利用耗尽型MOS管的恒流供电电路及开关电源电路制造技术

本实用新型专利技术属于恒流源电源技术领域，具体涉及一种利用耗尽型MOS管的恒流供电电路及开关电源电路。本恒流供电电路，包括：耗尽型MOS管，其漏极连接电源正极，栅极与源极之间连接有电阻R2，所述栅极作为恒流源的输出端，产生启动电压。本实用新型专利技术利用耗尽型MOS管组成的恒流源替代传统的RSTART启动电路，设计完善的恒流电流，可以确保芯片工作在整个电压范围内有恒定的电流，其中辅助绕组可以省略，且保证系统正常工作。系统正常工作。系统正常工作。

【技术实现步骤摘要】
利用耗尽型MOS管的恒流供电电路及开关电源电路


[0001]本技术属于恒流源电源
，具体涉及一种利用耗尽型MOS管的恒流供电电路及开关电源电路。

技术介绍

[0002]UC3842是一种高性能固定频率电流型控制器，包含误差放大器、PWM比较器、PWM锁存器、振荡器、内部基准电源和欠压锁定等单元。
[0003]图1是由UC3842构成的常规开关电源电路，220V市电经VC整流、C2滤波，电阻RSTART降压后加到UC3842的供电端(
⑦
脚)，为UC3842提供启动电压，电路启动后变压器的付绕组NA的整流滤波电压为UC3842提供正常工作电压。
[0004]④
脚和
⑧
脚外接的电阻R6、电容C8决定了振荡频率，其振荡频率的最大值可达500KHz。
[0005]⑥
脚输出的方波信号经电阻R7、电阻R8分压后驱动MOSFEF功率管，变压器原边绕组的能量传递到付边各绕组，经整流滤波后输出各数值不同的直流电压供负载使用。
[0006]电阻R10用于电流检测，经R9、C9滤滤后送入UC3842的
③
脚形成电流反馈环。所以由UC3842构成的电源是双闭环控制系统，电压稳定度非常高，当UC3842的
③
脚电压高于1V时振荡器停振，保护功率管不至于过流而损坏。
[0007]电路上电时，外接的启动电路通过引脚
⑦
提供芯片需要的启动电压。在启动电源的作用下，芯片开始工作，脉冲宽度调制电路产生的脉冲信号经
⑥
脚输出驱动外接的开关功率管工作。功率管工作产生的信号经取样电路转换为低压直流信号反馈到
③
脚，维护系统的正常工作。
[0008]该电路中RSTART提供刚开机时的启动电流，市电压变化范围很大时，由于RSTART是固定不变的，所以提供的电流是变化的，市电压很小时，/RSTART会变得很小，无法维持整个芯片的耗电大于1mA的要求，使得整个系统无法工作。
[0009]基于上述技术问题，需要设计一种利用耗尽型MOS管的恒流供电电路及开关电源电路。

技术实现思路

[0010]为了解决
技术介绍
中所提及的技术问题，本技术提供了一种利用耗尽型MOS管的恒流供电电路及开关电源电路。
[0011]为了解决上述技术问题，本技术提供了一种利用耗尽型MOS管的恒流供电电路，包括：
[0012]耗尽型MOS管，其漏极连接电源正极，栅极与源极之间连接有电阻R2，所述栅极作为恒流源的输出端，产生启动电压。
[0013]进一步，所述漏极与源极之间并联有电阻R1。
[0014]进一步，所述电阻R2两端还并联有电容C1。
[0015]又一方面，本技术还提供了一种开关电源电路，该开关电源电路为恒流源开关电源电路，该开关电源电路包括：电源管理芯片，其电源端连接有所述的恒流供电电路。
[0016]本技术的有益效果是，本技术利用耗尽型MOS管组成的恒流源替代传统的RSTART启动电路，设计完善的恒流电流，可以确保芯片工作在整个电压范围内有恒定的电流，其中辅助绕组可以省略，且保证系统正常工作。
[0017]本技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术而了解。本技术的目的和其他优点在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
[0018]为使本技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1是现有技术中由UC3842构成的常规开关电源电路；
[0021]图2是利用耗尽型MOS管的恒流供电电路；
[0022]图3是利用耗尽型MOS管组成的恒流源开关电源电路。
实施方式
[0023]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0024]如图2所示，本实施例提供了一种利用耗尽型MOS管的恒流供电电路，包括：耗尽型MOS管VT2，其漏极连接电源正极，栅极与源极之间连接有电阻R2，所述栅极作为恒流源的输出端，产生启动电压，可以连接电源管理芯片例如UC3842的供电端。
[0025]在本实施例中，所述漏极与源极之间并联有电阻R1。
[0026]在本实施例中，所述电阻R2两端还并联有电容C1。
[0027]如图3所示，本实施例还提供了一种恒流源开关电源电路，其特征在于，包括：
[0028]电源管理芯片，其电源端连接有所述的恒流供电电路。
[0029]具体的，本技术利用耗尽型MOS管组成的恒流源替代传统的R
START
启动电路，设计完善的恒流电流，可以确保芯片工作在整个电压范围内有恒定的电流，其中辅助绕组可以省略，且保证系统正常工作。电路图如图2所示。
[0030]图2和图3中耗尽型MOS管VT2与电阻R2组成一个恒流源，电源启动时给芯片提供启动电流，由于耗尽型MOS管的特性，由于耗尽型MOS管在u
GS
=0时，漏源之间的沟道已经存在，所以只要加上u
DS
,就有i
D
流通。此时流经电阻R2到芯片7脚的电流，在电阻R2上产生一个压降，该压降给u
GS
产生一个负偏置电压，栅极加负电压（即u
GS
≤0，就会在相对应的衬底表面
感应出正电荷，这些正电荷抵消N沟道中的电子，从而在衬底表面产生一个耗尽层，使沟道变窄，沟道电导减小。当负栅压增大到某一电压U
p
时，耗尽区扩展到整个沟道，沟道完全被夹断（耗尽），这时即使u
DS
仍存在，也不会产生漏极电流，即i
D
=0。
[0031]对耗尽型MOS管VT2来说，i
D
与u
GS
的关系满足式为；式中,I
DSS
称为u
GS
=0时的饱和漏电流,以我们目前应用的DN2540为例,I
DSS
为150Ma，U
p
=
‑
1.5V，Ugs=
‑
i
D
*R2；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利用耗尽型MOS管的恒流供电电路，其特征在于，包括：耗尽型MOS管，其漏极连接电源正极，栅极与源极之间连接有电阻R2，所述栅极作为恒流源的输出端，产生启动电压。2.根据权利要求1所述的恒流供电电路，其特征在于，所述漏极与源极之间并联有电阻R1。3.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴冬平，
申请(专利权)人：常州超芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：