一种具有碲化铋半导体的电离水发生装置制造方法及图纸

技术编号:37902374 阅读:13 留言:0更新日期:2023-06-18 12:09
本实用新型专利技术公开了一种具有碲化铋半导体的电离水发生装置,包括有第一PCB板、第二PCB板、制冷片和发射针,发射针电性连接于第二PCB板,制冷片上设有碲化铋P/N型半导体,碲化铋P/N型半导体一端为制冷端,碲化铋P/N型半导体另一端为制热端,发射针的一端连接碲化铋P/N型半导体的制冷端,第一PCB板和第二PCB板之间通过支撑柱固定连接,第一PCB板可拆卸连接有高压电极部件,高压电极部件对应发射针开设有发射孔,发射针通过发射孔与高压电极部件相对设置且互不接触。具有整体结构紧凑、制冷效果好、高压电极部件拆装方便、安装稳固、散热高效、降低更换成本的效果。低更换成本的效果。低更换成本的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种具有碲化铋半导体的电离水发生装置


[0001]本技术涉及电离水发生装置
,特别涉及一种具有碲化铋半导体的电离水发生装置。

技术介绍

[0002]由于纳米水离子具有生物活性、粒径小、性能稳定、呈弱酸性、可灭菌除异味等诸多优点,于是电离水发生器流行了起来,其利用高压放电原理将空气中已有的水电离产生纳米水离子。
[0003]现有公告号为CN213026899U的中国专利,公开了一种纳米水离子发生器,包括放电电极组件和高压电极,所述放电电极组件和高压电极相对设置,所述放电电极组件包括充电芯体和放电壳套,所述充电芯体对放电壳套进行充电及极化,所述放电壳套指向所述高压电极的一端为放电端;在所述高压电极与所述放电电极组件之间施加高压电场,以电离放电壳套内的水或空气中的水分生成纳米水离子。
[0004]但上述的纳米水离子发生装置存在以下缺点:该纳米水离子发生器在长时间使用后高压电极容易氧化导致损坏,若是不更换会影响到纳米水离子的发生量,但由于该发生器的高压电极为一个整体,每次更换均需要对整个接收电极进行更换,操作麻烦同时会造成成本的增加。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是提供一种具有碲化铋半导体的电离水发生装置,具有整体结构紧凑、制冷效果好、降低更换成本的效果。
[0006]本技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:一种具有碲化铋半导体的电离水发生装置,包括有第一PCB板、第二PCB板、制冷片和发射针,所述发射针电性连接于所述第二PCB板,所述制冷片上设有碲化铋P/N型半导体,所述碲化铋P/N型半导体一端为制冷端,所述碲化铋P/N型半导体另一端为制热端,所述发射针的一端连接所述碲化铋P/N型半导体的制冷端,所述第一PCB板和第二PCB板之间通过支撑柱固定连接,所述第一PCB板可拆卸连接有高压电极部件,所述高压电极部件对应所述发射针开设有发射孔,所述发射针通过所述发射孔与所述高压电极部件相对设置且互不接触。
[0007]通过采用上述技术方案,在装配的时候,通过支撑柱将第一PCB板和第二PCB板固定连接在一起,然后将高压电极部件固定连接至第一PCB板上,使高压电极部件的发射孔对齐第二PCB板上的发射针的端部,然后对第一PCB板和第二PCB板同时通高压电,使高压电极部件和发射针之间形成高压电场,同时碲化铋P/N型半导体的制冷端产生冷量,冷量继续传导至与碲化铋P/N型半导体的制冷端相连的发射针上,使发射针表面获取到冷凝珠或高相对湿度的空气,在电子雪崩效应作用下电离周围的空气及水分,用以获取带电粒子和含氧自由基中的至少一种纳米粒径的物质,进而形成纳米水离子,碲化铋P/N型半导体相对于一般材质的P/N型半导体其制冷效果更好,更加有利于纳米水离子的生成;另外由于高压电极
部件是可拆卸安装在第一PCB板上的,在长时间使用后,当高压电极部件表面被氧化需要更换的时候,用户可以拆除旧的高压电极部件,然后直接选择新的高压电极部件对其进行更换,十分方便,另外由于单个高压电极部件的用料成本低,所以也降低了成本,相对于传统的对整块第一PCB板进行更换提高了便捷性的同时也有利于环保,具有整体结构紧凑、制冷效果好、降低更换成本的效果。
[0008]本技术的进一步设置为:所述高压电极部件设有插接部,所述第一PCB板开设有安装孔,所述插接部与所述安装孔插接固定。
[0009]通过采用上述技术方案,高压电极部件可通过直接将插接部插接固定至第一PCB板的安装孔内实现固定。
[0010]本技术的进一步设置为:所述高压电极部件设有若干金属片,当所述高压电极部件安装至所述安装孔上时,所述金属片通过弯折使所述高压电极部件固定连接于所述第一PCB板。
[0011]通过采用上述技术方案,当高压电极片的插接部插接固定于第一PCB板的安装孔后,金属片同时也穿至安装孔的另一侧,然后通过向外弯折金属片,使弯折后的金属片与第一PCB板止挡配合,可以进一步提高高压电极片的安装牢固程度,当需要将高压电极部件进行拆除时,可通过外力将弯折的金属片部分掰直,然后即可将高压电极部件从第一PCB板的安装孔内进行拆除。
[0012]本技术的进一步设置为:所述高压电极部件设有离子电极罩,所述离子电极罩的外壁与弯折的所述金属片配合夹持固定于所述第一PCB板。
[0013]通过采用上述技术方案,当高压电极部件安装至第一PCB板的安装孔上时,离子电极罩与弯折的金属片在第一PCB板的安装孔两侧形成夹紧之势,使高压电极部件固定连接在第一PCB板上更加稳固。
[0014]本技术的进一步设置为:所述发射针一端设有导热块,所述导热块一端抵于所述第二PCB板,所述导热块另一端抵于所述制冷片,使所述第二PCB板与所述制冷片分隔设置。
[0015]通过采用上述技术方案,导热块使发射针下端热偶连接至碲化铋P/N型半导体的制冷端,制冷端产生的冷量可以通过该导热块传递至发射针,用以在发射针表面生成冷凝珠或获取高相对湿度的空气。
[0016]本技术的进一步设置为:所述第二PCB板设于所述第一PCB板和所述制冷片之间,所述第二PCB板开设有通孔,所述发射针穿设于所述通孔并与所述第二PCB板电性连接。
[0017]通过采用上述技术方案,发射针侧壁通过通孔与第二PCB板电性连接,同时发射针的下端穿过通孔抵于碲化铋P/N型半导体的制冷端,这种连接结构使本技术的整体结构更加紧凑。
[0018]本技术的进一步设置为:所述第二PCB板固定连接有散热件,所述散热件与所述碲化铋P/N型半导体的制热端接触连接。
[0019]通过采用上述技术方案,根据能量守恒定律,当碲化铋P/N型半导体的制冷端产生冷量的同时,其制热端必然产生热量,散热件的设置可以带走制热端产生的大量热量,使制冷端的环境温度保持稳定,能够进行水电离产生纳米水离子。
[0020]本技术的进一步设置为:所述散热件设有安装框,所述制冷片嵌设于所述安
装框内。
[0021]通过采用上述技术方案,制冷片通过嵌入式安装在散热件的安装框内,使制冷片上的碲化铋P/N型半导体的制热端能够紧密贴合在散热件上,使该制热端与散热片能够进行快速传热,进而使散热片能够对制热端进行高效散热。
[0022]本技术的进一步设置为:所述散热件设有若干散热片,若干所述散热片等间隔分布于所述散热件。
[0023]通过采用上述技术方案,若干散热片可以增大散热片与外界的接触面积,提高散热效率。
[0024]本技术的进一步设置为:所述散热件两侧设有定位柱,所述定位柱开设有螺纹孔,所述第二PCB板对应所述定位柱设有挂耳,通过螺钉穿过所述挂耳与所述螺纹孔螺纹连接。
[0025]通过采用上述技术方案,通过螺钉将散热件可拆卸连接在第二PCB板上,提高本技术各部件之间的连接稳定性,使本技术连接更加牢固。
[0026]综上所述,本技术具有以下有益效果:采用在制冷片上设置碲化铋P/N本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有碲化铋半导体的电离水发生装置,包括有第一PCB板(1)、第二PCB板(2)、制冷片(3)和发射针(4),其特征在于:所述发射针(4)电性连接于所述第二PCB板(2),所述制冷片(3)上设有碲化铋P/N型半导体(31),所述碲化铋P/N型半导体(31)一端为制冷端(31a),所述碲化铋P/N型半导体(31)另一端为制热端(31b),所述发射针(4)的一端连接所述碲化铋P/N型半导体(31)的制冷端(31a),所述第一PCB板(1)和第二PCB板(2)之间通过支撑柱(5)固定连接,所述第一PCB板(1)可拆卸连接有高压电极部件(6),所述高压电极部件(6)对应所述发射针(4)开设有发射孔(64),所述发射针(4)通过所述发射孔(64)与所述高压电极部件(6)相对设置且互不接触。2.根据权利要求1所述的一种具有碲化铋半导体的电离水发生装置,其特征在于:所述高压电极部件(6)设有插接部(62),所述第一PCB板(1)开设有安装孔(11),所述插接部(62)与所述安装孔(11)插接固定。3.根据权利要求2所述的一种具有碲化铋半导体的电离水发生装置,其特征在于:所述高压电极部件(6)设有若干金属片(63),当所述高压电极部件(6)安装至所述安装孔(11)上时,所述金属片(63)通过弯折使所述高压电极部件(6)固定连接于所述第一PCB板(1)。4.根据权利要求3所述的一种具有碲化铋半导体的电离水发生装置,其特征在于:所述高压电极部件(6)设有离子电极罩(61),所述离子电极罩(61)的外壁与弯折的所述金属片(63)配合夹持固定于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:马杰锋
申请(专利权)人:慈溪市香格电器有限公司
类型:新型
国别省市:

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