可以包括金属卤化物。
[0032]在实施例中，第一添加剂可以包括由式1表示的金属卤化物：
[0033][式1][0034]A
m+
(X
‑
)
m
，
[0035]在式1中，
[0036]A
m+
可以是m价金属阳离子，m可以是1、2、3或4，并且
[0037]X
‑
可以是卤素离子。
[0038]在实施例中，X
‑
可以是F
‑
、Cl
‑
、Br
‑
或I
‑
。
[0039]在实施例中，第一添加剂可以包括卤化锌、卤化铟、卤化铝、卤化镓或它们的任何组合。
[0040]在实施例中，第一添加剂可以包括ZnCl2、InCl3、AlCl3、GaCl3、NaC本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备量子点的方法，所述方法包括以下步骤：制备包括III族元素、V族元素和镓的核，其中，所述III族元素不包括镓；以及通过使用用于形成壳的组合物来制备覆盖所述核的所述壳，其中，用于形成所述壳的所述组合物包括第一添加剂，并且所述第一添加剂是金属卤化物。2.根据权利要求1所述的方法，其中，用于形成所述壳的所述组合物还包括以下物质中的至少一种：包括II族元素的前驱体、包括III族元素的前驱体、包括V族元素的前驱体和包括VI族元素的前驱体。3.根据权利要求1所述的方法，其中，用于形成所述壳的所述组合物还包括第二添加剂，并且所述第二添加剂是脂肪族胺。4.根据权利要求1所述的方法，其中，制备所述核的步骤包括：通过使用用于形成所述核的组合物来制备所述核，其中，用于形成所述核的所述组合物包括包含III族元素的前驱体、包含V族元素的前驱体和镓前驱体。5.根据权利要求4所述的方法，其中，用于形成所述核的所述组合物还包括第三添加剂，并且所述第三添加剂是脂肪族胺。6.根据权利要求4所述的方法，其中，用于形成所述核的所述组合物还包括第四添加剂，并且所述第四添加剂是脂肪酸或它的盐。7.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述核中，相对于100重量份的所述III族元素，所述核中的所述镓的量在1重量份至200重量份的范围内。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述核包括彼此不同的三种或更多种元素。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述核中的所述III族元素包括Al、In或Tl。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述壳包括II
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑濬赫，张宰福，金成在，南周吾，李栋熙，李宅焌，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：